Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Oxygen and carbon impurity effects on hydrogen storage properties of MgNi alloy films

Pranevicius L., Milcius D., Lelis M., Wirt E., Bacianskas A.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

78-80

1.5 um-thick MgNi films with ratio of Mg/Ni=2.5 have been sputtered on quartz substrates and hydrogenated at 0.8 MPa hydrogen pressure for 250 °C. It is shown that the decomposition of Mg2Ni and surface segregation of Mg occur during hydrogenation. For C-free MgNi films, the metallic Mg is bonded with oxygen and form non-permeable for hydrogen oxide layer. Carbon impurities modify surface hydrogen permeation properties, and complete transformation of Mg2Ni film into Mg2NiH4 takes place during 30 min.

Powłoki MgNi o grubości 1,5 um i stosunku Mg/Ni=2,5 zostały napylone na substraty kwarcowe i uwodornione przy ciśnieniu wodoru 0,8Mpa i temperaturze 250oC. Stwierdzono, że w trakcie hydrogenizacji następuje rozkład Mg2Ni i powierzchniowa segregacja Mg. W przypadku powłok MgNi bez zawartości węgla metaliczny Mg wiąże się z tlenem tworząc nieprzenikalną dla wodoru warstwę tlenku. Domieszki węgla modyfikują przepuszczalność powierzchni dla wodoru i powodują przemianę powłok Mg2Ni w Mg2NiH4 w czasie 30min.