Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Natural and cultural resources of Green Kurpie as drivers of tourism development

Kisiel R., Zielińska-Szczepkowska J., Taradejna D.

Ekonomia i Środowisko

|

2018

|

nr 2

231--245

EN

The purpose of this paper is to present the natural and cultural resources of the region of Green Kurpie (identified with the Green Wilderness of Kurpie) as drivers of tourism development. The region under analysis, located across two voivodeships: Mazowieckie and Podlaskie, has special natural resources: woods and nature reserves which preserve the natural beauty of the Kurpie Forest, as well as its own culture manifested in original buildings, ornamentation, folk handicrafts, clothing and local dialect. It is a theoretical and empirical article. The author applied the following research methods: deductive studies of literature on the subject and questionnaire studies with the use of a standardised questionnaire survey carried out among 400 respondents from 12 voivodeships in Poland (N=400). In the eyes of the respondents, vast forests, natural reserves, a wealth of rivers and meadows, as well as a distinctive culture: local dialect, unique architecture, crafts and folk costumes are conducive to the development of nature and culture tourism in the region. Although most respondents believe that the region is attractive for tourists, they also see the necessity to take additional measures to active policy on wider tourism promotion.

2

Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes

Bisewski D., Myśliwiec M., Górecki K., Kisiel R., Zarębski J.

Metrology and Measurement Systems

|

2016

|

Vol. 23, nr 3

451--459

EN

This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.

3

Rola dopłat unijnych w rozwoju rolnictwa ekologicznego w Polsce na przykładzie województwa podlaskiego

Kisiel R., Grabowska N.

Woda-Środowisko-Obszary Wiejskie

|

2014

|

T. 14, z. 3

61--73

PL

Na przełomie ostatnich kilku lat można zaobserwować dynamiczny rozwój rolnictwa ekologicznego w Polsce, zapoczątkowany w 2004 r., czyli od akcesji Polski do Unii Europejskiej. Wyrazem tego rozwoju jest m.in. stale rosnąca liczba ekologicznych producentów rolnych i przetwórni ekologicznych oraz wzrastająca powierzchnia ekologicznych użytków rolnych w Polsce. Celem opracowania jest próba oceny wpływu dopłat unijnych do gospodarstw ekologicznych na rozwój rolnictwa ekologicznego w Polsce. Ponadto podjęto próbę oceny efektywności funkcjonowania tych dopłat. Analizy dokonano na podstawie materiałów wtórnych oraz badań przeprowadzonych w 30 losowo wybranych gospodarstwach ekologicznych w woj. podlaskim. Po przeanalizowaniu uzyskanych wyników badań stwierdzono, że czynnikiem silnie stymulującym rozwój rolnictwa ekologicznego w Polsce jest program rolnośrodowiskowy, będący elementem „Programu rozwoju obszarów wiejskich” (PROW), który jest jednym z działań wspólnej polityki rolnej Unii Europejskiej na rzecz promowania rolnictwa przyjaznego środowisku. Beneficjentów programu rolnośrodowiskowego, w ramach którego funkcjonują dopłaty do rolnictwa ekologicznego, wciąż przybywa. W okresie finansowania 2004–2006 z programu skorzystało 700 tys. rolników. W ramach programu rolnośrodowiskowego 2007–2013 do 31.10.2012 r. zrealizowano płatności w wysokości 2,3 mld zł.

EN

A very dynamic development of organic farming has been observed in Poland in the last few years. This system has particularly intensively developed since 2004, i.e. since Poland's accession to the European Union. The development manifests itself in increasing number of organic farmers, food processing companies and the area of organic farmlands in Poland. The objective of the study was to assess the impact of EU aid to the development of organic farming in Poland. In addition, I have tried to assess the effectiveness of the aid. Analysis was based on secondary materials and research carried out in 30 randomly selected organic farms in Podlaskie voivodeship. The study showed that agri-environmental program – one of the activities of European Union's Common Agricultural Policy to promote environmentally friendly farming – was a powerful driver in the development of organic farming in Poland. Beneficiaries of the agri-environmental programme, which subsides organic farming, are still increasing in number. 700 thousand farmers benefited from the RDP programme in the previous funding period (2004–2006). Payments amounted 2.3 billion PLN in the agri-environmental program for 2007–2013 (data as of 31st Oct. 2012).

