Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

Grzejszczak Piotr, Czaplicki Adam, Szymczak Marek, Barlik Roman

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 6

93--97

PL

Niniejsza praca dotyczy analizy procesów łączeniowych w gałęzi z szybkimi tranzystorami MOSFET. Opisano podstawowe zjawiska towarzyszące szybkim procesom łączeniowym oraz zdefiniowano źródła drgań wartości chwilowych prądu i napięcia na łącznikach. Przybliżono znane z literatury sposoby ograniczania przepięć i tłumienia pasożytniczych drgań obwodu komutacyjnego. Podstawowym celem prowadzonych badań była analiza wpływu obwodów odciążających na łączeniowe straty energii, które są szczególnie istotne w przekształtnikach wysokiej częstotliwości.

EN

This work is devoted to influence of snubber circuits to the fast MOSFET switching. Basic phenomena associated with fast switching were described and sources of transistor current and voltage ringing were defined. The most popular methods of limiting overvoltage and suppressing of parasitic ringing of the MOSFET circuit were presented. The main purpose of the research was the impact of snubber circuits on MOSFET switching energy losses analysis, which are very important in high frequency converters.

2

Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii

Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 11

74--77

PL

W pracy przedstawiono sposób analitycznego wyznaczania pojemności wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET i diod Schottky’ego SiC, stosowanych w przekształtnikach wysokiej częstotliwości. Silna nieliniowość oraz trudności w pomiarach sprawiają, że zwykle wykorzystywane są wartości zastępcze tych pojemności, nieprowadzące do poprawnych obliczeń mocy strat łączeniowych. Zaproponowany sposób charakteryzowania pojemności prowadzi do uściślenia wyników, co zostało zweryfikowane w badaniach symulacyjnych i eksperymentalnych.

EN

The paper presents specific problems of analytic approach to determining capacitances of high-voltage MOSFET and Schottky diodes. Strong non-linearity of these capacitances leads to real problems in design calculations for high frequency converters because inadequate value of capacitance is taken into account. The proposed method of based on the approximation of data curves using an analytic function offers a significant improvement of calculation results. This has been verified with simulations and laboratory measurement test.

3

Przekształtniki energoelektroniczne z elementami z węglika krzemu

Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

7-12

PL

Dzięki wysokiej dopuszczalnej wartości napięć wstecznych diody Schottkyego z węglika krzemu mogą znaleźć zastosowanie jako diody zwrotne w typowych układach energoelektronicznych. W celu porównania właściwości ultraszybkich standardowych diod krzemowych PiN i diod Schottkyego z węglika krzemu opracowano model symulacyjny trójfazowego przekształtnika PWM zawierającego łączniki złożone z tranzystorów IGBT i diod zwrotnych. Badania symulacyjne ukierunkowano na wyznaczenie strat mocy wydzielanych w łącznikach w przypadku, gdy dioda zwrotna jest wykonana z krzemu lub z węglika krzemu. Wyniki obliczeń wskazują, że całkowita moc strat we wszystkich łącznikach jest mniejsza w przypadku zastosowania diod Schottkyego z węglika krzemu. Wykonano model laboratoryjny trójfazowego przekształtnika PWM o mocy 5 kVA przeznaczony do badań eksperymentalnych w celu pomiaru i porównania całkowitej mocy strat w przypadku zastosowania w układzie diod krzemowych i z węglika krzemu. Zbudowany przekształtnik jest przewidziany do połączenia z siecią 3 x 400 V/50 Hz i może pełnić funkcją prostownika, kompensatora a także falownika (przekazywanie energii do sieci).

EN

Thanks to high reverse voltage, the silicon carbide Schottky Barrier Diode can be applied as anti-parallel diode in a two-switch leg being the most popular PWM converter sub-circuit. In order to compare the standard ultrafast silicon PiN diode and silicon-carbide Schottky Barrier Diode, the simulation model of three phase PWM converter consisting of IGBT and diodes was investigated. Simulations were carried out to calculate the power losses in two cases: firstly, if the anti-parallel diode is mad e with silicon, and secondly, if the diode is made of silicon carbide. The results obtained by simulations confirm that the total power losses in all switches are smaller when the silicon-carbide Schottky Barrier diodes are used. The experimental 5 kVA three phase PWM converter was built to prove and compare by laboratory measurement the total power in the cases when the silicon and silicon carbide diodes are used. The converter is designed for standard line voltages (3 x 400 V/50 Hz) and is capable to work as rectifier, compensator or inverter (i.e. drawing energy to the line).