Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Nukleonika

1 1999

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Interaction between pre-existing dislocations in silicon and hydrogen-induced defects introduced by plasma treatment

Milchanin O.V., Gaiduk P.I., Komarov F.F.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

175-180

Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of new defect engineering concepts. The experimental results of the interaction among hydrogen-related defects and extended imperfections (dislocations) obtained by ion implantation and annealing are presented in this paper.

Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla rozwoju nowych koncepcji inżynierskich uwzględniających defekty. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych oddziaływania między defektami związanymi z wodorem i uszkodzeniami (dyslokacjami) spowodowanymi implantacją jonową i wygrzewaniem próbek.