4

Konferencja Technologia Elektronowa ELTE 2013

Szczepański P., Kisiel R., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 6

68-73

PL

W artykule omówiono wybrane prace zaprezentowane na konferencji ELTE 2013, prezentujące dorobek polskich zespołów badawczych z ostatnich kilku lat. Konferencje z serii „Technologia Elektronowa” organizowane są od ponad 30 lat, cyklicznie przez różne ośrodki badawcze. Tegoroczna, XI Konferencja ELTE 2013, odbyła się w XIV wiecznym zamku krzyżackim w Rynie w dniach 16-20 kwietnia. Zgromadziła 257 naukowców-teoretyków, technologów i inżynierów – z najważniejszych obszarów badawczych współczesnej elektroniki. Obrady merytoryczne toczyły się w czterech sesjach tematycznych: mikroelektronika i nanoelektronika, fotonika, mikrosystemy oraz materiały elektroniczne i fotoniczne, a także w sesjach plakatowych. W sesjach plenarnych przedstawiono najnowsze osiągnięcia światowe w obszarach zaawansowanych technologii elektronicznych i fotonicznych z licznymi odniesieniami do prac polskich zespołów badawczych. Specjalną sesję poświęcono omówieniu kluczowych projektów badawczych i inwestycyjnych.

EN

The paper presents a digest of chosen research and technical work results shown by researchers from technical universities, governmental institutes and research firms during the XI th Scientific Conference on Electron Technology ELTE 2013. ELTE Conference has been held every three years since more than three decades. In 2013 the conference was held in Ryn Castle (Poland) on 16-20 April and gathered around 257 scientists, theoreticians, technologists and engineers from such areas as material engineering, chemistry, sensors, integrated circuits, electronics engineering, laser industry, photonics, etc. The conference featured the following four major topical sessions – Micro and Nano, Photonics, Materials and Technologies, and Microsystems; two dedicated sessions – a keynote plenary session on hot topics in electron technology, as well as a session on large research projects and grants realized by the relevant community. Oral topical sessions were accompanied by poster sessions.

5

Mechanical and thermal properties of SiC : ceramics substrate interface

Kisiel R., Szczepański Z., Firek P., Guziewicz M., Krajewski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 1

48-50

EN

In this paper, we present the realization of assembly of SiC samples to DBC substrate (Direct Bonding Copper Substrate with 200 µm Gu metallization Au covered] by low-temperature sintering of micro scale Ag powder. In the preliminary experiments DBC test samples size 3 × 3 mm (in place of SiC die) were assembled to DBC substrate size 10 × 10 mm using following methods: a) sintering by Ag powder with Ag microparticles in air by applying temperature and pressure, b) sintering by Ag powder with Ag microparticles using temperature, pressure and high vacuum. Methods "a" and "b" permit to obtain very good adhesion range 8...10 MPa after sintering. However after ageing test at temperature 350°C in air the adhesion fall down dramatically. By increasing sintering temperature up to 500...550°C and sintering in vacuum range 1.3 Pa the adhesion is satisfactory. The results of these experiments will be presented in paper.

PL

W artykule zaprezentowano proces realizacji montażu struktur SiC do podłoży DBC (ceramiki alundowej dwustronnie pokrytej warstwą Cu o grubości 200 µm) przy zastosowaniu niskotemperaturowego zgrzewania mikroproszkiem Ag. W badaniach wstępnych, zamiast struktur SiC zastosowano struktury DBC o wymiarach 3 × 3 mm montowane do podłoża DBC 10 × 10 mm (obie łączone części miary metalizację Au). W montażu wykorzystano mikroproszki Ag, a łączenie wykonywano przez: wygrzewanie w powietrzu pod naciskiem oraz przez wygrzewanie w próżni pod naciskiem. W obu metodach uzyskano dobrą adhezję tuż po łączeniu (z zakresu 8...10 MPa). Przeprowadzone próby starzeniowe w temperaturze 350°C wskazały, że adhezja próbek łączonych w powietrzu dramatycznie spada po 24 godzinach wygrzewania Natomiast adhezja próbek łączonych pod naciskiem w próżni 1.3 Pa w temperaturach z zakresu 500...550°C po procesach starzeniowych wtemperaturze 350°C przez kilkaset godzin jest dobra (powyżej 10 MPa).

