Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nano SiC doping of MgB2 bulk made by high inert gas pressure mixing and isostatic sintering

Morawski A., Łada T., Presz A., Mazur T., Diduszko R., Zaleski A., Bodoardo S., Dellarocca V., Przybylski K.

Przegląd Elektrotechniczny

2004

R. 80, nr 11

1125-1128

The effect of the nano-powder SiC doping on the MgB2 bulk superconducting properties was investigated. Powders were mixed by a high gas pressure ultrasonic reactor. Synthesis were performed at inert gas at pressure of up to 1 GPa at temperature from 1500 K to 1550 K, in the high pressure gas trap system, at the equilibrium magnesium vapor pressure. As obtained samples all were superconducting with Tc over 39K. The highest known Tc = 42.6 K for bulk was recorded for the sample doped with 1.5 at % of the 6nm SiC.

Zbadano wpływ domieszkowania MgB2 nanokrystalicznym SiC. Proszki mieszano w reaktorze ultradźwiękowym w wysokim ciśnieniu argonu. Syntezę przeprowadzono w ciśnieniu Ar do 1 GPa w temperaturze od 1500 do 1550 K przy zastosowaniu syfonowego układu tygli. Temperatura krytyczna przewyższała 39 K, osiągając rekordową wartość 42,6 K dla próbki domieszkowanej 6 nm SiC w ilości 1.5 at %.