PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 13

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Passive synthesis rules of coupled-cavity quantum cascade lasers
Krysicki M., Salski B., Kopyt P.
Opto-Electronics Review
|
2019
|
Vol. 27, No. 3
268--274
EN
A new approach to passive electromagnetic modelling of coupled–cavity quantum cascade lasers is presented in this paper. One of challenges in the rigorous analysis of such eigenvalue problem is its large size as compared to wavelength and a high quality factor, which prompts for substantial computational efforts. For those reasons, it is proposed in this paper to consider such a coupled-cavity Fabry-Perot resonant structure with partially transparent mirrors as a two-port network, which can be considered as a deterministic problem. Thanks to such a novel approach, passive analysis of an electrically long laser can be split into a cascade of relatively short sections having low quality factor, thus, substantially speeding up rigorous electromagnetic analysis of the whole quantum cascade laser. The proposed method allows to determine unequivocally resonant frequencies of the structure and the corresponding spectrum of a threshold gain. Eventually, the proposed method is used to elaborate basic synthesis rules of coupled–cavity quantum cascade lasers.
2
Content available remote THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors : advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy
Marczewski J., Coquillat D., Knap W., Kolacinski C., Kopyt P., Kucharski K., Lusakowski J., Obrebski D., Tomaszewski D., Yavorskiy D., Zagrajek P., Ryniec R., Palka N.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 4
261--269
EN
Recent advances in THz detection with the use of CMOS technology have shown that this option has the potential to be a leading method of producing low-cost THz sensors with integrated readout systems. This review paper, based on authors’ years of experience, presents strengths and weaknesses of this solution. The article gives examples of some hints, regarding radiation coupling and readout systems. It shows that silicon CMOS technology is well adapted to the production of inexpensive imaging systems for sub-THz frequencies. As an example paper presents the demonstrator of a multipixel Si-CMOS THz spectroscopic system allowing for chemical identification of lactose. The THz detectors embedded in this system were manufactured using the CMOS process.
3
Content available Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
Kołaciński C., Obrębski D., Marczewski J., Zbieć M., Kucharski K., Zagrajek P., Kopyt P.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2017
|
Vol. 8, nr 3
101--109
EN
This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
4
Wykorzystanie metody indukcyjnej w nieniszczących badaniach kompozytów węglowych wzmacnianych włóknami węglowymi
Salski B., Korpas P., Reszewicz Sz., Gwarek W., Kopyt P.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2015
|
nr 6
636--639
PL
Zaprezentowano wyniki badań nieniszczących kompozytów polimerowych wzmacnianych włóknami węglowymi, wykonywanych przy pomocy indukcyjnych czujników RF. Zaproponowana metoda jest relatywnie tania, ze względu na zastosowaną technikę produkcji czujników na laminacie powszechnie stosowanym w elektronice, oraz pozwala znacznie ograniczyć czas inspekcji, dzięki możliwości zastosowania matrycy czujników. Przepustowość pomiaru jest kluczowa w przypadku dużych powierzchni takich, jak kadłub.
EN
Experimental results of non-destructive testing of carbon-fibre-reinforced polymer composites, with the aid of RF inductive sensors, are presented in this paper. The proposed method is relatively inexpensive due to the fact that the sensors arę processed on a printed Circuit board widely applicable in electronics. It also allows substantially reducing inspection time if the array of RF sensors printed on a single laminate is utilized. Throughput of the measuremet plays a key role in the case of large surfaces, like fuselage, the inspection of which is still challenging to various non-destructive testing technigues.
5
Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET
Kopyt P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 7
37-41
PL
W artykule przeanalizowano z punktu widzenia projektanta wpływ elementów pasożytniczych występujących w krzemowych tranzystorach polowych typu MOSFET na działanie detektorów promieniowania sub-THz zbudowanych z użyciem takich przyrządów. Zaproponowano obwodowy model przyrządu zewnętrznego, a wartości elementów modelu dobrano w oparciu o typowe dane dostępne w literaturze. Model kanału tranzystora został zbudowany jako odcinek linii długiej opisanej za pomocą macierzy [Z], co ułatwiło zintegrowanie go z elementami pasożytniczymi. Uzyskany w ten sposób opis tranzystora MOSFET zastosowano do zbadania odpowiedzi kanału na pobudzenie sygnałem o częstotliwości sub-THz dostarczanego przez zaciski G i S. Wyniki takiej analizy przeprowadzonej dla tranzystorów MOSFET zintegrowanych z przykładową anteną łatową porównano z danymi uzyskanymi eksperymentalnie dla struktur o różnych wymiarach kanału uzyskując zadawalającą zgodność. Wydaje się zatem, że pomimo nieskomplikowanej budowy zaproponowany model może ułatwić projektowanie nowych detektorów promieniowania sub-THz i pełniejsze zrozumienie ich działania.
