Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Przykry obowiązek czy właściwa droga?

Ćwil M.

Energetyka Cieplna i Zawodowa

|

2014

|

Nr 2

78--81

PL

Opublikowanie projektu Krajowego Planu Działania wiosną 2010 r. zapoczątkowało dyskusję na temat ustawy o odnawialnych źródłach energii, której przyświecał nadrzędny cel: wdrożyć do prawa krajowego Dyrektywę 2009/28/WE. Od tego momentu Ministerstwo Gospodarki przygotowało już 8 wersji tego projektu. Wciąż jest wiele wątpliwości i niejasnych definicji. Wydaje się, że rząd powinien uznać rozwój OZE za priorytet i nie postrzegać tego sektora energetyki jako konieczności, którą nałożyła na nas Unia.

2

OZE kontra mały trójpak?

Ćwil M.

Energetyka Cieplna i Zawodowa

|

2013

|

Nr 2

18--21

PL

Zmiana przepisów krajowych związanych z rozwojem sektora odnawialnych źródeł energii wyczekiwana jest przez przedsiębiorców od ponad 2 lat. Zapewnić ją miała ustawa o OZE. Obecnie prace nad nią wstrzymano na rzecz tzw. małego trójpaku energetycznego. Jeżeli do tego ograniczą się regulacje związane z OZE, dowiedzie to, że nie chodzi o rzeczywisty rozwój nowoczesnej energetyki opartej o rozproszone źródła odnawialne, tylko o sztuczne wypełnianie zobowiązań narzucanych przez Komisję Europejską.

3

Systemy wsparcia certyfikatami odnawialnych źródeł energii w Polsce

Ćwil M.

Elektroenergetyka : współczesność i rozwój

|

2011

|

Nr 4(10)

92-98

PL

W polskim systemie prawnym istnieje kilka rodzajów świadectw pochodzenia, określanych potocznie jako certyfikaty dla wspierania rozwoju sektora energetycznego: o zielone certyfikaty przyznawane za energię elektryczną fizycznie wytworzoną w odnawialnym źródle energii, o brązowe certyfikaty za ekwiwalentną ilość energii elektrycznej obliczonej, odpowiednio, na podstawie ilości biogazu rolniczego wprowadzonego do dystrybucyjnej sieci gazowej, o żółte, czerwone lub fioletowe certyfikaty przyznawane za wyliczoną ilość energii elektrycznej z kogeneracji w jednostce kogeneracji wysokosprawnej, o białe certyfikaty dla przedsięwzięć z zakresu efektywności energetycznej. Niniejszy artykuł zawiera charakterystykę systemu wsparcia zielonymi certyfikatami. Analiza opiera się na uwarunkowaniach określonych ustawą Prawo energetyczne z 10.04.1997 r. i rozporządzeniem MG z 14.08.2008 r. w sprawie szczegółowego zakresu obowiązków uzyskania i przedstawienia do umorzenia świadectw pochodzenia, uiszczenia opłaty zastępczej, zakupu energii elektrycznej i ciepła wytworzonych w odnawialnych źródłach energii oraz obowiązku potwierdzania danych dotyczących ilości energii elektrycznej wytworzonej w odnawialnym źródle energii. Autor przypomina, że system wsparcia dla wytwórców energii elektrycznej ze źródeł odnawialnych został wprowadzony w Polsce w następstwie akcesji do UE. Na wsparcie składa się świadectwo pochodzenia (tzw. zielony certyfikat) i obowiązek zakupu energii elektrycznej przez przedsiębiorstwo energetyczne, na którego terenie działania nastąpiło przyłączenie takiego źródła. Zakup energii ze źródeł odnawialnych odbywa się w danym roku po średniorocznej cenie energii na rynku konkurencyjnym z roku poprzedniego. System wsparcia zielonymi certyfikatami dotyczy jedynie elektroenergetyki. Oparty jest na obrocie prawami majątkowymi do świadectw pochodzenia.

EN

The articles discusses the 'green certificate' scheme created to promote and support renewable energy sources (RES ). The analysis is based on market conditions set in the Energy Act of 10 April 1997 and Minister of Economy Regulation of 14 August 2008 on detailed scope of obligations in respect to obtaining certificates of origin and submitting them for cancellation, payment of a substitution fee, purchase of electricity and heat from renewable energy sources, as well as the obligation to confirm the data on the amount of electricity produced from a renewable energy source. The support scheme for RES was introduced in Poland as a result of the accession to the EU and employs the following mechanisms: certificates of origin (the so-called 'green certificates') and mandatory purchase of electricity from renewable sources by local utilities at the average annual sales price for the preceding year. The 'green certificate' supporting scheme has been introduced in the electricity sector only and is based on green certificate trading.

