Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Impedancje i składowe prądu zaburzeń w obwodach z łącznikami półprzewodnikowymi

Fagiewicz K.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2005

|

z. 103

111-120

PL

W referacie przedstawiono pewien sposób określenia impedancji i składowych prądu zaburzeń dla przypadku obwodu z łącznikiem półprzewodnikowym. Określono charakterystykę częstotliwościową impedancji obciążenia i impedancję wewnętrzną źródła oraz rozpływ składowych prądu zaburzeń. Zaprezentowano wynik obliczeń dla pewnego przypadku obwodu. We wnioskach omówiono wpływ przyjętego układu zastępczego źródła zaburzeń oraz częstotliwości charakterystycznej na skuteczność tłumienia składowej symetrycznej i niesymetrycznej prądu zaburzeń.

EN

A method of determination of an impedance and disturbance current components in case of the circuit containing semiconductor switch is presented in the paper. The load impedance and the internal impedance of the source as well as the disturbance current components distribution have been determined. Results of calculations for a certain circuit are presented. An influence of the assumed equivalent system of the source of disturbance and the characteristic frequency on the suppression effectiveness of symmetrical and asymmetrical components of the disturbance current is discussed in the conclusion.

2

Wpływ sterowania fazowego łączników półprzewodnikowych na charakterystyki widmowe przebiegów zaburzających

Fagiewicz K.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

2004

|

R.LXXII, nr 12

11-13

PL

Przedstawiono charakterystyki widmowe przebiegów zaburzających powstających w obwodach układów energoelektronicznych sterowanych fazowo. Zaproponowano sposób obliczania napięć i prądów zaburzeń w obwodzie tyrystora, z wykorzystaniem widma przebiegów zaburzających i parametrów obwodu pomiarowego miernika zaburzeń.

EN

The paper presents spectra of disturbances which arise in phase controlled power electronic circuits. Methods of calculation of disturbance yoltages and currents in thyristor circuit - are proposed. The presented methods utilize spectra of disturbances and parameters of measurement circuit of disturbance meter.

3

Napięcia zakłóceń w obwodach łączników półprzewodnikowych

Fagiewicz K.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2003

|

z. 100

39-48

PL

W artykule przedstawiona została metoda określania napięć zakłóceń powstających w wyniku zaburzeń powodowanych pracą łączników półprzewodnikowych. Podstawą opracowanej metody jest założenie, że napięcia zakłóceń określane są przy użyciu układu pomiarowego o znormalizowanych parametrach. Zamodelowano człony układu pomiarowego oraz określono harmoniczne przebiegu zaburzającego przy użyciu transformaty DFT. Z wykorzystaniem opracowanej metody obliczono napięcia zakłóceń powstające w obwodach łączników półprzewodnikowych dla przypadku impulsów zaburzających o zmiennych amplitudach i czasach trwania. Całość podsumują wnioski.

EN

A method of determination of disturbance voltages being a result of perturbations caused by semiconductor switches at work is presented in the paper. The basis of this method is formed by the assumption that disturbance voltages are determined using a measuring system with normalized parameters. Components of the measuring system have been modeled and harmonics of the disturbance waveform have been determined using DFT. The presented method has been used for calculation of disturbance voltages that occur in circuits with semiconductor switches when the amplitudes and time of existence of the perturbation impulses vary.