Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Przezroczyste powłoki samoczyszczące na bazie TiO2:Tb

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Mazur M., Prociów E., Baniewicz K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 1

16-18

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań wpływu domieszkowania terbem na właściwości strukturalne, optyczne oraz fotokatalityczne dwutlenku tytanu. Cienkie warstwy wytworzono wysokoenergetyczną metodą rozpylania magnetronowego. Wyniki badań metodą dyfrakcji rentgenowskiej pokazały, że wytworzone cienkowarstwowe powłoki były nanokrystalicznej, a domieszkowanie terbem powoduje densyfikację struktury TiO₂- rutylu (zmniejszenie średniego rozmiaru krystalitów z 8,7 nm do 6,6 nm) w porównaniu do niedomieszkowanej matrycy TiO₂. Oprócz tego, warstwy TiO₂:(2% at. Tb) miały 3-krotnie większą liczbę ziaren na um² oraz 2-krotnie mniejszą chropowatość w porównaniu do TiO₂. Z kolei badania właściwości optycznych metodą transmisji światła pokazały, że domieszkowanie terbem nie obniża przezroczystości dwutlenku tytanu. Cienkie warstwy badano również pod kątem możliwości ich zastosowania, jako powłoki samoczyszczące (fotokatalityczne). Wyniki badań szybkości dekompozycji fenolu na powierzchni wytworzonych warstw pokazały, że domieszkowanie terbem o 50% zwiększa aktywność dwutlenku tytanu.

EN

In this work influence of Tb-doping on structural, optical and photocatalytic properties of titanium dioxide has been described. Thin films were manufactured by high energy magnetron sputtering method. X-Ray diffraction results have shown that as-deposited thin-film coatings were nanocrystalline and doping with terbium results in TiO₂-rutile structure densification (decrease of average crystallites size from 8.7 nm to 6.6 nm) as compared to un-doped TiO₂ - matrix. Moreover, TiO₂:(2 at.% Tb) films had 3-times higher number of grains per um² and 2-times lower roughness in comparison with TiO₂. Optical investigation performed by optical transmission method have show that doping with Tb does not decrease high transparency of titanium dioxide. Thin films were also examined in order to their application as self-cleaning (photocatalytic) coatings. Results of phenol decomposition" at the surface of as-deposited films have shown that doping with terbium results in 50% increase of titanium dioxide activity.

2

Powłoki wielofunkcyjne na bazie nanokrystalicznego TiO2

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Mazur M., Baniewicz K., Prociów E., Mazur P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 1

10-12

PL

W ostatnich latach tlenki metali są bardzo intensywnie badane ze względu na ich liczne zalety. Artykuł przedstawia najważniejsze kierunki rozwoju nanokrystalicznych tlenków na bazie TiO₂. Zdefiniowane zostały podstawowe pojęcia takie jak np.: warstwa nanokrystaliczna, wielofunkcyjna oraz funkcjonalna. Dzięki zastosowaniu zmodyfikowanego procesu rozpylania magnetronowego zostały wytworzone cienkie warstwy tlenków o unikatowych właściwościach. Właściwości te są pożądane ze względu na ich zastosowanie: np. nanokrystaliczna struktura o rozmiarach krystalitów nawet poniżej 10 nm. W szczególności omówiono takie cechy nanokrystalicznych powłok na bazie TiO₂ jak np.: zwiększona twardość i odporność na ścieranie.

EN

In the recent years metallic oxides have been intensively studied due to their numerous advantages. The article presents the most important directions in development of nanocrystalline oxides based on TiO₂. The basic concepts which have been defined are: nanocrystalline, multifunctional and functional films. Due to the application of the modified magnetron sputtering process, the thin films of oxides with unique properties have been produced. These properties are desired because of their application e.g. the nanocrystalline structure of crystallite sizes even below 10 nm. The properties of nanocrystalline coatings, such as increased hardness and wear resistance have been particularly discussed.

