PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 15 Optica Applicata
  2. 8 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  3. 8 Materials Science Poland
  4. 3 Opto-Electronics Review
  5. 2 Przegląd Elektrotechniczny
Więcej...
Autorzy help
  1. 41 Paszkiewicz R.
  2. 27 Tłaczała M.
  3. 21 Paszkiewicz B.
  4. 15 Szyszka A.
  5. 9 Wośko M.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2018
  2. 1 2017
  3. 2 2016
  4. 1 2015
  5. 5 2013
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 43

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
1
Content available remote Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą
Szyszka A., Paszkiewicz R, Szymański T., Tłaczała M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
21--24
PL
W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.
EN
In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.
2
Content available remote Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej
Szyszka A., Szymański T., Tłaczała M., Wośko M., Paszkiewicz R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
58--60
PL
Znaczne niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną, a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności właściwości półprzewodnika. W prezentowanej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości AlGaN/GaN osadzanych na podłożu krzemowym techniką MOCVD została wykorzystana technika skaningowej mikroskopii pojemnościowej. Z analizy dwuwymiarowych map sygnału SCM oraz widm dC/dVAmp =f(VDC) w różnych obszarach powierzchni próbki wynika, że ujemny ładunek zgromadzony na dyslokacjach wstępujących w warstwach epitaksjalnych wpływa na właściwości powierzchni, lecz może nie mieć zdecydowanego wpływu na powstawanie dwuwymiarowego gazu elektronowego na interfejsie AlGaN/GaN.
EN
Large mismatch of lattice constants and thermal expansion coefficients between materials in AlGaN/GaN/Si heterostructures lead to high density of structural defects and material inhomogeneities in layers. In the presented work, local electronic properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures are investigated using scanning capacitance microscopy. Analysis of two dimensional images of SCM signal and dC/dVAmp =f(VDC) spectrum allowed to conclude that negative charge accumulated at dislocations in epitaxial layers could affect the surface electronic state of the structure but might not have major impact on two dimensional electron gas formation at the AlGaN/GaN interface.
3
Content available Improvement of the electron beam lithography contact pads fabrication process
Indykiewicz K., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B.
Optica Applicata
|
2016
|
Vol. 46, nr 2
249--254
EN
In the paper, the verification of using the electron beam lithography technique as a main lithography tool for device fabrication is presented. The results of conducted experiments allow us to minimize the exposition time of big areas and retain acceptable metallic structures resolution and designed distances for structures in the neighborhood of a few micrometers. Conducted statistical analysis allows us to define the significance of the selected factors influence on the objectives of this study.
4
Content available remote Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers
Szyszka A., Obłąk M., Szymański T., Wośko M., Dawidowski W., Paszkiewicz R.
Materials Science Poland
|
2016
|
Vol. 34, No. 4
845--850
EN
The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.
5
Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN
Dobrzański L., Caban P., Kowalik A., Podgórski J., Rudziński M., Góra K., Jagoda A., Stańczyk B., Wojnowski D., Kozłowski A., Przyborowska K., Lewandowski A., Wiatr W., Paszkiewicz R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 6
6-9
PL
Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.
EN
We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.
6
Content available Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Wosko M, Paszkiewicz B, Paszkiewicz R, Tlaczala M
Optica Applicata
|
2013
|
Vol. 43, nr 1
61--66
EN
AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
7
Content available Podjęliśmy odważne decyzje i konsekwentnie realizujemy nasz plan
Miciak J., Paszkiewicz R.
Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
|
2013
|
Nr 6
12--15
PL
Rozmowa z Remigiuszem Paszkiewiczem, prezesem zarządu PKP Polskie Linie Kolejowe SA.
EN
PLK are currently managing an investment portfolio worth over PLN 30 billion. With those investments, the passengers will finally notice the changes on the railway. If there are no acts of God (such as floods), we will complete all projects and utilise nearly 100% of allocated subsidies.
8
Content available remote Stability of ZnO nanofibers in processing liquid agents
Stafiniak A., Boratyński B., Fronc K., Elbaum D., Paszkiewicz R., Tłaczała M., Baranowska-Korczyc A.
Materials Science Poland
|
2013
|
Vol. 31, No. 3
312--317
EN
The aim of the research was to determine the impact of developers, removers and solvents on the stability of ZnO nanofibers. Surface imaging of nanofiber morphology was studied using Scanning Electron Microscope. From the obtained results a set of factors which have the least influence on the etching of ZnO nanofibers during device processing was selected. The dependence of the grains size on the fibers robustness in the liquid solutions was investigated. It was found that the nanofibers calcinated at higher temperatures were more stable. This was due to the grain size of the fiber as the fibers calcinated at higher temperatures revealed larger grain size. The studies have shown that smaller grains were dissolved much faster, leaving the porous core of the ZnO nanofiber.