EN
In this paper an analysis of parasitic elements that are found in all typical metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) has been performed from a viewpoint of a designer of sub-THz radiation detectors. A simplified model of the extrinsic MOSFET device has been proposed. Typical values of its parameters have been assumed based on literature. The author has also built a model of the MOSFET’s channel (intrinsic device) employing the standard transmission line approach and defining a Z-matrix of the circuit in order to facilitate its integration with the parasitic elements. The full effective circuit model of the MOSFET has been employed to analyze the behavior of the detector when subjected to sub-THz radiation delivered through the Gate and Source pads. Finally, predictions of the responsivity of an example detector built of a typical MOSFET integrated with a patch antenna have been compared with measurements of several structures employing MOSFETs of various channel widths. Good agreement between the predictions and the measurements has been demonstrated, which indicates that despite its simplicity the presented model can significantly help to better understand operation of MOSFET-based detectors and also to improve the design process.
6
Antena UHF na bazie grafenu dla znacznika RFID
Kopyt P., Salski B., Gwarek W., Olszewska-Placha M., Janczak D., Słoma M., Jakubowska M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 10
50-52
PL
W artykule opisano projekt oraz przedstawiono wyniki pomiarów znacznika RFID zbudowanego z czipu działającego w paśmie UHF, zgodnie z normą EPC Class 1 Gen. 2 oraz dipola wydrukowanego pastą przewodzącą domieszkowaną grafenem. Wytworzono kilka znaczników, które następnie przetestowano wykorzystując standardowy czytnik RFID. Stwierdzono, że każdy ze znaczników jest w pełni sprawny, ale maksymalny zasięg odczytu układów opartych na antenach grafenowych jest znacznie mniejszy niż dla znaczników z antenami miedzianymi. Efekt ten można przypisać zwiększonej rezystywności warstwy grafenu. Wydaje się jednak, że w wypadku zastosowań, w których zasięg odczytu nie jest najważniejszy, zaprojektowana antena może być alternatywą dla droższych obwodów drukowanych wykonywanych z past wytwarzanych na bazie srebra.
EN
This paper describes design and measurements of a RFID tag built of a graphene-based dipole antenna and a chip operating in the UHF band in accordance with the EPC Global Class 1 Gen. 2 standard. Several tags have been constructed and tested with a standard RFID reader to reveal that each one is fully operational, but the interrogation range for the graphene-based circuits has been limited in comparison to copper antennae. This can be attributed to increased sheet resistance of a graphene layer. However, it seems that for applications were the read range is not crucial the novel antenna can be an alternative to more expensive circuits printed with silver-based inks.
7
Content available remote Blok przemiany częstotliwości odbiornika radaru śledzącego na pasmo Ku
Gryglewski D., Wojtasiak W., Kopyt P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
73-76
PL
Skonstruowany blok przemiany częstotliwości dla radaru RSKu-10 na pasmo Ku realizuje konwersję sygnału z zakresu 17÷17,5 GHz do pasma pośredniej 70 MHz ± 4 MHz ze wzmocnieniem o regulacji w przedziale od 19 dB do 49 dB i współczynnikiem szumów mniejszym niż 6 dB. Nierównomierność wzmocnienia w pasmie 17÷17,5 GHz nie przekracza ± 0,7 dB, a w kanale pośredniej o szerokości 8 MHz wynosi ± 0,4 dB.
EN
In this paper, the design of down-converter for Ku-band RSKu-10 radar is presented. The receiver consists of 8 identical down-converters. The input signals from the range 17÷17.5GHz are converted to 70MHz IF-band. The conversion gain is controlled within 19÷49dB dynamic range. The total noise figure of down-converter is less than 6dB. The gain flatness amounts ±0.7dB from 17GHz to 17.5GHz, and ±0.4dB within 70±4MHz IF band.
8
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Kopyt P., Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
22-25
PL
W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.