3

Influence of annealing on surface properties and luminescence of nanocrystalline TiO2:Eu thin films

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Mazur M., Prociów E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

28-31

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wpływ wygrzewania na właściwości powierzchni oraz luminescencję cienkich warstw TiO2 domieszkowanych europem w ilości 0,1% at. Cienkie warstwy wytworzono metodą rozpylania magnetronowego i dodatkowo wygrzewano w temperaturze 400°C i 800°C. Badania właściwości strukturalnych, które wykonano metodami XRD, AFM i XPS pokazały, że domieszkowanie europem pozwala uzyskać nanokrystaliczne warstwy o strukturze typu TiO2-anatazu, które były stabilne nawet po wygrzewaniu w temperaturze 800°C. Aczkolwiek, niedomieszkowana matryca naniesiona w takich samych warunkach miała strukturę rutylu bezpośrednio po naniesieniu, co jest typowe dla procesu wysokoenergetycznego. W wypadku właściwości powierzchni badania pokazały, że wygrzewanie spowodowało wzrost wielkości krystalitów z około 18 do 28 nm. Oprócz tego, poziom adsorpcji powierzchniowej oraz intensywność fotoluminescencji zależał od rozmiaru krystalitów w warstwie TiO2:Eu. Stwierdzono, że krystality o wielkości około 22 nm są optymalne do uzyskania silnej PL oraz dużej adsorpcji powierzchniowej (grup OH2 oraz cząstek H2O).

EN

In this work influence of annealing on surface properties and luminescence of TiO2 thin films doped with 0.1 at.% of europium have been described. Thin films were manufactured by magnetron sputtering method and additionally annealed at 400°C and 800°C. Structural investigations with the aid of XRD, AFM and XPS method have shown that doping with europium results in receiving of nanocrystalline films with the TiO2-anatase structure, which was stable even after annealing at 800°C. Although undoped matrix as-deposited in the same conditions had rutile structure, which is typical for high energy sputtering process. In the case of surface properties the results of investigations have shown that annealing caused increase of crystallites size from about 18 to 28 nm. Moreover, the level of surface adsorption and the intensity of photoluminescence was dependent from the size of crystallites of TiO2:Eu. It was found that the crystallites in size of about 22 nm are optimal to obtain strong PL and high adsorption (of OH and H2O).

4

Electrical electrodes of Ni-Me (Me=Ag, Mo, Cu) on YBa2Cu3Ox surface

Woźny L., Kisiel A., Szeloch R.F., Prociów E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 6

102-104

EN

The quality of metallic electrodes affects the measured critical temperature Tc and critical current Ic of high-temperature ceramic superconductors. In this paper the YBa2Cu3Ox system with thin metallic film mono- and bi-layer conductors as a current and voltage electrodes is described. The influence of contact layer systems Ni-Cu, Ni-Ag and Ni-Mo on critical temperature and current density was examined. The simple model of physical phenomena in superconductor-metal interlayer has been presented.

PL

Jakość wykonania metalicznych elektrod ma istoty wpływ na mierzone wartości temperatury krytycznej Tc i prądu krytycznego Ic ceramicznych nadprzewodników wysokotemperaturowych. W pracy przedstawiono wyniki badań elektrod dwuwarstwowych. Elektrody te wykonano w celu poprawienia właściwości elektrod niklowych. Zastosowano rozpylanie magnetronowe z odpowiednich targetów w połączeniu z parowaniem próżniowym.

5

Photocatalytic properties of transparent TiO2 coatings doped with neodymium

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Mazur M., Morawski A. W., Janus M., Prociów E., Gemmellaro P.

Polish Journal of Chemical Technology

|

2012

|

Vol. 14, nr 3

1-7

EN

In this work photocatalytic properties of TiO2 thin fi lms doped with 8.51 at. % of Nd were described. The self-cleaning phenomenon of thin fi lms was discussed together with the structural, optical and surface properties of prepared thin fi lms. Transparent coatings based on titanium dioxide were manufactured by high-energy reactive magnetron sputtering process. Incorporation of Nd during sputtering process results in amorphous behavior, without a signifi cant infl uence on transparency and colour as compared to the undoped TiO2-rutile matrix. Nevertheless, doping with neodymium doubles the photocatalytic activity of the matrix due to higher quantity of photo-generated charge carriers and more effi cient mechanism of energy transfer.