6

Mechanisms of carriers transport in Ni/n-SiC, Ti/n-SiC ohmic contacts

Kisiel R., Guziewicz M., Golaszewska K., Sochacki M., Paszkowicz W.

Materials Science Poland

|

2011

|

Vol. 29, No. 3

233--240

EN

A mechanism of carriers transport through metal-semiconductor interface created by nickel or titanium-based ohmic contacts on Si-face n-type 4H-SiC is presented herein. The mechanism was observed within the temperature range of 20 °C - 300 °C which are typical for devices operating at high current density and at poor cooling conditions. It was found that carriers transport depends strongly on concentration of dopants in the epitaxial layer. The carriers transport has thermionic emission nature for low dopant concentration of 51016 cm-3. The thermionic emission was identified for moderate dopant concentration of 5-1017 cm-3 at temperatures higher than 200 °C. Below 200 °C, the field emission dominates (for the same doping level of 5-1017 cm-3). High dopant concentration of 5-1018 cm-3 leads to almost pure field emission transport within the whole investigated temperature range.

7

Połączenia lutowane w montażu elektronicznym z zastosowaniem materiałów ekologicznych

Kisiel R.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2009

|

z. 170

3-166

PL

Ciągły postęp w rozwoju montażu elektronicznego jest ściśle powiązany ze stosowaniem nowych materiałów oraz z wdrażaniem nowych technik montażu. Jednym z motorów rozwoju są aspekty ekologiczne oraz związane z nimi uregulowania prawne. Dodatkowo, zmiany te muszą umożliwiać produkowanie wyrobów, które są tańsze, bardziej funkcjonalne i niezawodne. Głównym celem pracy jest analiza wyzwań materiałowych oraz technologicznych, zwiaząnych z montażem elektronicznym. W pracy położono nacisk na badanie i opracowanie procesu lutowania z zastosowaniem lutów bezołowiowych oraz wykorzystanie tego procesu do wytwarzania ekologicznego sprzętu elektronicznego. W pierwszej części pracy dokonano zwięzłego przeglądu używanych materiałów oraz technik montażu stosowanych od poziomu struktury półprzewodnikowej aż do poziomu systemu elektronicznego. Pokazano, że lutowanie jest wciąż dominujacą techniką montażu na wszystkich poziomach. Niemniej jednak, wymagania rynkowe narzucają konieczność zmian bazy materiałowej i technologicznej. Ołów i inne materiały szkodliwe muszą być wyeliminowane z procesu montażu. Zmiana bazy materiałowej pociąga za sobą konieczność zmiany bazy technologicznej. Dlatego też głównym celem przeglądu była analiza fizycznych oraz technologicznych właściwości potencjalnych nowych ekologicznych materiałów, które mogą być zamiennikami materiałów ołowiowych. Mając na uwadze wnioski z dokonanego przeglądu literatury, autor zaplanował i przeprowadził badania wpływu składu stopu lutowniczego, rodzaju topników oraz parametrów procesu lutowania na zwilżalność różnych podłoży badanymi lutami bezołowiowymi. Do oceny parametrów technologicznych lutów oraz w badaniach wpływu parametrów procesu lutowania na właściwości elektryczne oraz mechaniczne połączeń lutowanych szeroko wykorzystywano techniki planowania doświadczeń. Badania były skoncentrowane na właściwościach stopów bliskoeutektycznych SnAg z dodatkami Cu, Bi oraz Sb. Badano następujace parametry technologiczne lutów: czas zwilżania, siłę zwilżania, kąt zwilżania oraz napięcie powierzchniowe. Badano także parametry fizyczne lutów, takie jak ich rezystywność oraz wytrzymałość mechaniczna. Niezależnie od tych badań, wykonano połączenia lutowane z wykorzystaniem badanych materiałów ekologicznych oraz dokonano oceny ich właściwości elektrycznych oraz mechanicznych. Badania potwierdziły, że luty SnAgCu oraz SnAgCuBi są odpowiednie do montażu ekologicznego. Wykazano, że badane luty są kompatybilne z bezołowiowymi pokryciami wyprowadzeń podzespołów, jak też bezołowiowymi powłokami lutownymi płytek obwodów drukowanych.

