PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Oceny eksploatacyjne związane z wymianą transformatorów blokowych w PGE Energia Odnawialna S.A. Oddział ZEW Porąbka Żar w Międzybrodziu Bialskim
Borecki H., Szatkowski J., Zych L.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 10
53-60
PL
Referat ocenia montaż, rozruch i eksploatację na stanowisku posadowienia w Elektrowni Szczytowo Pompowej Porąbka Żar transformatora blokowego TB3 156 MVA skojarzonego z transformatorem potrzeb własnych TB3P 6 MVA, oraz transformatora TB4 150 MVA. Zostały również opisane procedury rozruchowe i parametry osiągnięte podczas pracy bloku dla reżimu pompowego i generatorowego.
EN
This paper evaluates assembling, starting-up and operation of the power transformers TB3 156 MVA coupled together with smaller power station internal load transformer 6 MVA (named TB3P) and transformer TB3 150 MVA. Starting-up procedures and achieved parameters during generator and pump direction of rotation are pointed.
2
Zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora i szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora
Półtorak B., Szatkowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 5
79-84
PL
Miniaturyzacja układów scalonych powoduje pojawienie się zjawisk fizycznych, które mogą powodować uszkodzenia układów. Zjawiskiem takim jest szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora. Zjawisko to do tej pory nie było opisywane w literaturze polskojęzycznej, dlatego będzie tutaj przybliżone zaczynając od wytłumaczenia zatrzaskiwania się układów (Latch-up) wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników, a następnie zostanie wytłumaczone szybkiego zatrzaskiwania się pasożytniczego tyrystora wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników. Opisane będą również impulsy wywołujące zjawisko zatrzaskiwania się pasożytniczych tyrystorów.
EN
Miniaturization of Integrated Circuits is a source of physical effects that can cause damages inside operating IC.. One example of such a phenomena is transient latch-up. This phenomena was not described in polish language literature and wil be described in in this paper. We will start from explaining internal and external latch-up effect where positive and negative injection will be considered. In the next steps internal and external transient latch-up phenomena will be described where positive and negative injection will be considered.
3
Content available remote Evidence for metastable behavior of Ga-doped CdTe
Płaczek-Popko E., Gumienny Z., Trzmiel J., Szatkowski J.
Optica Applicata
|
2008
|
Vol. 38, nr 3
559-565
EN
In this paper, we report for the first time on persistent photoeffects in gallium doped CdTe. Persistent photoconductivity and photoinduced persistent absorption were observed at 77 K. Both effects quenched above 120 K. The photoeffects have been attributed to the metastable behavior of gallium in CdTe.
4
Wyładowania elektrostatyczne w układach scalonych: modele ESD i powodowane zniszczenia
Półtorak B., Domański K., Szatkowski J., Bała W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 3
47-49
PL
Przedstawiono zagrożenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (Electrostatic Discharge ESD) w nowoczesnych układach scalonych wykonywanych w technologii CMOS oraz metodologię ich charakteryzowania i kwalifikację. Podano przykłady konkretnych rozwiązań konstrukcyjnych.
EN
The aim of the paper is to provide ESD models and to describe the dangers of Electrostatic Discharges (ESD) in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
5
Metody zabezpieczania układów CMOS o wysokiej skali integracji przed wyładowaniami elektrostatycznymi ESD
Półtorak B., Domański K., Szatkowski J., Bała W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 6
46-49
PL
Przedstawiono budowę, działanie, sposób charakteryzacji i rozwiązania konstrukcyjne układów zabezpieczających przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) układów scalonych wykonywanych w technologii CMOS.
EN
The aim of the paper is to provide the structure, functioning and ways of measuring the Electrostatic Discharges (ESD) elements in integrated circuits (IC) manufactured in the modern sub-µ CMOS technology.
6
Content available remote Dostawy środków strzałowych jako nowoczesny wachlarz usług w warunkach kopalni Rogoźnica wraz z analizą korzyści techniczno-organizacyjnych
Gołąbek B., Kasperski J., Ogórek M., Szatkowski J.
Górnictwo i Geoinżynieria
|
2004
|
R. 28, z. 3/1
129-136
PL
Proces zmian zachodzący w ostatnich latach w kopalniach odkrywkowych jest zauważalny również w dziedzinie dostaw środków strzałowych. Tradycyjny, funkcjonujący od wielu lat model kupowania środków strzałowych i samodzielne ich zużywanie uzupełniono o doradztwo techniczne. Autorzy, z pozycji przedsiębiorcy górniczego i podmiotu zawodowego trudniącego się wykonywaniem robót strzałowych, będącego jednocześnie producentem MW, zaprezentują elementy, o jakie zostały wzbogacone dostawy MW i osiągnięte w ten sposób korzyści.
EN
The changes that have been recently evolving in quarries may be noticed also in case of the explosives' supply. The traditional scheme that has worked for many years in which customer purchases the explosives and then uses them on his own was enhanced with technical support. The authors, being both mining entrepreneurs and professionals and manufacturers of explosives, present the features that the supplies of the explosives have been enhanced by and describe the thus obtained returns.
