Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ wygrzewania na nanokrystaliczne cienkie warstwy na bazie TiO₂ na przykładzie TiO₂:Nd

Mazur M., Wojcieszak D., Sieradzka K., Kaczmarek D., Domaradzki J., Prociów E. L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

16-18

PL

W artykule przedstawiono wyniki badania wpływu wygrzewania na właściwości strukturalne oraz właściwości powierzchni nanokrystalicznych cienkich warstw TiO₂ domieszkowanych neodymem (0,84% at.). Cienkie warstwy TiO₂:Nd wytworzono zmodyfikowaną metodą rozpylania magnetronowego i bezpośrednio po naniesieniu miały one strukturę amorficzną. Wygrzewanie w 800°C spowodowało rekrystalizację struktury w anataz o wielkości krystalitów równych 6 nm. Mikroskopia sił atomowych potwierdziła nanokrystaliczność badanych cienkich warstw.

EN

In this paper results of annealing influence on structural and surface properties of nanocrystalline TiO₂:Nd (0.84 at.%) thin films have been shown. Thin films have been deposited using modified magnetron sputtering process. As-deposited TiO₂:Nd thin films revealed amorphous structure. Additional annealing at 800°C caused the appearance of anatase phase with crystallites size of 6 nm. Atomic force microscopy confirmed nanoery-stallinity of investigated thin films.

2

Właściwości cienkowarstwowych, przezroczystych półprzewodników o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego do zastosowań w transparentnej elektronice

Sieradzka K., Mazur M., Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociów E. L., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

18-20

PL

W niniejszej pracy przedstawiono możliwości wytwarzania nanokrystalicznych, przezroczystych cienkich warstw tlenków na bazie TiO₂ o właściwościach półprzewodnikowych. Tlenki wytwarzano za pomocą dwóch zmodyfikowanych metod rozpylania magnetronowego. Na podstawie pomiarów właściwości optycznych i elektrycznych pokazano, że uzyskanie tego typu materiałów jest trudne i wymaga kompromisu między jednocześnie dobrą przezroczystością, a dużym przewodnictwem elektrycznym. Stwierdzono, że domieszkowanie cienkich warstw TiO₂ stwarza możliwość wytwarzania półprzewodników o zarówno elektronowym, jak i dziurawym typie przewodnictwa elektrycznego.

EN

In this work the preparation of nanocrystalline, transparent and semiconducting thin films based on TiO₂ has been presented. The thin films of TOS oxides were deposited by using two different and modified magnetron sputtering methods. On the basis of opticat and electrical measurements it was shown that preparation of such materials is difficult and requires a suitable compromise between good optical and good electrical properties. It has been found that by doping of TiO₂ created a possibility to produce the oxide semiconductors both with electron and hole type of electrical conduction.

3

Strukturalne i optyczne właściwości cienkich warstw tlenków tytanu modyfikowanych przez domieszkowanie hafnem

Domaradzki J., Prociów E. L., Kaczmarek D., Mulak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

24-25

PL

Cienkie warstwy tlenków na bazie Ti-Hf nanoszono na podłoża szklane i szafirowe w procesie rozpylania magnetronowego z reaktywną atmosferą tlenową. Na podstawie badań optycznych wyznaczono zależność szerokości optycznej przerwy zabronionej w funkcji wzajemnej zawartości tytanu i hafnu.

EN

Ti-Hf metal oxide films were deposited on heated glass and sapphire substrates by magnetron sputtering process with reactive atmosphere of oxygen. On the basis of optical measurements the optical band-gap versus Ti/Hf ratio has been estimated.