PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Carrying capacity of strengthened reinforced elements on action of bending moments
Mazurak A., Kovalyk I.
ECONTECHMOD : An International Quarterly Journal on Economics of Technology and Modelling Processes
|
2016
|
Vol. 5, No 3
197--204
EN
The article proposes methods of calculation of carrying capacity of strengthened reinforced elements on action of bending moments. Basing on the experimental research, we have carried out analysis of calculated data with the investigated results.
2
Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału
Mazurak A., Walczak J., Majkusiak B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 2
40-43
PL
W pracy przedstawiamy model struktury tunelowej MOS z podwójną barierą potencjału (DB) i wyniki symulacji jej charakterystyk prądowo- napięciowych. Przedstawiamy dyskusję wpływu rozpraszania nośników w obszarze studni potencjału na mechanizm tunelowego transportu przez strukturę.
EN
In the paper, a theoretical model of the double barrier (DB) MOS tunnel structure and results of simulations of its current-voltage characteristics are presented. An impact of scattering in the well region on the tunneling transport mechanism through the structure is discussed.
3
Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current
Mazurak A., Majkusiak B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
33-35
EN
Two approaches towards charge trap modeling are presented in the work a charge trap is modeled as a quantum well. The transfer matrix method with inclusion of carrier scattering in the well is used for the tunneling probability calculation. The influence of scattering rate in the well and spatial location of the well in the insulator layer is studied.Then the effect of space distribution of oxide traps on the tunnel current is investigated. Simulated current-voltage characteristics for the two cases are presented and the effect of charge trapping on the tunneling process is discussed.
PL
Przedstawiono dwa sposoby modelowania wpływu pułapkowania ładunku na prąd tunelowy. Aktywna elektrycznie pułapka wewnątrz stosu bramkowego jest reprezentowana przez studnię kwantową. Prawdopodobieństwo tunelowania obliczane jest z wykorzystaniem metody macierzy przejścia, uwzględniając rozpraszanie nośników wewnątrz studni kwantowej. Zaprezentowano wpływ stałej czasowej rozpraszania, geometrycznego położenia studni potencjału oraz dystrybucji przestrzennej centrów pułapkowych na prąd tunelowy. W pracy przedstawiono wyniki symulacji charakterystyk prądowo-napięciowych oraz dyskusję wpływu pułapkowania nośników na proces tunelowania.
4
Content available remote Estimation of joined operation of shotcrete layer with the surface of concrete and reinforced constructions
Mazurak A., Mazurak O., Sanytsky M.
Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym
|
2010
|
nr (7)
211--216
EN
The article describes factors influencing the joined operation of repair surface and shotcrete layer on the basis of analytical view of literature and practical use. The authors investigate influence of the process of concrete surface preparation on the operation of multilayer constructions while using shotcrete. Methodology of research of durability shotcrete layer cohesion with the surface (adhesion), strength of old and shotcrete for stretch is described. The article reveals a set of factors influencing durability characteristics of shotcrete cohesion: durability of old and new concrete; rustle of concrete surface; use of concrete modifiers; use of polymeric layers between concrete surfaces; influence of temperature on the process of shotcrete laying.
5
Materiały o dużej stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS
Mazurak A., Walczak J., Majkusiak B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 9
96-102
PL
W artykule przedstawiono alternatywne dla SiO2 materiały dielektryka bramkowego tranzystora MOS. Omówiono kryteria selekcji materiałów o dużej stałej dielektrycznej (high-K). Zaproponowano tunelową grubość tlenku TOT materiału o dużej stałej dielektrycznej jako miarę redukcji prądu tunelowego dla określonej równoważnej grubości tlenku EOT. Zaprezentowano wyniki symulacji tunelowego prądu elektronów w strukturach zawierających różne warstwy dielektryczne high-K i ultracienką przypowierzchniową warstwę SiO2.
EN
Insulator materials, which are alternative for silicon dioxide as a gate insulator in a MOS transistor, are presented. Selection criteria for high-K dielectrics are discussed. Results of simulation of the electron tunnel current for gate stacks of different high-K dielectric constants and with a SiO2 interfacial layer are presented. The tunnel oxide thickness TOT of a high-K layer can be a measure of the possibility of reduction of the tunnel current for an assumed equivalent oxide thickness EOT.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.