Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N)

Dawidowski W., Ściana B., Mikolášek M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 7

3--5

PL

Analiza temperaturowych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych pozwala na określenie zmian w wartościach podstawowych parametrów ogniwa: gęstości prądów nasycenia j0 i zwarciowego jsc, napięcia rozwarcia Voc, współczynnika wypełnienia FF oraz sprawności konwersji η. Ponadto prezentowane wyniki umożliwiają porównanie charakterystyk ogniwa pracującego przy oświetleniu widmem AM 1.5 oraz 20-krotnie skoncentrowanym promieniowaniem słonecznym.

EN

The analysis of current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of solar cells enables to observe the changes in the saturation j0 and short circuit jsc current densities, open circuit voltage Voc, fill factor FF and conversion efficiency η versus the temperature. Moreover the presented results compare I-V-T characteristics measured under AM 1.5 and concentrated 20×AM 1.5 spectrum.

2

Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 8

22-24

PL

Znajomość podstawowych parametrów modelu jednodiodowego ogniwa słonecznego pozwala na porównanie parametrów ogniw wytwarzanych różnymi technologiami. Ponadto, umożliwia symulowanie pracy ogniw słonecznych oraz analizowanie ich modeli zastępczych. W pracy omówiono właściwości funkcji specjalnej Lamberta W oraz przedstawiono jej wykorzystanie do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu zastępczego ogniwa na podstawie zmierzonych charakterystyk I–V: ciemnych i jasnych.

EN

The knowledge of single diode model parameters is essential for comparison of solar cells fabricated with different methods. Moreover, it enables the simulation of solar cell devices and analysing their equivalent circuits. In this work we present the single diode model of solar cell, the properties of Lambert W function and its application for determining the single diode model parameters, based on measured dark and illuminated I–V characteristics.

3

Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 8

40-42

PL

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AIIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Sprawność konwersji takich ogniw przekracza 40% przy zastosowaniu skoncentrowanego promieniowania słonecznego. Ważnymi elementami w konstrukcji takiego przyrządu są poszczególne podogniwa wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy przedstawiono technologię AP-MOVPE dolnego podogniwa na bazie InGaAsN oraz wyniki charakteryzacji otrzymanej struktury epitaksjalnej. Ponadto zaprezentowano wyniki pomiarów J-V wytworzonych ogniw słonecznych typu p-i-n.

EN

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. Efficiency of the MJSC devices exceeds 40% under concentrated sunlight. Individual subcells based on different semiconductors are crucial components of tandem solar cell. In this papers we describe AP-MOVPE technology of the bottom InGaAsN subcell and characterization of its epitaxial structure. Moreover, the fabrication process of the test solar cell structure and J-V measurement results are presented and discussed.