Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Formation of molecular ion beams for ion implantation purposes

Kiszczak K., Turek M., Mączka D., Słowiński B., Zubrzycki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

22-25

EN

A phenomenological model describing the generation of molecular ions in a plasma ion source is proposed. An analysis of experimental data within the framework of the proposed model is carried out.

PL

W artykule omówiony jest fenomenologiczny model opisujący powstawanie jonów molekularnych w plazmowym źródle jonów. Przedstawiono także analizę danych eksperymentalnych w ramach zaprezentowanego modelu.

2

Właściwości warstw miedzi domieszkowanych atomami złota i niklu wytwarzanych metodą dynamicznego mieszania jonowego

Karwat Cz., Kiszczak K., Kozak Cz., Żukowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 7

11-13

PL

W pracy przedstawiono nową metodę modyfikowania techniką mieszania jonowego warstw wierzchnich materiałów stosowanych do wytwarzania styków wyłączników aparaturowych. Metodą tą wytworzono warstwy miedzi domieszkowane atomami złota i niklu z jednoczesną implantacją jonów N2+ o energii 50 oraz 95 keV i dawkami w zakresie 5 x 1016 ÷ 5 x 1017 jonów/cm2. Zamieszczono opis i podstawowe charakterystyki pracy stosowanego stanowiska badawczego oraz przedstawiono wyniki badań wybranych właściwości zmodyfikowanych warstw.

EN

The paper presents a new method that consists in an application of the dynamic ion mixing technique to the modification of surface layers of materials used to produce contacts in switches. The method has been applied to produce copper surfaces doped with atoms of gold and nickel with simultaneous implantation of N2+ ions of 50 kV and 95 kV of energy with doses within the range of 5 x 1016 ÷ 5 x 1017 ions/cm2. A description and basic operation characteristics of the research stand have been presented together with the obtained test results concerning chemical composition and microhardness of the modified layers.

3

Cold hollow cathode ion source

Kiszczak K.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 2

137-142

EN

This paper presents a description of the construction and the basic exploitation characteristics of a glow ion source with a hollow cathode [1,2], adapted for colaboration with a laboratory implantator of ions. The aparatus generates ion beams of gas elements at up to 3 mA of a high purity, which allows for ion implantation without a magnetic analyser. Good stability and reliability of the operation and a simple construction of both the instrument itself and the supply systems make possible its installation in various technological conditions utilizing ion beams.

PL

W pracy opisana jest budowa oraz podstawowe charakterystyki eksploatacyjne jarzeniowego źródła jonów z wnękową katodą, dostosowanego do współpracy z laboratoryjnym implantatorem jonów. Przyrząd generuje wiązki jonowe pierwiastków gazowych o natężeniu rzędu miliamperów o wysokiej czystości, co pozwala na prowadzenie implantacji bez analizatora magnetycznego. Wysoka, długoczasowa stabilność i niezawodność działania przy jednoczesnej prostocie konstrukcji samego urządzenia, jak i układów zasilających, daje możliwość instalowania go w różnorodnych stanowiskach technologicznych, wykorzystujących wiązki jonowe.