Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Students’ view of Quantum Information Technologies, part 4

Kowalczyk Maciej, Wardzyńska Urszula, Borkowska Ewelina, Klekowiecka Karina, Kłodnicki Mateusz, Kuzmich Siarhei, Łuszczyński Rafał, Mańka Filip, Żarnovsky Tomasz, Hacaś Kinga, Romaniuk Ryszard S

International Journal of Electronics and Telecommunications

2025

Vol. 71, No. 1

215-224

Students attending the lecture on quantum information technology are mostly at the level of completing their master’s theses in the disciplines of AEEiTK or ITT. The task is to write a short essay by each student on the hypothetical addition of a narrowly applicable QIT layer to the actual implementation of the thesis, if possible. In most cases, this is possible because QITs cover a very wide range of potential technical applications. Where this is not possible, or in the case of an undefined thesis topic, students should write a more general essay or write their personal opinion on what they think about the future of QIT. The current article is another part of a series of works on this topic with subsequent student groups.

Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use

Bąba Sebastian, Palesa Grzegorz, Wiśniewski Jarosław, Mańka Filip

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 5

31--37

Despite being discussed in multiple papers, practical implementation of TSEP-based junction temperature measurement method for SiC MOSFETs causes significant challenges, especially when used in real-life power converters. Challenges which are not usually considered in conference nor journal pares are related to applicability, repeatability and accuracy, especially in comparison to other well-established techniques. To fill this gap in the state of the art, various test routines for junction temperature estimation based on SiC MOSFET on-state channel resistance measurement were compared.

Pomimo omawiania tematu pomiaru temperatury złącza tranzystorów SiC MOSFET w oparciu o ich parametry elektryczne w wielu artykułach, pomiar ten dalej nastręcza wielu trudności - w szczególności przy wykorzystaniu w rzeczywistych przekształtnikach energoelektronicznych. Wyzwania, które z reguły są pomijane w artykułach badawczych dotyczą wykonywalności, powtarzalności i dokładności pomiaru, w szczególności przy porównianiu do innych dobrze znanych metod pomiaru. Aby wypełnić tę lukę, porównano różne sposoby estymacji temperatury złącza w oparciu o pomiar rezystancji kanału tranzystora SiC MOSFET.