Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The electrical-generating structure based on NiPc in ammonia medium

Hotra Z., Volynyuk D., Bakhmatyuk B., Kostiv N., Voznyak L.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2010

|

Z. 247

5-11

EN

In this work we presented a result of structural and electrophisical investigation of electrical-generating barrier structure based on organic semiconductor NiPc. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al under the influence of ammonia vapors and was revealed the current and conductivity increase of structure in ammonia medium. Also we modeled impedance characteristics using the Constant Phase Element CPE what shows that the change in resistance occurs as a result of a chemical interaction.

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących strukturalnych elektrofizycznych własności bariery generującej napięcie elektryczne opartej na półprzewodniku organicznym NiPc. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowa i impedancyjna struktur ITO/NiPc/Al umieszczonych w amoniaku. Wykazano, że dzięki zastosowaniu amoniaku, wzrasta natężenie prądu i konduktywność całej struktury. W dalszej części zamodelowano charakterystykę impedancyjną używając elementów o stałej fazie (ang. CPE), co udowodniło, że zmiany rezystancji pojawiają się w wyniku reakcji chemicznej.

2

Iprovements OLED operation due to using additional layers

Hotra Z., Volynyuk D., Voznyak L., Kostiv N.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2010

|

Z. 247

19-24

EN

In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.

PL

W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.

3

Optical properties of vacuum deposited poly(o-toluidine) films in integral and fibre optics to use

Horta Z., Stakhira P., Cherpak V., Kremer I., Volynyuk D., Skoczylas M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

235-236

EN

The condition influence was studiem of thin poly (o-toluidine) (POTI) thermovacuum deposition on its optical properties. The correlation between deposition temperature, optical anisotropy and refractive index of deposited films was estimated also.

PL

Przeanalizowano wpływ parametrów technologicznych osadzania cienkich warstw poli-toluidynowych w procesie rozpylania próżniowego na ich własności optyczne. Wyznaczono wzajemną korelację pomiędzy temperaturą rozpylania, anizotropii optycznej a współczynnikiem załamania.

4

Formation of thin polyaniline films by means of ionic sputtering in crossed electromagnetic field

Hotra Z., Stakhira P., Shandra Z., Cherpak V., Kremer I., Volynyuk D., Skoczylas M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 6

184-185

EN

The technological condition for polyaniline thin films deposition by me ans of ionic sputtering in argon atmosphere is considered. As result polyaniline films of conductive emeraldine form was obtained.

PL

W artykule przeanalizowano uwarunkowania technologiczne osadzania cienkich warstw polianiliny metodą rozpylania jonowego. W rezultacie otrzymano warstwy polianiliny w postaci przewodzącej emeraldyny.