EN

Continuous progress in electronic assembly is closely connected with the development and implementation of new materials and assembly techniques. One of the main driving forces for such changes are environmental aspects and resulting constraints imposed by laws. Additionally, the changes must allow to obtain products which are cheaper, with higher functionality and reliability. The main subject of the book is the analysis of application of ecological materials in electronic assembly. Special attention has been paid to investigation and understanding of the soldering process with application of lead-free solders and using this process for manufacturing ecologically friendly electronics products. The first part of the book is a comprehensive review of currently employed materials and assembly techniques which are used for electronics packaging from the chip up to the system level. It has been shown that soldering is still the most often used technique for joint formation at all assembly levels. However, the market requires that the soldering process should be changed. Lead and other harmful materials must be excluded from electronic assembly processes. Such materials changes require technological changes too. The main goals of the review is the analysis of the physical and technological properties of new, ecologically friendly materials which can be applied as potential replacements. Having carefully reviewed the physical and technological properties of potential lead free materials, the author has analyzed experimentally the influence of solder composition, flux type and parameters of soldering process on wettability of lead-free solders on different substrates. The design of experiments methodology was used for investigation of the technological properties of lead-free materials and for investigation of the influence of soldering process parameters on mechanical and electrical properties of ecological solder joints. Special attention was paid to properties of near eutectic SnAg solders with Cu, Bi and Sb addition. The following technological properties of the solders were measured: wetting time, wetting force, wetting angle and surface tension. Additionally, electrical and mechanical properties of solders were investigated and assessed. Finally, the solder joints, with the use of the mentioned above ecological materials, were made and solder joint resistance as well as mechanical properties were estimated. It has been concluded that SnAgCu and SnAgCuBi lead-free solders are good materials for ecological assembly. It has been shown that such solders are compatible with lead-free components and lead-free printed circuit boards.

8

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Z., Kisiel R.

Materiały Elektroniczne

|

2009

|

T. 37, nr 1

99-106

EN

Silicon carbide (SiC) became very attractive material for high temperature and high power electronics applications due to its physical properties, which are not attainable in conventional Si semiconductor. However, the reliability of SiC devices is limited by assembly processes comprising die attachment and interconnections technology as well as the stability of ohmic contacts at high temperatures. The investigations of a die to substrate connection methods which can fulfill high temperature and high power requirements are the main focuses of the paper. In our researches following die attach technologies were applied: adhesive bonding with the use of organic and inorganic conductive compositions, solder bonding by means of gold germanium alloys, die bonding with the use of thermal conductive adhesive foil and joining technology based on low temperature sintering of silver nanoparticles. The applied bonding technologies are described and obtained results are presented.

PL

Z pośród półprzewodników szerokopasmowych węglik krzemu (SiC) stał się najbardziej obiecującym materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Jest on obiektem szczególnego zastosowania wszędzie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać Si. Niezawodność przyrządów z SiC w wysokich temperaturach jest ograniczona przez procesy montażu obejmujące montaż struktur do podłoża, wykonywanie połączeń elektrycznych oraz przez brak stabilności wysokotemperaturowej kontaktów omowych. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC do podłoża. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu struktur SiC do podłoża z ceramiki alundowej, które mogą spełniać wymagania pracy w wysokich temperaturach. W badaniach wykorzystano następujące techniki montażu: klejenie kompozycjami organicznymi lub nieorganicznymi, lutowanie lutami Au-Ge, klejenie przy zastosowaniu adhezyjnej folii ceramicznej oraz spiekanie niskotemperaturowe za pomocą pasty utworzonej z nanocząsteczek srebra. We wnioskach dokonano oceny analizowanych technik montażu w oparciu o wyniki uzyskane w badaniach własnych.

