Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2011

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Trójwymiarowa rekonstrukcja powierzchni w SEM z zastosowaniem półprzewodnikowego detektora elektronów wstecznie rozproszonych

Słówko W., Jeziorski Ł., Krysztof M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 11

53-55

Przedstawiono system przeznaczony do trójwymiarowej (3D) rekonstrukcji powierzchni w skaningowym mikroskopie elektronowym (SEM), złożony z kwadrupolowego detektora półprzewodnikowego elektronów wstecznie rozproszonych, czterokanałowego sytemu cyfrowej akwizycji sygnałów i systemu przetwarzania opartego na komputerze klasy PC. Autorzy zastosowali tu metodę wykorzystującą specyficzny rozkład kątowy elektronów wstecznie rozproszonych na powierzchni próbki. Algorytmy przetwarzania sygnałów związane z procesem rekonstrukcji powierzchni zostały uzupelnione o procedury kompensacji błędów metody. Dzięki temu, po wstępnej kalibracji, system pozwala odtworzyć topografię powierzchni z dokładnością lepszą niż 10%, jeśli nachylenia nie przekraczają 60°. Pozwala także na odtworzenie kształtu bardzo gładkich powierzchni i może działać bardzo szybko, niemal w "czasie rzeczywistym" dostarczając informacji o kształcie powierzchni obiektów niezależnie od ich składu materiałowego.

A 3D surface reconstruction system for SEM consisting of a quadruple semiconductor detector of backscattered electrons, a four-channel framegrabber and PC-based processing unit, is presented. The authors explored a method that takes advantage of the angular distribution of backscattered electrons to obtain quantitative topography contrast and visualise the surface shape. Software processing algorithms were developed to carry out the reconstruction process and compensate several types of errors, inherent in the method. After pre-calibration, the system allows to obtain surface topography with accuracy better than 10% when maximum slope angles are below 60°. It is also capable to reconstruct the shapes of very smooth surfaces and can operate very quickly, almost in real-time, providing reliable, composition-independent reconstructions for a broad class of materials.

Detekcja elektronów wtórnych przez przesłonę dławiącą w SEM o zmiennym ciśnieniu

Słówko W., Krysztof M., Jeziorski Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 11

55-57

Przedstawiono układ detekcyjny zintegrowany z komorą pośrednią systemu pompowania różnicowego, którego działanie opiera się na transporcie elektronów wtórnych przez przesłonę dławiącą do komory pośredniej, gdzie dokonuje się konwersja sygnału elektronowego na świetlny, z wykorzystaniem scyntylatora. Układ detekcyjny stanowi rodzaj soczewki katodowej dla elektronów wtórnych i soczewki pojedynczej dla wiązki pierwotnej. Zostal skonstruowany w formie dodatkowego wyposażenia, które może być zamontowane do klasycznego wysokopróżniowego skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM), umożliwiając rozszerzenie zakresu jego pracy w kierunku podwyższonych ciśnień powietrza oraz pary wodnej, przekraczających 10 hPa.

Authors presented the detection system integrated with an intermediate chamber of the differential pumping system which was based on the transportation of secondary electrons through the throttling aperture to the intermediate chamber where the conversion of the electron signal into the light one is performed with use of the scintillator. The detector system creates a kind of the cathode lens for secondary electrons and an unipotentiallens for the primary beam. The system was designed in a form of the additional equipment which can be mounted to the elassic high vacuum SEM enabling its work both in high vacuum and elevated pressures of air or water vapour exceeding 10 hPa.