6

Thermoelectrical, conductometrical and optical studies of gas sensing TiO₂ : (V, Ta) thin films

Prociów E., Mazur M., Domaradzki J., Wojcieszak D., Kaczmarek D., Sieradzka K., Franczyk Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 4

28-30

EN

For the purpose of this work TiO₂ : (V, Ta) thin films have been manufactured and characterized. Two types of performed measurements, that are conductometrical and thermoelectrical and differences between them have been especially discussed. Measurements of response and recovery times of Ti0₂ : (V, Ta) thin film gas sensor in the presence of isopropyl alcohol have been carried out. Optical properties, i.e. transparency and its changes in the presence of isopropanol have been also studied.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badania wytworzonych cienkich warstw TiO₂ : (V, Ta). Wykonano pomiary konduktometryczne oraz termoelektryczne badanych cienkich warstw i omówiono różnice między nimi. Wyznaczono czasy odpowiedzi oraz odtrucia gazoczułych cienkich warstw TiO₂ : (V, Ta) dla pobudzenia parami alkoholu izopropylowego. Badano również zmianę właściwości optycznych cienkich warstw w obecności izopropanolu.

7

Analiza właściwości cienkich warstw TiO₂:Tb jako powłok fotokatalitycznych

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Prociów E., Mazur M., Domanowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 7

105-106

PL

W pracy przedstawiono wpływ domieszkowania terbem na właściwości fotokatalityczne przezroczystych cienkich warstw TiO₂, które naniesiono metodą wysokoenergetycznego rozpylania magnetronowego. Badania właściwości strukturalnych ujawniły, że miały one jednorodną, gęsto upakowaną nanokrystaliczną strukturę typu rutylu. W wypadku warstwy TiO₂ : Tb zawierającej 2,6% at. domieszki uzyskano znacznie bardziej aktywną powierzchnię, co korzystnie wpłynęło na szybkość procesu dekompozycji fenolu. Efekt ten związany był m.in. z ulokowaniem aglomeratów Tb₂O₃ na powierzchni krystalitów TiO₂.

EN

In this work influence of TiO₂ doping with terbium on photocatalytic properties of transparent thin films, manufactured by magnetron sputtering have been outlined. Investigation of structural properties has revealed that films had homogenous, densely packed, nanocrystalline rutile structure. In case of TiO₂ : Tb thin film doped with 2.6 at.% much more active area of surface was received, what was profitably for the rate of phenol decomposition process. This effect was also connected with localization of Tb₂O₃ aggregates on the surface of TiO₂ nanocrystals.

8

Wpływ domieszkowania Tb na zwilżalność i wolną energię powierzchniową cienkich warstw TiO2

Wojcieszak D., Kaczmarek D., Domaradzki J., Prociów E., Placido F., Kavanagh J., Mazur M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

76-78

PL

W pracy przedstawiono wpływ domieszkowania terbem na zwilżalność i wolną energię powierzchniową cienkich warstw TiO2 . Nanokrystaliczne warstwy zostały wytworzone za pomocą wysokoenergetycznej metody rozpylania magnetronowego. Do analizy wybrano niedomieszkowaną warstwę TiO2 oraz warstwy domieszkowane terbem w ilości 0,4% at, 2% at i 2,6% at. Analiza wyników pokazała, że nanokrystaliczna matryca TiO2 miała właściwości hydrofilowe, a domieszkowanie terbem spowodowało uzyskanie warstw hydrofobowych. Na podstawie pomiarów kąta zwilżania określono wartości wolnej energii powierzchniowej oraz krytycznego napięcia powierzchniowego. Analiza wyników pokazała, że parametry te zależały w głównej mierze od struktury matrycy TiO2 i wielkości krystalitów w wytworzonych warstwach.

EN

In this work influence of terbium dopant on wettability and surface free energy of nanocrystalline TiO2 thin films have been presented. Thin films were manufactured by high energy reactive magnetron sputtering process. For analysis undoped TiO2 and TiO2 doped with 0.4% at., 2% at. and 2.6% at of Tb have been selected. Analysis of results has shown that nanocrystalline TiO2 matrix was hydrophilic, while doping with Tb results in hydrophobic films receiving. Based on contact angle measurements analysis surface free energy and critical surface tension was determined. Results have shown that those parameters were mainly dependent on the structure of TiO2 - matrix and crystallite sizes in manufactured samples.