4

Mapowanie energii z OZE do 2020 r. – ocena Krajowych Planów Działań

Ćwil M.

Czysta Energia

|

2011

|

Nr 5

57-57

5

Biogazownie rolnicze – aktualny stan rozwoju w Polsce

Ćwil M.

Czysta Energia

|

2011

|

Nr 10

42-42

6

Biogaz zintegrowany z siecią gazową – alternatywa dla rozwoju biogazowni rolniczych w Polsce?

Ćwil M.

Czysta Energia

|

2011

|

Nr 5

16-17

7

Realizacja celów dla energii ze źródeł odnawialnych ustalonych na rok 2020

Ćwil M.

Elektroenergetyka : współczesność i rozwój

|

2010

|

Nr 4(6)

36-45

PL

Coraz bardziej znaczącym segmentem wśród wytwórców energii elektrycznej jest energetyka odnawialna. Jednak energetyka odnawialna w Polsce rozwija się zbyt wolno w stosunku do trendów w Unii Europejskiej. Pomimo dobrych warunków geograficznych w Polsce (sprzyjających rozwojowi wszystkich gałęzi odnawialnych źródeł energii), ich wykorzystanie pozostaje na niskim poziomie - z uwagi na słabe uwarunkowania prawne i niestabilny system wsparcia. Autor dochodzi do wniosków, że realizacja celów dla odnawialnych źródeł energii wymaga kompleksowej zmiany w polityce ustawodawczej, która powinna zachęcać do inwestycji na szeroką skalę, na bazie wszystkich źródeł odnawialnych, we wszystkich sektorach energii (uwzględnia także inwestycje obywateli w zaopatrzenie w energię z pomp ciepła, z kolektorów słonecznych, paneli fotowoltaicznych lub małych wiatraków.

EN

Renewable energy has become an important segment of the utilities industry, however, its development in Poland still lags behind other EU countries. The author points out that, despite fairly good geographical conditions, which may facilitate the deployment of renewable solutions, their use remains low due to poor legal conditions and an ineffective support system. He concludes that meeting the renewable targets requires a comprehensive change in legislative policy making, which should provide incentives for large-scale investments based on all renewable sources available in the whole energy sector (including end users' investments in heat pumps, solar collectors, photovoltaic panels and small wind turbines).

8

Wdrażanie programu Innowacyjna Energetyka Rolnictwo Energetyczna (IERE)

Ćwil M.

Czysta Energia

|

2009

|

Nr 9

46-47

9

Czy system wsparcia budowy biogazowni rolniczych zainteresuje inwestorów?

Ćwil M.

Czysta Energia

|

2009

|

Nr 7-8

14-16

10

Electronic properties of thin niobium doped barium titanate films

Firek P., Ćwil M., Werbowy A., Szmidt J.

Materiały Elektroniczne

|

2008

|

T. 36, nr 3

110-116

EN

This work presents results of investigations of barium titanate thin films with Nb2O5 admixture, deposited on Si substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + Nb2O5 target. Round, aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. Thus, metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were created with BaTiO3 thin films playing the role of the insulator. They enabled subsequent electrical characterization (current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements) of studied material. This allowed extraction of several electronic parameters (e.g. εn, ρ, VFB ΔVH). Films composition were additionally studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) techniques.

PL

W pracy prezentowane są wyniki badań dotyczące cienkich warstw tytanianu baru (BaTiO3) z domieszką Nb2O5. Powłoki zostały osadzone metodą rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej (Radio Freąuency Plasma Sputtering - RF PS), a następnie poprzez próżniowe naparowanie elektrod aluminiowych na powierzchnie BaTiO3, zostały wytworzone struktury metal-dielektryk-półprzewodnik (MIS). Pozwoliło to na charakteryzacje elektryczną (pomiary prądowo-napięciowe (I-V) i pojemnościowo-napięciowe (C-V)) kondensatorów, gdzie warstwa tytanianu baru występowała jako dielektryk. Wyznaczone zostały parametry takie jak: εn, ρ, VFB, ΔVH, . Ponadto zmierzono profil warstwy przy użyciu spektroskopii mas jonów wtórnych (secondary ion mass spectroscopy - SIMS).

