Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)

Zamurueva O. V., Myronchuk G. I., Oźga K., Szota M., El-Naggar A. M., Albassam A. A., Parasyuk O. V., Piskach L. V., Kityk I. V.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2015

|

Vol. 60, iss. 3A

2025--2028

EN

Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures.

PL

Analizowano zależności temperaturowe przewodności elektrycznej dla monokryształów Tl1−xIn1−xGexSe2. Ustalono pojawienie się stanów termo-aktywnych w zakresie temperatur 100-300 K. Przewodnictwo tworzone jest przez zdelokalizowane nośniki w paśmie przewodnictwa i skoki przewodnictwa po stanach zlokalizowanych, znajdujących się w wąskich zlokalizowanych stanach w pobliżu poziomu energii Fermiego. Wartość energii aktywacji oszacowano z dokładnością do 0,02 eV. Wyznaczono wartości gęstości stanów zlokalizowanych, jak i rozkład energii na wymienionych stanach. Dodatkowo w różnych temperaturach oszacowano średnią odległość pomiędzy stanami zlokalizowanymi.

2

Photoinduced Optical Properties Of Tl1-xIn1-xSixSe2 Single Crystals

Myronchuk G. L., Zamurueva O. V., Oźga K., Szota M., El-Naggar N. S., Alzayed N. S., Piskach L. V., Parasyuk O. V., Albassam A. A., Fedorchuk A. O., Kityk I. V.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2015

|

Vol. 60, iss. 2A

1051--1055

EN

The influence of temperature on electroconductivity and photoinduced changes of the absorption at 0.15 eV under influence of the second harmonic generation of CO2 laser for the two type of single crystals were investigated. The single crystals Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 and 0.2) have been grown by the two-zone Bridgaman-Stockbarger method. The temperature studies of electroconductivity were done in cryostat with thermoregulation in the temperature 77 - 300 K, with stabilization ±0.1 K. Photoinduced treatment of the investigated single crystals were performed using the 180 ns pulses second harmonic generation of the CO2 laser operating at 5.3 μm. Experimental studies have shown that for the Tl1−xIn1−xSixSe2 single crystals with decreasing temperature from 300 up to 240 K and from 315 up to 270 K the conductivity is realized by thermally excited impurities with activation energies equal to about 0.24 eV and 0.22 eV for x= 0.1 and 0.2, respectively. Photoinduced absorption achieves its maximum at a power density below 100 mJ/cm2. Has been shown that the samples with x=0.2 demonstrated higher changes of the photoinduced absorption with respect to the x=0.1. With further decreasing temperature is observed monotonic decrease in the activation energy of conductivity. The origin of these effects is caused by the excitations of both the electronic as well as phonon subsystem. At some power densities the anharmonic excitations become dominant and as a consequence the photoinduced absorption dependence is saturated what were observed. Additionally, we were evaluated at given temperature the average jump length of R for localized states near Fermi level.

PL

W pracy badano wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne oraz indukowane światłem zmiany absorpcji optycznej przy 0.15 eV, pod działaniem drugiej harmonicznej lasera CO2 dla dwóch typów monokryształów. Monokryształy Tl1−xIn1−xSixSe2 (x=0.1 i 0.2) otrzymano w pionowym dwustrefowym piecu metodą Bridgamana-Stockbargera. Badania temperaturowe przewodności elektrycznej przeprowadzono w kriostacie z termoregulacją, w temperaturze 77-300 K, przy stabilizacji ±0,1 K. Fotoindukowaną obróbkę laserową monokryształów wykonano przy użyciu 180 ns impulsów drugiej harmonicznej lasera CO2 o długości fali 5,3 μm. Eksperymentalnie wykazano, że z obniżaniem temperatury od 300 do 240 K i od 315 do 270 K przewodnictwo elektryczne monokryształów Tl1−xIn1−xSixSe2 jest wywołane przez wzbudzenia termicznie domieszek z energią aktywacji równą około 0,24 eV i 0,22 eV dla ő = 0,1 i 0,2, odpowiednio. Indukowana optycznie absorpcja osiąga maksimum przy gęstości mocy poniżej 100 mJ/cm2. Stwierdzono, że próbka z x = 0,2 wykazuje większe zmiany absorpcji indukowanej światłem w porównaniu do próbki z x = 0.1. Z dalszym spadkiem temperatury obserwowano monotoniczny spadek energii aktywacji przewodnictwa. Pochodzenie tych efektów jest spowodowane przez wzbudzanie zarówno podsystemu elektronowego jak i fonononowego. Przy niektórych gęstościach mocy wzbudzenia anharmoniczne zaczynają dominować, co w konsekwencji prowadzi do nasycenia indukowanej światłem zależności absorpcji optycznej. Dodatkowo w pracy wyznaczono dla danej temperatury średnią długość skoku R dla stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego.

3

The Reciprocal CuInSe2+2CdTe⇔CuInTe2+2CdSe System

Lavrynyuk Z. V., Zmiy O. F., Parasyuk O. V., Olekseyuk I. D., Pekhnyo V. I.

Polish Journal of Chemistry

|

2009

|

Vol. 83, nr 1

7-18

EN

Investigation of the reciprocal system CuInSe2+2CdTeUCuInTe2+2CdSe was performed using XRD and differential thermal analysis. The isothermal section at 870 K, the liquidus surface projection, several vertical sections and a spatial diagram were constructed. The existence of a large homogeneity region of the sphalerite modifications of the compounds was established.

4

The CuGaSe2-HgSe and CuInSe2-HgSe systems

Olekseyuk I.D., Parasyuk O.V., Galka V.O.

Polish Journal of Chemistry

|

1998

|

Vol. 72, nr 1

49-54

EN

Phase diagrams in the CuGaSe2-HgSe and CuInSe2-HgSe systems have been constructed using differential thermal, X-ray phase and microstructural analyses. The CuGaSe2-HgSe system is of the peritectic type. Solid solution of the constituent components have been found and their limit compositions have been established. They contain 0-3 ans 63-100 mol. % HgSe at 870 K. The CuInSe2-HgSe system is of the first type, due to Roozeboom classification. A continuous range of solid solutions exists between HgSe and the high-temperature beta-modification of CuInSe2. The solid solution are created on the basis of alpha-CuInSe2 which contains up to 7 mol. % HgSe at 870 K.

5

Phase relations in the Cu2Si(Ge,Sn)Te3-HgTe systems

Parasyuk O.V.

Polish Journal of Chemistry

|

1998

|

Vol. 72, nr 11

2440-2449

EN

The Cu2Si(Ge,Sn)Te3-HgTe systems were investigated using differential thermal, X-ray phase and microstructural analysis. Existence of the quaternary Cu2HgSiTe4 and Cu2HgGeTe4 phases, which melt congruently at 898 and 805 K respectively, have been established in Cu2SiTe3-HgTe and Cu2GeTe3-HgTe systems. The Cu2HgSnTe4 phase is a part of solid solution on the basis of Cu2SnTe3 in Cu2SnTe3-HgTe section. The solid solution on the basis of Cu2SiTe3 contains 7 mol% HgTe and the one on the basis of Cu2GeTe3 contains 12 mol% HgTe. The solid solubility in HgTe at 670 K is 2.5 mol% Cu2SiTe3, 4 mol% Cu2GeTe3, and 5.5 mol% Cu2SnTe3.