EN
In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.
9
Content available remote Układ przemiany częstotliwości toru nadawczego radaru impulsowego na pasmo Ku
Gryglewski D., Wojtasiak W., Kopyt P., Żurkowski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
14-17
PL
W artykule przedstawiono projekt konwertera dla nadajnika radaru RSKu-10 na pasmo Ku. Konwerter realizuje przemianę częstotliwości pasma pośredniej 70 MHz do zakresu nośnych 17÷17,5 GHz. Poziom mocy wyjściowej w paśmie Ku w głównym 8 MHz kanale wynosi PWY1 = 0 dB ± 0,15 dBm, a na wyjściu kalibracyjnym PWY2 = -20 dB ± 0,4 dBm dla mocy wejściowej PWE = 0 dBm (70 MHz). Poziom sygnałów niepożądanych poza pasmem i w paśmie pracy nie przekracza -60 dBc.
EN
In this paper, the design of up-converter for Ku-band radar is presented. The IF frequencies from 70 MHz band are converted to 17÷17.5GHz frequency range. The up-converter achieves output power level PWY1=0dB±0.15dBm and PWY2=-20dB±0.4dBm for input Power PWE=0dBm (70MHz) at the main port and calibration port, respectively. The level of undesirable signals is less than -60dBc.
10
Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe
Kopyt P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
52-54
PL
W artykule przedstawiono sposób wyznaczania wartości elementów zastępczych oprawki TO-39 zastosowanej jako obudowa detektora podczerwieni i połączonej z nim za pomocą połączeń drutowych. Wartości te są wyznaczane na podstawie pomiarów oprawki, w której chip detektora zastąpiono elementem zastępczym o znanych parametrach. Wrażliwość metody na długość połączeń drutowych łączących ten element z wyprowadzeniami została zbadana poprzez wielokrotne powtórzenie procedury dla różnych połączeń.
EN
In this paper an approach to modeling of TO-39 packages employed for IR detectors wirebonded to the package leads is discussed. The sensitivity of the approach to varying lengths of the wirebonds used to connect the known 2-port to the package is analyzed. To this end, the structure was wirebonded several times. Each time it was measured so that the discrepancy in extracted parameters of the package equivalent circuit could be observed.
11
Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF
Kopyt P., Gryglewski D., Korpas P., Wojtasiak W., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
82-85
PL
W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.
EN
In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.
12
Zdalnie zasilany bezprzewodowy układ monitorowania dla lotnictwa odporny na narażenia HIRF
Kopyt P., Gwarek W. K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 4
42-47
PL
Stosowanie technologii bezprzewodowych można uznać za atrakcyjną alternatywę dla połączeń kablowych w systemach lotniczych. W artykule zostały zaprezentowane ograniczenia, które wystąpiły podczas pracy nad bezprzewodowym pokładowym systemem monitorowania, zgodnym z normami kompatybilności elektromagnetycznej EMC. Szczególnie ważnym punktem prac było zapewnienie najwyższej odporności na promieniowane narażenia HIRF, zdefiniowane według normy DO-160E używanej przez producentów samolotów. Artykuł zawiera także weryfikację działania opracowanego układu w obecności narażeń typu HIRF przy użyciu komory pogłosowej.
EN
It is often tempting to employ wireless technologies that may offer an alternative to the aircraft wired interconnects. However, widely used mass-market devices cannot be directly employed in conditions typical in the aircraft EMC environment. In this article constraints have been presented that are observed during work on a custom wireless system for aircraft monitoring compliant to the EMC norms. The emphasis has been put on ensuring highest level of immunity to radiated HIRF threats defined according to the DO-160E norm used by the aircraft manufacturers. The paper includes also final verification of the developed system in a reverberation chamber.
13
Content available FDTD modeling and experimental verification of electromagnetic power dissipated in domestic microwave ovens
Kopyt P., Celuch-Marcysiak M.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2003
|
nr 1
59-65
EN
The FDTD (Finite Difference Time Domain) method has proven to be effective in modeling high-frequency electromagnetic problems in telecommunications industry. Recently it has been successfully applied in microwave power engineering. In order to accurately model scenarios typical in this field one has to deal with the movement of objects placed inside cavities. This paper describes a simple algorithm that makes it possible to take into account object rotation - important in simulations of domestic microwave ovens. Results of example simulations are presented and an experimental verification of the simulation tool is performed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.