9

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

Kisiel R., Guziewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

26-31

PL

Węglik krzemu (SiC) stał się obiektem szczególnego zainteresowania głównie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać krzem [1]. Półprzewodnikowe przyrządy mocy oparte na węgliku krzemu stają się handlowo dostępne do zastosowań wysokomocowych i wysokotemperaturowych, ale nie przekraczających 250 C. Niezawodność przyrządów z SiC jest ograniczona z jednej strony stabilnością termiczną kontaktów omowych wytworzonych w SiC [2], z drugiej strony materiałami stosowanymi do połączeń struktury SiC z podłożem, a także materiałami i technologiami użytymi do wykonania połączeń elektrycznych obszarów aktywnych struktury z wyprowadzeniami obudowy i samymi materiałami stosowanymi na obudowy przyrządów [3-6]. W celu wykorzystania specyficznych zalet oferowanych przez przyrządy SiC, niezbędnym staje się opanowanie technologii niezawodnych kontaktów omowych oraz opracowanie wysokotemperaturowych materiałów do połączenia z podłożem, zastosowanie odpowiednich technologii montażu oraz technologii zamykania tych przyrządów w obudowy. W artykule [7] przedstawiono rozwiązania, jakie można zastosować do wykonania połączeń ciepIno-mechaniczno-elektrycznych miedzy strukturą SiC, a podłożem z ceramiki alundowej lub z azotku glinu.

EN

Unique properties of SiC lead this semiconductor for applications in new electronic devices operating at high temperatures, high power and high frequencies. There are a few problems related to the production of high temperature SiC devices. Developing of reliable ohmic contacts to SiC structure as well as a wire connection between the SiC ohmic contact and package leads are the serious tasks for today. The stability of Ni and Ti Au ohmic contacts onto n-SiC as well as the electrical and mechanical properties of Au and Al wire connection onto metallic contacts of n-SiC were investigated. The ohmic contact to n-SiC was formed by rapid thermal annealing of Ti film and Au metallization has been applied to form electrical connections using Au wire bonds. Long-term tests of the connections we re performed in air at 400 C. Evaluation of electrical parameters as well as morphology and structure of the Al metallization onto Ti or Ni based ohmic contacts and with Al wire bonding electrical connections show good stability after ageing at 400 C & 300 h. For SiC structures with Au metallization and Au wire bonding only Ti based ohmic contacts fulfilI thermal stability requirements.

10

Stabilność wybranych własności bezołowiowych połączeń w grubowarstwowych układach hybrydowych

Kalenik J., Kiełbasiński K., Kisiel R., Jakubowska M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

27-36

PL

Autorzy zaprezentowali wyniki badań stabilności połączeń lutowanych wykonanych lutami bezołowiowymi w grubowarstwowych układach hybrydowych. Połączenia zostały wykonane pomiędzy końcówkami elementów SMD w obudowach 1206, a polami lutowniczymi wykonanymi techniką grubowarstwową na podłożu ceramicznym. Autorzy zbadali rezystancję połączeń lutowanych oraz ich wytrzymałość mechaniczną. Połączenia zostały poddane starzeniu w temperaturze 125 C. Wytrzymałość mechaniczna starzonych połączeń lutowanych wykonanych lutami bezołowiowymi na palladowo-srebrowych polach lutowniczych była znacznie niższa niż wytrzymałość tych połączeń na srebrowych i platynowo-srebrowych polach lutowniczych.

EN

The paper presents the results of investigation of lead-free solder joints in thick film hybrid circuits. The solder joints between lead-free SMD 1206 jumpers and lead-free solder pads on ceramic substrate were prepared with the use of lead-free solders. Electrical resistance and mechanical strength of the joints were under investigation. The four-wire method of resistance measurement and shear test for mechanical strength were applied. The joints were tested just after preparation and after annealing at temperature 125°C for 1000 h. Mechanical strength of lead-free solder joint on Pd-Ag solder pads was considerbly lower than on Ag and Pt-Ag solder pads.

