PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 27

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
63--66
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.
2
Content available Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 95
67--76
PL
W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.
EN
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.
3
Content available remote Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
Bargieł K., Bisewski D., Zarębski J., Szarmach E.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
157--167
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
EN
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
4
Content available Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2016
|
No. 87
235--244
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
EN
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
5
Content available Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Bisewski D., Myśliwiec M., Górecki K., Kisiel R., Zarębski J.
Metrology and Measurement Systems
|
2016
|
Vol. 23, nr 3
451--459
EN
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
6
Content available remote Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Bisewski D., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 4
139--143
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujących wpływ takich czynników jak wielkość pól lutowniczych, powierzchnia miedzi na płytce drukowanej oraz zastosowanie wodnego systemu chłodzenia na parametry modelu przejściowej impedancji termicznej Zth(t) tranzystora MOS mocy. Pomiary Zth(t) wykonano pośrednią metodą elektryczną, a wartości parametrów jej modelu wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego algorytmu. W oparciu o uzyskane wyniki badań wskazano zależność między konstrukcją układu chłodzenia a parametrami modelu cieplnego tego elementu.
EN
The paper presents the results of experimental studies that illustrate the influence of the selected factors, i.e. the size of soldering pads, the PCB copper area as well as the use of aqueous cooling system on the transient thermal impedance model parameters of MOSFET. Measurements of thermal parameters were performed using the indirect electrical method. Parameters of the transient thermal impedance model were calculated using the estimation procedure elaborated by the authors. The obtained results show an influence of the system cooling parameters on the thermal model parameters of the semiconductor device.
7
Content available Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottky'ego z węglika krzemu
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2015
|
No. 84
137--144
PL
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
EN
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
8
Content available System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
Bisewski D., Zarębski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 12
1150--1153
PL
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
EN
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
9
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu : pomiary, modelowanie i aplikacje
Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Górecki K., Bargieł K., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
22-25
PL
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
EN
In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.
10
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
Zarębski J., Bisewski D., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 10
114-117
PL
W pracy porównano podstawowe charakterystyki statyczne bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu. Oceniono wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na charakterystyki i parametry rozważanych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
In the paper a comparison of static characteristics of bipolar power transistors made of silicon and silicon carbide, is presented. The influence of selfheating phenomenon on the characteristics and parameters of considered transistors is examined.
11
Content available Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2013
|
No. 76
251--258
PL
W pracy zaprezentowano Laboratorium Pomiarów Elementów i Układów Elektronicznych umiejscowione w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni. Należy ono do zespołu laboratoriów, w których realizowane są zagadnienia związane z projektowaniem i wykonywaniem obwodów oraz urządzeń elektronicznych, a także pomiarami elementów elektronicznych stosowanych w tych urządzeniach. Opisano koncepcję laboratorium oraz najważniejsze urządzenia stanowiące jego wyposażenie. Wskazano obszar zadań badawczych i dydaktycznych, w którym to laboratorium może być użyteczne.
EN
The paper presents a research Laboratory of Measurements Electronic Devices and Circuits located in the Department of Marine Electronics in Gdynia Maritime University. The laboratory is dedicated for performing various measurements of characteristics and parameters of electronic devices and circuits. PC-controlled measuring instrumentation of a high precision fabricated e.g. by Keithley, is used in measuring processes.
12
Content available remote Modelowanie elektrotermicznych charakterystyk tranzystora MESFET w programie PSPICE
Bisewski D., Zarębski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2012
|
nr 75
9--18
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono tu postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.
EN
The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.
13
Laboratorium projektowania i konstrukcji urządzeń elektronicznych
Górecki K., Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Jasicki P.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2012
|
R. 80, nr 10
34-36
PL
Przedstawiono badawczo-dydaktyczne laboratorium projektowania i konstrukcji urządzeń elektronicznych, uruchomione w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni.
EN
The paper presents research-didactic laboratory for designing and constructing of electronic equipment opened at Maritime Electronics Department, Gdynia Maritime University.
14
Elektrotermiczny model tranzystora MESFET
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2012
|
No. 71
9--16
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc.. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.