9

Wpływ składu materiałowego na przewodnictwo elektryczne cienkich warstw otrzymanych na bazie TiO2

Prociów E., Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Berlicki T., Adamiak B., Sieradzka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

32-34

PL

Przedstawiono wpływ składników materiałowych na właściwości elektryczne cienkich warstw otrzymywanych na bazie TiO2. Wytwarzanie przepuszczalnych dla światła warstw o właściwościach półprzewodnikowych o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego, jest podstawowym wymaganiem przy realizacji przyrządów z przezroczystymi złączami. Do wytwarzania cienkich warstw tlenków zastosowano zmodyfikowaną metodę rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy były nakładane na podłoża szklane, w atmosferze czystego tlenu z metalicznych, mozaikowych targetów: Ti-Pd, Ti-Co-Pd i Ti-V-Pd. Z termoelektrycznych pomiarów d.c. elektrycznej rezystywności (ρ dc) w zakresie temperatur od 300 do 500 K określono: wartość współczynnika Seebecka (S) i energia aktywacji (Wρ) oraz. omówiono mechanizmy przewodnictwa elektrycznego, zachodzące w wytworzonych warstwach tlenkowych.

EN

In this work, influence of composition on electrical conduction type of doped TiO2 thin films has been presented. Fabrication of transparent oxide semiconductors (TOSs) with a desired type of electrical conduction is a fundamental requirement in the realization of junction based transparent devices. For manufacturing thin film oxides modified magnetron sputtering was used. Thin films were deposited in stable oxygen plasma onto glass substrates from metallic mosaic targets: Ti-Pd, Ti-Co-Pd and Ti-V-Pd. From thermoelectrical measurements the d.c. electrical resistivity (ρ dc) from 300 K to 500 K, values of Seebeck coefficient (S) and the activation energies (Wρ) were determined and mechanisms of electric conduction in prepared thin films were discussed.

10

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 12

49-50

EN

Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.

PL

Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).

11

Thermoelectric microgenerators made in mixed thick/thin film technology

Markowski P., Dziedzic A., Prociów E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

7-8

EN

This paper presents fabrication and investigations of mixed thick/thin film thermocouples based on PdAg/Ge:W:Sb. Seebeck coefficient a and electrical output power POUT were measured with the help of automatic measuring system. Achieved results was POUT = 0.7 µW/junction and a = 250 µV/K when temperature difference was about 110 K. This results are better than results presented in previous authors works.

PL

Zaprezentowano proces wytwarzania oraz badania termopar mieszanych cienko/grubowarstwowych, zbudowanych z materiałów PdAg/Ge:W:Sb. Za pomocą zautomatyzowanego systemu pomiarowego mierzono współczynnik Seebecka oraz generowaną moc wyjściową POUT. Przy różnicy temperatur pomiędzy gorącym a zimnym końcem termopary, wynoszącej 110 K, osiągnięto maksymalną moc wyjściową na poziomie 0,7 µW/złącze oraz współczynnik Seebecka 250 µV/ K. Oznacza to znaczną poprawę parametrów wytworzonych struktur w stosunku do prezentowanych we wcześniejszych pracach.

12

The thin film MoSi2 heaters under loading and thermal tests

Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Stelmasiński T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

29-31

EN

The thin films MoSi2 (0.9...1.8 µm thick) were investigated for thin film heater applications. The films were deposited on D263 Schott foil or Corning 7059 glass substrates at about 600 K using the magnetron sputter technique. For heating resistors the MeSi-Ag terminations (where Me: Ti, Ni) were used. It was observed that as-deposited MoSi2 films yield the resistivity p in the range of 1 ...1.8 mΩ⋅cm and temperature coefficient of resistance TCR between -1200 and -1600 ppm/K. During loading test the devices were loaded with various dc power 0.5, 1, 1.5 W up to 10 hours at ambient air. Periodically the resistance versus temperature characteristics in the temperature range of 300...500 K were measured to evaluate the both the reversible and non reversible changes in resistance and TCR values. However thermal test was performed in ambient air at 473 K during 200 h for preaged heaters. During thermal test the devices were loaded periodically with dc power about 0.1 W and the changes in film resistance with time were monitored and evaluated.

