Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Graphene production for electrical metrology

Elmquist R. E., Shen T., Jones G. R. j., Hernandez-Marquez F. L., Real M. A., Newell D. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 6

22-25

Many material and electronic contributions must be favorable to produce devices with strong quantum Hall effect (QHE) plateaus that are suitable for precise resistance metrology. Even so, metrologically interesting QHE plateaus have been observed in semiconductor heterostructures and in graphene carbon-monolayer based devices fabricated using a variety of different synthesis processes. In graphene devices the QHE has been observed even at room temperature, well above the temperature at which quantum behavior disappears in the best conventional semiconductor-based devices. We are developing the capability to synthesize graphene as an epitaxial layer on SiC and describe some of the necessary conditions, including selection and preparation of the substrate, synthesis environment, and temperature. Our intent is to make available graphene devices for electrical metrology that can operate over a wide range of current and temperature at relatively weak magnetic fields, and to provide subsequent device characterization for primary standards of electrical resistance based on monolayer graphene. Measurements of the plateau flatness and temperature dependence of the Hall resistance in GaAs-AIGaAs heterostructures and a chemical vapor deposition (CVD)-grown graphene monolayer device are presented.

Produkcja wielu materiałów oraz podzespołów elektronicznych wymaga stosowania próbek (elementów) z wyraźnym plateau kwantowego efektu Halla (QHE), wykorzystywanych w precyzyjnej metrologii rezystancji. Oprócz tego interesujące z punktu widzenia metrologii plateau QHE zaobserwowano w próbkach wykonanych ze heterostruktur półprzewodnikowych oraz z grafenu - węgla w postaci warstwy o grubości jednego atomu, wytwarzanych przy użyciu róinych procesów syntezy. W próbkach grafenowych zjawisko QHE zaobserwowano nawet w temperaturze pokojowej, znacznie powyżej temperatury, w której właściwości kwantowe zanikają nawet w najlepszych konwencjonalnych półprzewodnikowych próbkach QHE. W naszych badaniach doskonalimy metody wytwarzania grafenu w postaci warstwy epitaksjalnej na podłożu SiC. Opisujemy tu niektóre z niezbędnych warunków wytwarzania, zatem wybór i przygotowanie podłoża, środowiska syntezy oraz temperaturę. Naszym celem jest udostępnienie metrologii elektrycznej próbek grafenowych, które będą mogły pracować w szerokim zakresie prądów i temperatury, w stosunkowo słabych polach magnetycznych oraz opis charakterystyk tych próbek, które są wykorzystywane jako podstawowe wzorce oporu elektrycznego a wykonane w postaci warstwy grafenu o grubości jednego atomu. Prezentujemy pomiary płaskości plateau i zależności temperaturowej oporu Halla w próbkach wykonanych z heterostruktury GaAs-AIGaAs oraz z jednoatomowej warstwy grafenu osadzonej chemicznie metodą CVD (chemical vapor deposition).