7
Nanoszenie cienkich warstw węgla amorficznego za pomocą elektrolizy metanolu i etanolu na podłoże krzemu
Szatkowski J.
Karbo
|
2002
|
Nr 10
284-286
PL
Zaprezentowano wyniki pomiarów spektroskopii Ramana i elektronowej mikroskopii skaningowej warstw węgla amorficznego otrzymanego metodą elektrolizy ciekłego metanolu i etanolu na podłożu krzemowym. Z pomiarów tych wynika, że otrzymane warstwy węgla amorficznego charakteryzują się obszarami, w których występują atomy węgla o hy-brydyzacji sp(3), o czym świadczy sygnał w widmie Ramana w okolicy 1332 cm(-1).
EN
Results of measurements have been presented of Raman spectroscopy and SEM of thin films of amorphous carbon produced by electrolysis methanol and ethanol on silicone substrates. It can be seen from results, that in thin films of amorphous carbon make-up characterisation of including regions with sp(3) hybridisation of carbon atoms. The evidence of this is signal of Raman spectroscopy near 1332 cm(-1).
8
EPR jako użyteczne narzędzie do badania struktury elektronowej cienkich warstw węgla amorficznego
Marciniak W., Rozpłoch F., Szatkowski J.
Karbo
|
2000
|
Nr 4-5
129-131
PL
Pokazano możliwość wykorzystania metody spektroskopii EPR w badaniach strukturalnych cienkich warstw n-C:H. Służy do tego analiza kształtu linii EPR, wielkość czynnika g oraz czas relaksacji w korelacji z szerokością linii AB. Na podstawie tej analizy przedstawiono możliwe źródła paramagnctyzmu badanych struktur.
EN
The authors show the possibility of using the EPR spcctroscopy method in structural investigations of a-C: H film layers. The analysis of EPR line shape serves the purpose, magnitude of g factor and relaxation time in correlation with the width of AB line width. On the basis of this analysis possible sources were presented of paramagnctism of the investigated structures.
9
Content available remote Study of Zn1-xMgxSe and Zn1-xBexSe semiconducting crystals by Raman scattering
Szybowicz M., Kozielski M., Firszt F., Łęgowski S., Męczyńska H., Szatkowski J., Paszkowicz W.
Opto-Electronics Review
|
1999
|
Vol. 7, No. 2
103-106
EN
Wide gap II-VI mixed crystals containing Mg and Be are recently studied extensively for their application in constructing blue-green laser diodes. This work deals with experimental study of optical modes in Zn1-xMgxSe and Zn1-xBexSe semiconductors using Raman scattering method. Measurements have been performed at room and liquid nitrogen temperatures for Zn1-xMgxSe crystals with Mg content in the range 0 < x < 0,34 and for Zn1-xBexSe with Be content in the range 0 < x 0,26. From polarised Raman spectra the longitudinal (LO) and the transverse (TO) optical mode, corresponding to ZnSe- and MgSe - like modes in Zn1-x MgxSe and to ZnSe- and BeSe - like modes in Zn1-xBexSe, were determined. These lattice vibrations can be described by the modified random element isodisplacement (MREI) model.
10
Content available remote Photoluminescence and structural properties of selected wide-gap II-VI solid solutions.
Firszt F., Łęgowski S., Męczyńska H., Sekulska B., Szatkowski J., Paszkowicz W., Marczak M.
Opto-Electronics Review
|
1999
|
Vol. 7, No. 2
87-92
EN
This work presents results of investigations of photoluminescence and structural properties of ternary Zn₁-xBexSe, Cd₁-xMgxSe, Zn₁-xMgxSe and quaternary Cd₁-x-yMgxZnySe, Zn₁-x-yBexMgySe, Zn₁-xMgxSe₁-ySy mixed crystals. These crystals were grown from the melt by the high-pressure Bridgman method. Zn₁-xMgxSe and Zn₁-xSrxSe were also obtained by annealing of ZnSe crystals in evacuated quartz ampoules containing Mg or Sr metal. It has been found that admixing of Mg into ZnSe favours the formation of wurtzite Zn₁-xMgxSe while Besphalerite Zn₁-xBexSe structures. Low temperature (40 K) photoluminescence spectra consist of exciton, edge and deep levels emission bands. For most of investigated crystals the emission corresponding to the highest photon energy line in luminescence spectrum is observed up to room temperature.
11
Structure of bulk ZnSe based solid solutions containing Mg and Be
Paszkowicz W., Dłużewski P., Spolnik Z., Godwod K., Domagała J., Firszt F., Sekulska B., Szatkowski J.
Electron Technology
|
1998
|
Vol. 31, No. 2
208-212
EN
Structural properties, defects and exciton transition energy of bulk Zn₁-xMgxSe, 0 ≤ x ≤ 0.63, and Zn₁-xBexSe, 0 ≤ x ≤ 0.18, crystals are briefly reported. Zn₁-xMgxSe crystallises in the sphalerite strucrure type for low x and in the wurtzite one for hight x, while at x about 0.18, 4H and 8H polytypes may be formed. Zn₁-xBexSe crystallises in the sphalerite type in the studied composition range. An increase of microhardness in Zn0.82Be0.18 by the factor 2.37 in relation to ZnSe is observed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.