PL

Cienkie warstwy MoSi2 o grubości 0,9...1,8 µm badano jako cienkowarstwowe elementy grzejne. Warstwy osadzano na podłoża foliowe D263 firmy Schott lub szklane Corning 7059 o temperaturze ok. 600 K przy użyciu techniki rozpylania magnetronowego. Wyprowadzenia grzejników stanowiła dwuwarstwa MeSi-Ag, gdzie Me: Ti lub Ni. Zaobserwowano, że warstwy MoSi2 po napyleniu miały rezystywność p w zakresie 1...1.8 mΩ⋅cm oraz TWR ujemny w granicach (1200...1600)-10⁻⁶/K. Podczas testu obciążenia elementy obciążano mocą prądu stałego 0,5,1 i 1,5 W do 10 h w powietrzu. Do oceny zmian odwracalnych i nieodwracalnych rezystancji i TWR w czasie testu periodycznie mierzono charakterystyki rezystancyjno-temperaturowe w zakresie 300..500 K. Test temperaturowy przeprowadzano w atmosferze powietrza o temperaturze około 473 K w czasie 200 h dla wstępnie starzonych grzejników. Elementy obciążano mocą prądu stałego ok. 0,1 W i rejestrowano zmiany rezystancji w czasie.

13

Bi2O3 modification for use in varistors

Mielcarek W., Prociów E., Nowak-Woźny D.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

2003

|

Vol. 38, nr 13

311-316

EN

Varistor operating voltage is very close to working voltage of the protected device and are not allowed to change much with time. ZnO ceramics accesses varistor property during sintering, due to addition of small amount of Bi2O3 and other metal oxides by developing potential barriers at ZnO grain boundaries. The degradation occurs, among others because a decrease in barrier height is caused by migration of oxygen ions that exist in the intergranular layers. The initial varistor properties could be restored by annealing at about 400 grad C or by doping with PbO-B2O3 based glasses. An entirely new approaches how to prevent ZnO varistor from degradation consists in modifying Bi2O3 ionic conductivity by doping it with metal ions. Ionic conductivity of systems constituted with ZnO and metal ion doped Bi2O3 were measured. It was found out that doping Bi2O3 with metal ion is effective tool of hindering varistor degradation but varistor susceptibility for degradation is not strictly connected with the high ionic B12O3 conductivity.

14

Structural, optical and electrical characterization of Co-Pd doped TiO2 semiconducting thin films sputtered on silicon

Domaradzki J., Prociów E., Kaczmarek D., Berlicki T., Kudrawiec R., Misiewicz J., Mielcarek W.

Optica Applicata

|

2003

|

Vol. 33, nr 4

661-668

EN

The fundamental structural, electrical and optical properties of junction-based devices composed of semiconducting thin films of metal oxide on a semiconductor were examined. Thin films were deposited on silicon and silica substrates by hot target reactive magnetron sputtering process. During the deposition base TiO2 films were doped with Co, Pd transition metals. Electrical and optical beam induced current (OBIC) analysis confirmed the formation of a junction based on a semiconduting thin film of metal oxide–semiconductor interface

15

Matryce emiterów polowych typu MOLD wykonane z SiC

Dziuban J., Górecka-Drzazga A., Prociów E., Adydan M.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

1999

|

nr 7/8

17-20

16

Wpływ warunków wytwarzania na strukturę i własności termoelektryczne warstw Ge-Au.

Beensh-Marchwicka G., Mielcarek W., Prociów E.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

1998

|

Vol. 34, nr 10

141-144

PL

W niniejszej pracy opisano własności termoelektryczne i strukturę warstw germanowych otrzymanych w procesie rozpylania targetu dwuskładnikowego Ge-Au w układzie magnetronowym zasilanym impulsowo. Własności warstw analizowano jako funkcję domieszkowania złotem w ilości 2 i 5 %at oraz temperatury podłoża podczas kondensacji w zakresie 360-1040 K. Strukturę i skład fazowy warstw badano za pomocą dyfrakcji rentgenowskiej. Stwierdzono, że warstwy zawierają krystality obu faz: Ge o strukturze regularnej typu diamentu oraz Au o strukturze regularnej ściennie centrowanej. Współczynnik Seebecka i elektryczna konduktywność warstw rosły ze wzrostem temperatury podłoża podczas nanoszenia. Towarzyszył temu wzrost wymiarów krystalitów obu faz.

EN

The results of investigations concerning the structural and the thermoelectric properties of Ge-Au sputtered films under pulsed voltage operation of magnetron are described. The film properties are discussed as a function of doping with gold (2 and 5 at%)and the substrate temperature during deposition (360-1040 K). The structure and phase composition of the films were investigated by X-ray diffraction method. It has been found that almost all as-deposited films were policrystaline and contained crystallites of both Ge and Au phases. The Seeback coefficient and the electrical conductivity were observed to increase with increasing substrate temperature during sputtering. It was connected with the increase in the crystallite dimensions of both Ge and Au phases.