11

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

Szczepański Z., Kisiel R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

19-24

PL

Materiały półprzewodnikowe z szeroką przerwą zabronioną posiadają wiele zalet fizycznych, które stwarzają nowe możliwości ich zastosowania w elektronice wysokotemperaturowej i wysokomocowej. Z pośród półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych węglik krzemu stał się najbardziej obiecującym i odpowiednim materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Węglik krzemu jest materiałem najszerzej badanym i najintensywniej rozwijanym i obecnie przyrządy wytwarzane na bazie SiC stały się handlowo dostępne do zastosowań wysokotemperaturowych i wysokomocowych. Niezawodność takich przyrządów jest ograniczona zarówno przez stabilność wysokotemperaturową kontaktów omowych jak i procesy montażu obejmujące zarówno montaż struktur jak i wykonywanie połączeń. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC oraz materiały spełniające stawiane im wymagania wysokotemperaturowe i wysokomocowe. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu do zastosowań wysokotemperaturowych oraz opisano procesy montażu stosowane w badaniach własnych. Opisano także kilka wybranych materiałów na podłoża układów, do łączenia struktur oraz na obudowy, które są najodpowiedniejsze do zastosowań wysokotemperaturowych.

EN

Wide bandgap semiconductors have many physical advantages which create their new possibilities for high power and high temperatures applications. From among these materials silicon carbide became the most promising and suitable material for power devices operating at high temperatures. Silicon carbide is the most researched and developed material and therefore power devices based on SiC are now becoming commercially available for high temperature and high power electronic. The reliability of these devices is limited as well by the stability of ohmic contacts at high temperature and assembly processes comprising die attach and interconnections technology. The main attention in this paper is focused on SiC bare die assembly and materials which fulfill high temperatura and high power requirements. There will be described assembly processes used in own researches and made a survey of die attachment processes which fulfill temperatures demands. Also this paper presents a selection of materials for power devices including substrates, packages and bonding materials which are potentially suitable in high temperatures applications. The results of own researches will also be presented

12

Kompozycje elektrycznie przewodzące w produkcji płytek drukowanych

Kisiel R., Felba J., Borecki J., Fałat T., Mościcki A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 6

31-38

PL

Omówiono technologię realizacji połączeń międzywarstwowych w płytkach dwustronnych i "metalizację" mikrootworów w płytkach wielowarstwowych za pomocą odpowiednio zmodyfikowanych elektrycznie przewodzących kompozycji polimerowych na bazie żywicy epoksydowej z wypełniaczem srebrowym i modyfikatorami. Zastosowanie tych kompozycji w połączeniach międzywarstwowych pozwoli na zastąpienie ekologicznie szkodliwych procesów metalizacji elektrochemicznej procesem nanoszenia i utwardzania kompozycji przewodzącej. Przeprowadzone testy narażeniowe połączeń: starzeniowy, wilgotne gorąco stałe, oraz cykliczne zmiany temperatury nie spowodowały krytycznych zmian rezystancji połączeń międzywarstwowych.

EN

The main goal of the paper is to present the idea of applying electrically conductive polymers for creation the inner connections in double sided as well as multilayer PCBs (Printed Circuits Board). As polymer compositions, a mixture of epoxy resin with Ag flakes as well as Ag nanopowders was used. The following tests were performed: the storage test (125°C 1000 h), the dump heat test (85%RH/85°C), the thermal shock test (-40°÷ +125°C 1000 cycles) as well as mechanicai and soldering tests. The inner connection resisatance changes after tests are less than 10%. Such results are satisfactory for majority of consumer applications.

