PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ utleniania na właściwości elektryczne TiN, (x = 0,9 i x =1,0)
Baś B., Ziemnicka M., Sobaś P., Stobierski L., Rękas M.
Materiały Ceramiczne
|
2009
|
T. 61, nr 3
182-185
PL
Metoda van der Pauwa została wykorzystana do określenia rezystywności elektrycznej ceramiki TiN i TiN0,9 w zakresie temperatur 300-1000 K. Stwierdzono, że w zależności od składu chemicznego pokazuje ona albo właściwości metaliczne albo półprzewodnikowe. Procesowi utleniania towarzyszą przejścia metal —> półprzewodnik (w przypadku TiN) i półprzewodnik --> metal (w przypadku TiN0,9).
EN
The van der Pauw method has been applied to determine electrical resistivity of TiN and TiN0.9 ceramics in the temperature range of 300-1000 K. It was found, that depending on Chemical composition materials show either metallic or semiconducting properties. Transitions metal --> semiconductor (for TiN) and semiconductor --> metal (case TiN0.9) accompany to the oxidation process.
2
Content available remote Właściwości elektryczne azotku tytanu TiN, (x = 1 i 0,9)
Baś B., Ziemnicka M., Sobaś P., Stobierski L., Rękas M.
Materiały Ceramiczne
|
2009
|
T. 61, nr 3
179-181
PL
Rezystywność elektryczna ceramiki TiN i TiN0,9 została zbadana w zakresie temperatur 300-673 K. Stwierdzono, że materiały te wykazują stabilne metaliczne właściwości elektryczne. Rezystywność zmienia się wraz z temperaturą zgodnie z teorią rozpraszania nośnika ładunku Bloch-Gruneisena. Efekt wodorowego odstępstwa od stechiometrii pozostaje w zgodności z regułą Matthienssena.
EN
Electrical resistivity of TiN and TiN0.9 ceramics has been studied in the temperature range of 300-673 K. It was found, that materials exhibit stable metallic electrical properties. Resistivity changes with temperature according to the Bloch-Gruneisen's charge carrier scattering theory. Effect of the nitrogen departure from nonstoichiometry remains in agreement with the Matthienssen's rule.
3
Photoresponse of Undoped and W-Doped TiO2
Radecka M., Sobaś P., Trenczek A., Rękas M.
Polish Journal of Chemistry
|
2004
|
Vol. 78 / nr 10
1925-1934
EN
Undoped andW-doped polycrystalline TiO2 were investigated. The kinetics of recombination processes has been studied. The flat band potential of TiO2 was determined (-0.11 V in respect to saturated calomel electrode, at pH = 7.8). Basing on the photocurrent experiments, the effect of Wconcentration on solar energy conversion efficiency was discussed. It was found, that addition ofWleads to an increase of solar-to-hydrogen energy efficiency. The maximum energy conversion efficiency has been observed for voltage bias ca 0.65 V. The highest energy conversion efficiency has been observed for TiO2 doped with 0.1 at % W.
4
Content available remote Nanocermet TiO₂:Au thin film electrodes for wet electrochemical solar cells
Radecka M., Gorzkowska-Sobaś A., Zakrzewska K., Sobaś P.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 1
53--56
EN
TiO₂:Au nanocermets and TiO₂ thin films covered with gold precipitates were obtained from RF reactive sputtering of mosaic Au:Ti or metallic Au targets. The influence of gold content, deposition temperature and post-deposition annealing on photoanodic behaviour and the structure of the obtained materials was examined by optical, structural and electrochemical measurements.
5
Transport properties of (Sn,Ti)O2 polycrystalline ceramics and thin films.
Radecka M., Rękas M., Sobaś P., Zakrzewska K.
Inżynieria Materiałowa
|
1998
|
R. XIX, nr 4
852-855
EN
Polycrystalline ceramics of (Sn,Ti)O2 were prepared by the impregnation of TiO2 with SnCl4 in the presence of NH3 aq. Rf reactive sputtering from Ti-Sn metallic target was used to deposit thin films. The re-equilibration kinetics were monitored by measuring dc electrical conductivity as a function of temperature, 850 K
6
Rf sputtered TiO2 thin films modified by WO3.
Sobaś P., Komornicki S., Radecka M., Zakrzewska K.
Inżynieria Materiałowa
|
1998
|
R. XIX, nr 4
856-859
EN
TiO2 thin films modified by WO3 were deposited by rf sputtering from Ti-W metallic target. Tungsten content, W(Ti+W) in TiO2-WO3 thin films was varied from 0 to 0.5. Anatase polymorphic form was obtained in films with relatively high tungsten atomic ratio. The optical transmission spectra of as-sputtered and annealed samples confirmed the transformation from amorphous to polycrystalline state. High level of diffused transmission (10%) in the vicinity of the fundamental absorption edge was observed for annealed samples.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.