Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa

1 2000

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Otrzymywanie monokryształów azotku galu o wysokiej czystości dla potrzeb mikro- i optoelektroniki

Kamler G., Skrzek A., Strojek B., Weisbrod G., Podsiadło S., Adamowicz L., Gębicki W., Strzałkowski I.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa

2000

z. 12

129-136

Przeprowadzono syntezę monokryształów azotku galu w wyniku reakcji par galu z amoniakiem. W reakcjach prowadzonych w zakresie temperatury 850-1150°C otrzymano monokryształy GaN w postaci igieł, pryzm oraz płytek o rozmiarach do 1,5 x 1 xO,1 mm. W reakcji galu z amoniakiem w zakresie temperatury 1000-1200°C otrzymano proszek azotku galu. Proszek ten był substratem do otrzymywania monokryształów GaN w postaci igieł, pryzm oraz płytek o maksymalnych rozmiarach 3,5x2,5x0,2 mm. Otrzymane monokryształy badano metodami rentgenowskimi, modelując strukturę oraz wykonując mapy refleksów i krzywe odbić. Ponadto prowadzono badania metodami spektroskopii ramanowskiej oraz mierzono przewodnictwo elektryczne. Stwierdzono, że otrzymane monokryształy i proszki mają dobrze wykształconą strukturę krystaliczną. Na wybranych monokryształach nanoszono homoepitaksjalne warstwy GaN o grubości kilkudziesięciu mikrometrów. Przeprowadzono badania nad wpływem wielkości uziarnienia na sublimację GaN. Stwierdzono, że w wyniku poddania sublimacji monokryształów o wymiarach 50-500 mikrometrów otrzymuje się monokryształy GaN o znacznie lepszej jakości niż w wyniku sublimacji proszku o wielkości kryształów rzędu pojedynczych mikrometrów.

Single crystals of gallium nitride have been synthesised in a reaction of gallium vapours with ammonia. The crystals take a form of needles, prisms and platelets up to 1.5x1x0.1 mm at the temperature range of 850-1150 C. Gallium nitride has been obtained from gallium and ammonia at temperatures of 1000-1200 C. The powder was used as a source material for subsequent growing of GaN single crystals in forms of needles, prisms or platelets of maximum dimensions 3.5x 2.5x0.2mm. The single crystals were characterised by X-ray methods. Raman spectroscopy and conductivity measurements. The influence of grain size on the GaN sublimation process has been investigated. Sublimation of 50-500 um GaN crystals leads to crystals of siginficantly better quality than those obtained from crystalline powder by the same technological procedure.