13

lead-free solder joints in microelectronic thick film technology

Jakubowska M., Kalenik J., Kiełbasiński K., Kisiel R., Szmidt J.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2006

|

Vol. 51, iss. 3

407-412

EN

The results of resistance and shear force measurements of several lead-free solder joints in thick film hybrid circuits are presented. The joints between lead-free thick film conductive layers and lead-free 1206 SMD components were prepared using Sn10In3.1Ag, Sn3.8Ag0.7Cu, Sn3.5Ag, Sn5Ag lead-free solders. The joints were prepared on Ag, PdAg, PtAg thick film solder pads. The solder joints were aged at 125C for 1000 hours in order to estimate the solder joint properties in conditions corresponding to hybrid circuits exploitation in the engine compartment of an automobile. The electrical resistance was measured using the 4-wire method and the mechanical strength using a shear test. The microstructure of interfacial regions of the joints was tested with a scanning electron microscope. This research has shown that solder joints on Ag and AgPt layers exhibited the most stable properties, while joints on PdAg degraded in about 48 hours under test conditions.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań hybrydowych bezołowiowych połaczeń lutowanych w grubowarstwowych układach scalonych. Połączenia lutowane wykonano pomiędzy bezołowiowymi elementami 1206 przeznaczonymi do montażu powierzchniowego, a bezołowiowymi polami lutowniczymi w układzie grubowarstwowym wykonano stosując najbardziej popularne luty bezołowiowe. Badano rezystancje połączeń oraz siłę ścinająca połączenia. Pomiarów dokonano bezpośrednio po lutowaniu i po starzeniu połączeń w temperaturze 125C. Połączenia lutowane wykonane lutami bezołowiowymi na srebrowych polach lutowniczych wykazują największa stabilność parametrów. Wytrzymałość mechaniczną połączeń lutowanych wykonanych na palladowo-srebrowych polach lutowniczych jest znacząco mniejsza, niż dla pozostałych połączeń.

14

Trends in assembling of advanced IC packages

Kisiel R., Szczepański Z.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

63-69

EN

In the paper, an overview of the current trends in the development of advanced IC packages will be presented. It will be shown how switching from peripheral packages (DIP, QFP) to array packages (BGA, CSP) and multichip packages (SiP, MCM) affects the assembly processes of IC and performance of electronic systems. The progress in bonding technologies for semiconductor packages will be presented too. The idea of wire bonding, flip chip and TAB assembly will be shown together with the boundaries imposed by materials and technology. The construction of SiP packages will be explained in more detail. The paper addresses also the latest solutions in MCM packages.

15

Rezystory molibdenowe : ekonomiczna propozycja dla techniki grubowarstwowej

Jakubowska M., Kalenik J., Kisiel R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

64-65

PL

Opracowano serię past rezystywnych opartych na tlenku molibdenu. Przedstawiono podstawowe właściwości grubowarstwowych rezystorów molibdenowych.

EN

Series of resistive pastes based on molybdenum oxide was elaborated. Some properties of molybdenum thick film resistors are presented.

16

Problemy technologiczne i materiałowe zamiany technologii ołowiowych na bezołowiowe w montażu elektronicznym

Kisiel R., Bukat K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono podstawowe problemy, jakie mogą powstawać w trakcie przechodzenia na technologię bezołowiową, tj. konieczność zmiany materiałów lutowniczych, urządzeń do lutowania oraz sposobu prowadzenia procesu lutowania. ómówiono zalecane do technologii bezołowiowej płytki drukowane z powłokami bezołowiowymi oraz luty bezołowiowe. Pokazano przykłady wad lutowniczych występujących w bezołowiowej technologii montażu. Objaśniono możliwe drogi przejścia na technologię bezołowiową.

EN

In the article the authorspresented the basic information about problems with materials and assembly processes during transferring to lead-free technology e.g. changes of soldering materials, soldering machines and parameters of soldering processes. The recommended printed circuitboards with lead-free finishes, as well as lead-free solders were described. The examples of soldering failures which can happen during lead-free soldering were show. The possibility of ways of transferring to lead-free technology was explained.

17

Ekologiczna elektronika : uwarunkowania materiałowe i technologiczne

Kisiel R., Felba J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 12

75-77

PL

Od co najmniej 50 lat w montażu sprzętu elektronicznego stosowane są luty SnPb. Dwie dyrektywy Unii Europejskiej, WEEE oraz RoHS, wymuszają stosowanie technologii bezołowiowych od 1 lipca 2006 r. Konieczne jest zatem wykluczenie ołowiu z lutów, metalizacji pokryć kontaktów płytek drukowanych oraz kontaktów podzespołów. Przedstawiono przegląd zmian materiałowych i technologicznych, jakie muszą być wdrożone w tym zakresie.