9
Content available remote Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO2-GaAs structure based on DLTS measurements
Kochowski S., Drewniak Ł., Nitsch K., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B.
Materials Science Poland
|
2013
|
Vol. 31, No. 3
446--453
EN
In this paper MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti–SiO2–GaAs has been analyzed by a comparison of the results obtained from admittance and DLTS spectroscopy. Two groups of peaks with different magnitude and different gate voltage dependence have been observed in DLTS and admittance spectra. Based on the analysis of the peaks behavior, it has been concluded that they are associated with the response of bulk traps and interface states, respectively. In order to characterize bulk traps and interface states responsible for the occurrence of two groups of peaks in normalized conductance spectra we have used the equivalent circuit with two CPE-R branches. The time constant values estimated for both peaks from admittance analysis have been compared with the time constant determined from DLTS analysis. Some discrepancies have been noted between the time constants obtained for interface states whereas the time constants for bulk traps were compatible. It has been also demonstrated that when conductance peaks overlap, the admittance experimental data can be fitted by the equivalent electrical model with only one CPE-R branch. However, in this case incomplete information about the analyzed process has been obtained despite the fact that all model validity criteria can be fulfilled and the model seems to be correct.
10
Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts
Głowacki P., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
108-110
EN
The paper describes alternative method to improve adhesion of platinum thin layer to AlGaN/GaN heterostructures. Our approach was to use low temperature annealing before and during deposition process. The main goal was to observe if such treatment can provide better quality of Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures.
PL
Artykuł opisuje alternatywną metodę poprawy adhezji cienkich warstw platynowych do heterostruktur utworzonych na azotku galu. Zastosowano niskotemperaturowe wygrzewanie przed i w trakcie procesu osadzania. Głównym celem było sprawdzenie, czy takie potraktowanie próbki może zapewnić lepszą jakość kontaktów Schottky’ego do heterostruktur AlGaN/GaN.
11
Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych
Szyszka A., Macherzyński W., Prażmowska J., Wośko M., Stafiniak A., Gryglewicz J., Ramiączek-Krasowska M., Paszkiewicz B., Jankowski B., Ściana B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 2
55-58
PL
W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania zostały przeprowadzone metodami Skaningowej Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego SSPM (ang. Scanning Surface Potential Microscopy), Skaningowej Mikroskopii Rezystancji Rozproszonej SSRM (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy) oraz obrazowania fazowego.
EN
In this work characterization results of MSM (metal-semiconductor-metal) and resistive detectors fabricated in gallium nitride layers, GaN based unipolar transistors, thin catalytic metal layers, AlAs/AIGaAs/GaAs heterostructures and silicon carbide surface by various techniques of atomic force microscopy are presented. The examinations were performed by Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM), Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) and in phase imaging mode.
12
Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT
Paszkiewicz B., Wośko M., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 2
58-60
PL
Azotki są doskonałymi materiałami do wytwarzania szeregu elementów. W WEMIF PWr prowadzono badania nad zastosowaniem heterostruktur AlGaN do wytwarzania tranzystorów mikrofalowych, biosensorów i czujników gazów. W artykule przedstawiono charakterystyki tranzystorowych czujników wodoru typu AlGaN/GaN FAT-HEMT {FAT-High Electron Mobility Transistors) z bramką katalityczną Pt. Pokazano, że tego typu czujniki mogą być stosowane do detekcji wodoru w szerokim zakresie koncentracji od 0,1 ppm do 10000 ppm.
EN
Nitrides are attractive materials for numerous devices applications. The researches were carried out at WEMiF WrUT devoted to application of AlGaN/GaN heterostructures for fabrication of microwave HEMT transistors, biosensors and gas sensors. The article presents the hydrogen sensing characteristics of FAT-type AlGaN/GaN HEMT with catalytic Pd electrode. It was shown that FAT type Pt/AIGaN/GaN HEMTs have the ability to detect hydrogen in wide range of hydrogen concentration from 0.1 ppm to 10000 ppm.
13
Content available Automatyzacja procesu skanowania na podstawie danych pozyskanych z pomiarów fotogrametrycznych
Kowalski M., Kowalski M., Paszkiewicz R., Kuczko W., Wichniarek R., Zawadzki P.
Postępy Nauki i Techniki
|
2011
|
nr 7
109-119
PL
W pracy przedstawiona jest ogólna koncepcja automatyzacji procesu skanowania 3d wykorzystującego technologię projekcji światła strukturalnego. Danymi wejściowymi jest reprezentująca badany obiekt chmura punktów, pozyskana w wyniku pomiarów fotogrametrycznych. Uzyskany w ten sposób model jest analizowany przez specjalnie przygotowaną aplikację, w wyniku czego automatycznie wyznaczone zostają poszczególne pozycje robota przemysłowego z zamontowanym skanerem. Praca zawiera wyniki pomiarów fragmentu karoserii samochodu osobowego z wykorzystaniem skanera Atos, systemu fotogrametrycznego Tritop oraz robota przemysłowego Kuka.