11

Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych

Firek P., Werbowy A., Kwietniewski N., Szmidt J., Olszyna A., Ćwil M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

62-68

PL

Warstwy tytanianu baru o grubości rzędu 100 nm wytworzone zostały na podłożach krzemowych (Si (100) typ n, p = 1 - 20 Ω cm) technikami ablacji targetu BaTiO3 + La2O3 (2% wt.) w plazmie impulsowej oraz rozpylania w plazmie o częstotliwości radiowej (13,56 MHz). Powłoki zostały scharakteryzowane metodami badania ciała stałego, takimi jak: skaningowa mikroskopia elektronowa (SEM), mikroskopia sił atomowych (AFM) oraz spektroskopia mas jonów wtórnych (SIMS), co umożliwiło określenie morfologii powierzchni oraz składu wytworzonego materiału [6]. W celu scharakteryzowania wybranych własności elektrofizycznych osadzonych warstw wytworzone zostały struktury MIS (metal-insulator-semiconductor). Na podstawie pomiarów ich wysokoczęstotliwościowych charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-V) dla różnych częstotliwości oraz charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) wyznaczono wartości przenikalności dielektrycznej (maks. 25), rezystywności (maks. 5⋅1013 Ωcm) i wytrzymałości elektrycznej (maks. 4 MVcm-1 ) warstw oraz określono mechanizmy transportu ładunku elektrycznego przez materiał. Przeprowadzone zostały również procesy selektywnego trawienia badanych warstw w plazmie o częstotliwości radiowej (RF) przy różnych wartościach mocy RF oraz różnym składzie mieszaniny trawiącej (Ar + CF4). Największą szybkość procesu (30 nm/min) obserwowano dla maksymalnej dostępnej mocy (300 W) i przy użyciu czystej atmosfery Ar.

EN

Thin (100 nm) nanocrystalline dielectric films of lanthanum doped barium titanate were deposited on Si substrates by means of reactive pulse plasma (IPD) ablation of BaTiO3 + La2O3 (2 wt.%) target. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy showed that the obtained layers were dense ceramics of uniform thickness with average roughness Ra = 2.045 nm and the average grain size of the order of 15 nm. Measurements of current-voltage (I-V) characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, produced by evaporation of metal (Al) electrodes on top of barium titanate films, allowed to determine the current transport mechanisms and leakage current densities (10-12 to 10-6 Acm-2) flowing through investigated layers as well as their dielectric strength, i.e. critical electric field intensity (EBR) which ranged from 0.2 up to even 4 MVcm-1. Capacitance-voltage (C-V) measurements of the same structures were performed in accumulation state showing that the dielectric constant value (εri) of films in best cases is close to 25. BaTiO3 nanocrystalline thin films were also selective plasma etched in the course of several experiments which varied in RF power as well as CF4/(CF4 + Ar) gas-mixing ratio. The maximum etch rate of approximately 30 nm/min was observed for the maximum power (300 W) and pure Ar plasma atmosphere.

12

Określenie poziomu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(In,Ga)Se2

Ćwil M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 5

65-66

PL

Przedstawiono badania rozkładu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(ln,Ga)Se2 przy wykorzystaniu metody pojemnościowo-napięciowej (C-V). Profil rozkładu defektów w warstwie aktywnej uzyskany na podstawie charakterystyki C-V jest silnie niejednorodny za co odpowiedzialny jest elektrostatyczny ładunek zgromadzony w głębokich stanach materiału. Koncentracja głębokich pułapek jest ok. rząd wielkości większa aniżeli poziom domieszkowania płytkich stanów akceptorowych. Dyskusja i wnioski wsparte są numerycznymi symulacjami charakterystyk C-V przy użyciu programu SCAPS.

EN

Capacitance-voltage profiling has been used in order to determine net shallow acceptor concentration in the absorber of Cu(ln,Ga)Se2 - based solar cell. The influence of deep defects on evaluation of spatial doping distribution in the bulk of Cu(ln,Ga)Se2 absorber is discussed. We attribute the apparent non-uniformity of doping profile towards the back electrode to the accumulation of electrostatic charge in deep bulk acceptors with concentration an order of magnitude higher than net shallow doping. All conclusions have been tested by SCAPS numerical modeling.

13

The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon

Kalisz M., Beck R. B., Barcz A., Ćwil M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

25-29

EN

We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.