EN

Soldering processes with SnPb solders was standard interconnection technologies of electronic components on PCBs from few decades. From more than ten years there are strong market, society and legal pressure on ecological electronic assembly. The EU Directives WEEE and RHS oblige the manufactures to elimination Pb from electronic products by 1 July 2006 in Europe. The development of Pb-free interconnects require the exclude of lead from three key elements of typical solder joint: the solder, the PCB finishes and component leads metallization. The intend of this paper is to provide the overview of materials and technological aspects of applying "green technology" in electronic assembly.

18

Electrical and mechanical studies of the Sn-Ag-Cu-Bi and Sn-Ag-Cu-Bi-Sb lead free soldering materials

Kisiel R., Gąsior W., Moser Z., Pstruś J., Bukat K., Sitek J.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2005

|

Vol. 50, iss. 4

1065-1071

EN

The electrical resistivity and the tensile strength of two near ternary eutectic Sn-Ag-Cu and four solder alloys close to ternary eutectic Sn-Ag-Cu with different Bi content as well as eight Sn- Ag-Cu-Bi with different Sb content in the form of wires were investigated. The four-probe technique was used for electrical parameters measurements. Equipment of the author’s own construction for the tensile strength measurement was applied. It was found that the additions of Bi and Sb to Sn-Ag-Cu near eutectic alloys increase the resistivity and the tensile strength and that the reistivity of the Sn-Ag-Cu-Bi and Sn-Ag-Cu-Bi-Sb alloys is comparable with those of Pb-Sn solders for the bismuth and antimony content of about 3 atomic percent.

19

Luty bezołowiowe dla elektroniki

Ambroziak A., Felba J., Kisiel R.

Przegląd Spawalnictwa

|

2004

|

R. 76, nr 8-9

101-104

20

Wykorzystanie biomasy wierzby krzewiastej do produkcji energii cieplnej

Szczukowski S., Stolarski M., Tworkowski J., Przyborowski J., Kisiel R., Piechocki J.

Problemy Inżynierii Rolniczej

|

2004

|

R. 12, nr 2

31--40

PL

Określono koszt wytworzenia jednostki energii cieplnej ze świeżej biomasy (drewna) wierzb krzewiastych, pozyskiwanej z gruntów ornych w trzyletnim cyklu zbioru. Koszt jednostkowy wytworzenia 1GJ energii cieplnej ze zgazowania zrębków o wilgotności 47% w zgazowarce pirolitycznej typ EKOD, współpracującej z kotłem KR-100 o mocy 2,33 MW, wyniósł 19,26 przy pracy urządzenia przez 330 dni w roku i 26,19 zł, gdy czas pracy skrócono do okresu grzewczego, 231 dni w roku. Przy zgazowywaniu zrębków wierzbowych pomiary emisji zanieczyszczeń wykazały 76-krotnie niższą zawartość w spalinach pyłu, 2-krotnie niższą koncentrację tlenków azotu (w przeliczeniu na dwutlenek azotu) i 3-krotnie niższą zawartość tlenku węgla w stosunku do emisji dopuszczalnej. W spalinach stwierdzono śladowe ilości dwutlenku siarki.

EN

The study aimed at determining the cost of heat energy unit generated from fresh biomass (shoots) of coppice willows cultivated on arable land and harvested in three-year growing cycle. The cost of generating 1GJ heat energy from pyrolitic gasification of willow wood chips of 47% moisture content, amounted to 19.26 and 26.19 PLN for operating period of 330 and 231 days per year, respectively. Pyrolytic gasifier EKOD type with the KR-100 oven of total power 2.33 MW, were applied. The analyses of gas emission showed that in comparison to permissible level of solid particles, nitrogen oxides and carbon monoxide levels were lower by factor of 76, two and three, respectively. Only traces of sulfur dioxide were found in the fumes.