Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: łącznik półprzewodnikowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Hybrid switch for capacitors bank used in reactive power compensation

Ruszczyk A., Kóska K., Janisz K.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 12

12-16

This paper describes new concept of a switch dedicated for control of three-phase capacitor bank used for low voltage, reactive power compensation. The proposed device utilizes fully controlled IGBT transistors that gives possibility to break capacitor current in moment that ensures zero voltage remaining on capacitor’s terminals. This minimize voltage stress for switch and capacitor as well as allows to turn-on again capacitors bank without unnecessary delay. This paper describes structure of hybrid switch and its operation with capacitor bank and detuning inductor.

Artykuł opisuje nową koncepcję łącznika dedykowanego do załączania banku kondensatorów używanych do kompensacji mocy biernej w sieciach niskiego napięcia. Zaproponowany łącznik wykorzystuje tranzystory IGBT, co umożliwia przerywanie prądu kondensatora w chwili, gdy napięcie na zaciskach kondensatora jest równe zero. Zmniejsza to stres napięciowy łącznika i kondensatora oraz pozwala na ponowne załączenie banku kondensatorów bez zbędnego opóźnienia. Artykuł opisuje strukturę łącznika hybrydowego oraz jego pracę z bankiem kondensatorów i dławikiem wygładzającym.

Wpływ opóźnień wnoszonych przez łączniki półprzewodnikowe na zaburzenia w układach energoelektronicznych

Fagiewicz K.

Przegląd Elektrotechniczny

2004

R. 80, nr 10

959-961

W artykule przedstawiono problematykę wpływu opóźnień wnoszonych przez łączniki półprzewodnikowe na charakterystyki widmowe napięć zaburzeń elektromagnetycznych powstających w układach energoelektronicznych. Zaprezentowano widma impulsów zaburzających dla przypadku przebiegów opisanych funkcją wykładniczą. Określono napięcia zaburzeń z uwzględnieniem właściwości łącznika i porównano je z zaburzeniami zmierzonymi w obwodzie z tyrystorem.

The paper presents the effect of connection processes due to semiconductor switches on voltage spectrum of electromagnetic disturbances occurring in power electronic systems. Disturbance pulse spectra relating to cases described by exponential function are given. The disturbance voltages occurring while engaging the switch have been determined and compared with the disturbances measured in the thyristor circuit.