14

The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers

Mroczyński R., Głuszko G., Beck R. B., Jakubowski A., Ćwil M., Konarski P., Hoffman P., Schmeißer D.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

16-19

EN

This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.

15

Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes

Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Konarski P., Ćwil M., Hoffman P., Schmeißer D.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

9-15

EN

Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.

16

Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers' fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation

Mroczyński R., Bieniek T., Beck R. B., Ćwil M., Konarski P., Hoffman P., Schmeißer D.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

20-24

EN

In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.

17

Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology

Bieniek T., Beck R. B., Jakubowski A., Głuszko G., Konarski P., Ćwil M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 3

3-8

EN

The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.

18

Pozyskiwanie cennych materiałów w procesie recyklingu paneli fotowoltaicznych

Ćwil M.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2006

|

nr 153

142-152

PL

Omówiona została zasada działania, budowa a także charakterystyka wydajności baterii słonecznych. Przedstawiono przegląd i potencjalne zagrożenia dla środowiska wynikające z użytych materiałów do tworzenia ogniw opartych na technologii krzemu oraz cienkowarstwowej CdTe i Cu(In,Ga)S,Se2. Omówiono wpływ dyrektyw WEEE i RoHS na dalszą produkcję modułów fotowoltaicznych. Praca ta przedstawia badania nad pozyskiwaniem cennych materiałów z wyeksploatowanych paneli fotowoltaicznych oraz podstawowe technologie dotyczące recyklingu ogniw słonecznych na świecie.

EN

Many prospects exist for reduction of energy requirements by future solar cells technology developments, which are introduced for cost reduction, cell performance and for environmental issues. PV modules based on multicrystalline silicon, amorphous silicon, cadmium telluride and copper indium selenide respectively are reviewed. Industrial ecology considerations raise the issue of what to do with the photovoltaic modules at the end of their useful life. This paper discusses durability characteristics of commercial panels and recycling techniques of solar cells with respect to environmental risk and reuse technology of valuable materials.

19

Metody spektrometrii mas w zastosowaniu do badania materiałów

Konarski P., Ćwil M., Kaczorek K., Marks J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 7

51-53

PL

Omówiono trzy metody spektrometrii mas: ze źródłem iskrowym (SSMS), jonów wtórnych (SIMS) oraz wyładowania jarzeniowego (GDMS). Porównano rodzaje zastosowanych źródeł jonowych oraz parametry trzech analizatorów znajdujących się w wyposażeniu Przemysłowego Instytutu Elektroniki (SAJW-05, JEOL JMS-01BM2 oraz model doświadczalny GDMS). Zaprezentowano przykłady zastosowań tych metod do badań różnorodnych materiałów, takich jak półprzewodnikowe układy warstwowe InAIGaAs/GaAs, drobiny pyłów atmosferycznych zanieczyszczających środowisko miejskie, stal nierdzewna. Przedstawiono zalety oraz wady poszczególnych metod.

EN

Three methods of mass spectrometry - spark source (SSMS), secondary ion (SIMS) and glow discharge (GDMS) are compared. Types of ion sources are discussed as well as parameters of three analyzers being in use in Industrial Institute of Electronics (SAJW-05 SIMS, JEOL JMS-01BM2 SSMS and laboratory version of GDMS). Examples of analyses show SIMS mass spectrum and depth profile analysis of MOVPE grown multilayer structure, SSMS results of urban aerosol composition and GDMS results of stainless steel. Advantages and drawbacks of each method are described.

20

Badanie ultra-cienkich warstw SiO(2) nanoszonych na krzemie i porowatym krzemie - analiza profilowa ULE-SIMS

Ćwil M., Konarski P., Pająk M., Bieniek T., Kosiński A.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2005

|

z. 153

83-88

EN

Depth profile analysis of interfaces between thin silicon oxide layers and two substrates bulk silicon and prous silicon porous silicon were performed. The interfaces were prepared by an electrochemical etching of Si in HF solution and oxidation processes. SIMS depth profiles of these interfaces were performed using ultr-low energy (880eV) and low energy (5 keV) argon ion beams at several incidence angles. The SiO(2)/Si interface regions characterised by SIMS show differences related to the kind of a substrate used. Oxygen depletion region (20 nm thick) was observed on the porous silicon side by SIMS and also by Auger analyses. The depletion formation mechanism is explained on the basis of ion beam induced redeposition of oxygen inside the pores.