EN
Paper presents the general concept of automation of the 3D scanning process based on structured light projection. The input data is a cloud of points representing the test object acquired through photogrammetry measurements. On the basis of these activities basic CAD model is developed and then analyzed by author application. This allows to automatic determination of different positions of the robot with a mounted scanner. The work contains results of measurements of automobile body portion using Atos scanner, Tritop photogrammetric system and Kuka KR30 industrial robot.
14
Content available remote Reverse engineering of AlxGa₁₋xAs/GaAs structures composition by reflectance spectroscopy
Wośko M., Paszkiewicz B., Tarnowski K., Ściana B., Radziewicz D., Salejda W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
Vol. 19, No. 4
418-424
EN
The paper presents the application of non-modulation reflectance method for composition profiling of epitaxial AlxGa₁₋xAs/GaAs structures. This non-destructive method is based on spectral measurements and theoretical reflectance spectrum matching. This is a very accurate and sensitive method of determining the Al composition in AlxGa₁₋xAs layers and structures with resolution down to 1 nm. In this work, the authors describe theoretic principles of this method and present experimental results of characterization of different AlGaAs structures to prove the potential of the worked out method.
15
Content available remote Application of AFM technique for creation of patterns in nanoscale
Ramiączek-Krasowska M., Szyszka A., Stafiniak A., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Tłaczała M.
Optica Applicata
|
2011
|
Vol. 41, nr 2
307--314
EN
The lithography is a main technology process which determines the properties of semiconductor devices. The resolution of optical lithography is insufficient for creation of submicrometer patterns, like, e.g., gate electrode in HEMT transistors. Thus, a novel technique that uses AFM technique and common photolithography was proposed. In the paper, the results of nanoscratching lithography were presented and discussed. Also the transmission and root mean square of thin metal films measurements were summarized.
16
Content available remote Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3
Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Ramiączek-Krasowska M., Szyszka A., Prażmowska J., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Materials Science Poland
|
2011
|
Vol. 29, No. 4
260--265
EN
This work reports on the latest results of etching of different AlxGa1??xN/GaN heterostructures in relation to percentage composition of aluminum. The etching processes were carried out in a reactive ion etching (RIE) system using the mixture of BCl3/Cl2/Ar. The topography of the heterostructures surfaces and the slope were controlled using atomic force microsopy (AFM) technique. The photoluminescence spectra were used to determine the surface damage and to calculate the Al content in AlGaN/GaN heterostructures commonly used for high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication.
17
Content available remote Technical and economic coefficients of multi-directional production of parts by incremental methods
Pająk E., Kowalski M., Paszkiewicz R., Wichniarek R., Zawadzki P., Dudziak A.
Management and Production Engineering Review
|
2010
|
Vol. 1, No. 3
56-62
EN
The present article contains results research of production accuracy and strength properties of parts manufactured with application of Rapid Prototyping technology. A proposition of synthetic technical-economic coeficient for model preparation is presented which will be used for determining direction of layer deposition during multi-directional construction of models with FDM method.
18
Content available remote Surface photocurrent nonuniformities in MSM detectors fabricated in gallium nitride heteroepitaxial layers
Szyszka A., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
723-728
EN
A correlation of surface potential maps and photocurrent distribution images in metal-semiconductor-metal (MSM) structures allows to notice spatial nonuniformities in detector principle of operation. This effect exists only for low frequency modulation of optical excitation. This phenomenon was explained by the inhomogeneity of potential barriers and surface states density in heteroepitaxial gallium nitride layers caused by their columnar structure.
19
Content available remote Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering
Stafiniak A., Muszyńska D., Szyszka A., Paszkiewicz B., Ptasiński K., Patela S., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
717-722
EN
In this paper, the results of investigation of the influence of cathode current on optical and dielectric AlNx thin-film properties are presented. AlNx films were prepared by pulsed DC reactive magnetron sputtering of Al target on substrates at room temperature. For characterization of fabricated test structures C-V spectroscopy, ellipsometry measurement and atomic force microscopy (AFM) were used.
20
Content available remote New method of MOVPE process design for the growth of FGM AlGaAs/GaAs photodetectors
Wośko M., Paszkiewicz B., Radziewicz D., Ściana B., Paszkiewicz R., Tłaczała M., Kovac J., Vincze A.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
739-747
EN
In this paper, the authors present a new attempt to the growth of AlGaAs structures with continuous change of aluminum content by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. The new method of design of multistage growth process for functionally graded semiconductor materials (FGM) has been proposed. A comparison between classical single stage and multistage growth process has been carried out. The analysis of PVS, ECV and SIMS results of fabricated photodetector structures shows significant differences in composition profile of theoretically estimated and fabricated structures, and prove that the new conception of multistage process has more advantages over classical single stage procedure.
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.