EN
The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.
15
Content available remote Pomiary parametrów cieplnych elementów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu
Zarębski J., Dąbrowski J., Bisewski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
29-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej i rezystancji termicznej elementów mocy wykonanych z węglika krzemu: tranzystora MESFET oraz diody MPS. Zaproponowano analityczny model opisujący zależność rezystancji termicznej badanych elementów od mocy i temperatury otoczenia.
EN
In the paper results of measurements of the transient thermal impedance and the thermal resistance of the silicon carbide power semiconductor devices, i.e. MESFETs and MPS diodes, are presented. As the result of these measurements, the thermal resistance dependence on both the power dissipated in the investigated devices and the ambient temperature is proposed in the paper.
16
Content available remote Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs
Bisewski D., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 1
271-274
EN
The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed.
PL
Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.
17
Nonlinear compact thermal model of SiC power semiconductor devices
Górecki K., Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 11
9-12
EN
The paper deals with the nonlinear compact thermal model of Sil semiconductor devices, based on the Cauer network. The analylitical description of the model and the method of the model parameter estimation are presented. The accuracy and usefulness of the model is verified experimentally for the Schottky diode and MESFET transistor at their various cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono nieliniowy skupiony model termiczny półprzewodnikowych elementów mocy wykonanych z węglika krzemu, sformułowany na bazie sieci Cauera. Zaprezentowano opis analityczny modelu oraz metodę wyznaczania wartości parametrów tego modelu. Dokładność i przydatność zaproponowanego modelu zweryfikowano doświadczalnie dla diody Schottky'ego i tranzystora MESFET przy różnych warunkach chłodzenia tych elementów.
18
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
Zarębski J., Bisewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 7
177-180
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystor ów MOS wykonanych z węglika krzemu (SiC). Wykorzystując literaturowy model omawianego tranzystora przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk statycznych i zależności pojemności występujących w badanym tranzystorze od napięć zaciskowych, które porównano z wynikami pomiarów dwóch wybranych typów tranzystorów SiC-MOS. Ponadto zbadano wpływ temperatury na charakterystyki tych tranzystorów.
EN
The paper deals with a problem of modelling of MOS transistors made of silicon carbide (SiC). DC characteristics and dependences of transistor capacitances versus voltages calculated using a literature model have been compared with results of measurements of two chosen SiC-MOS transistors. Influence of the temperature on the investigated devices characteristics has been examined.
19
Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE
Zarębski J., Bisewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
96-100
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MOS mocy. Przedstawiono i omówiono wybrane modele i makromodele rozważanego elementu, sformułowane dla programu SPICE. Na przykładzie arbitralnie wybranego tranzystora MOS mocy dokonano oceny dokładności rozważanych w pracy modeli i makromodeli.
EN
The paper deals with a problem of modelling of power MOS transistors. Construction of models and macromodels of considered transistors formulated for SPICE have been presented and discussed. Estimation of accuracy of the models and macromodels of arbitrarily chosen power MOS transistors has been performed.
20
Estymacja parametrów modelu Danga tranzystora MOS
Zarębski J., Bisewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
87-90
PL
Praca dotyczy problematyki estymacji parametrów modelu Danga tranzystora MOS z wykorzystaniem programu MODEL EDITOR, występującego w pakiecie oprogramowania PSPICE. Na przykładzie arbitralnie wybranego typu tranzystora MOS zbadano wpływ doboru liczby oraz rozmieszczenia punktów pomiarowych na charakterystykach tranzystora, na uzyskane wartości parametrów rozważanego modelu. Przeprowadzono również estymację parametrów rozważanego w pracy tranzystora w oparciu o jego dane katalogowe.
EN
The paper deals with a problem of estimation of the Dang model parameters of MOSFET, using a specialized program MODEL EDITOR, included in the PSPICE software package. Influence of the number and the distribution of the MODEL EDITOR input data of the arbitrarily chosen MOSFET on the results of estimation, has been examined. Estimation of the model parameters based on the transistor catalogue measuring data has been also performed.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.