PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 14

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Statistical evaluation of grain boundaries of varistors with modified bismuth oxide
Warycha J., Mielcarek W.
Materials Science Poland
|
2018
|
Vol. 36, No. 1
145--150
EN
Oxide varistors are made of inhomogeneous material whose properties are determined by active grain boundaries. It is essential that in the microstructure of a varistor only active grain boundaries are present as only such boundaries are involved in the process of conduction. Commercial varistors are characterized by a microstructure with a large amount of electrically inactive areas which include zinc-antimony spinel, bismuth oxide, and pores. Studies on elimination of inactive grain boundaries, which are the intergranular areas rich in reaction products of varistor components and pores, lead to an improvement in the microstructure, thereby improving the electrical properties of the varistor. The results were evaluated using statistical methods, defining the percentage of active grain boundaries in the varistor. Statistical analysis showed that the best results were obtained for a bismuth oxide varistor doped with antimony oxide, containing nearly 100 % conductive grain boundaries in its body.
2
Przestrzennie skorelowana, submikrometrowa analiza właściwości morfologicznych, mechanicznych i chemicznych kompozycji epoksydowej domieszkowanej nanokrzemionką
Sikora A., Bednarz Ł., Warycha J., Moroń L.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 10
14-16
PL
Submikrometrowe badania nanomateriałów są źródłem cennych informacji o ich unikatowych właściwościach. Jednak ze względu na często występujące niejednorodności materiałów, w zależności od lokalizacji wykonanych pomiarów, różnice między uzyskanymi wynikami mogą wynosić nawet kilkaset procent, istotnie utrudniając uzyskanie spójnych i miarodajnych rezultatów pomiarów przeprowadzanych z wykorzystaniem wielu metod i narzędzi diagnostycznych. Wobec powyższego konieczne jest zastosowanie łatwych w implementacji rozwiązań, pozwalających na skuteczną korelację przestrzenną uzyskanych wyników. W niniejszej pracy zaprezentowano zastosowanie nanomarkerów, wytwarzanych za pomocą sondy mikroskopu sił atomowych, w wieloetapowym procesie pomiarowym. Wykorzystanie wytworzonych nanostruktur umożliwiło przeprowadzenie analizy właściwości morfologicznych, mechanicznych oraz chemicznych kompozycji ściśle określonych struktur próbki epoksydowej domieszkowanej nanokrzemionką.
EN
Submicron investigations of the nanomaterials are the source of valuable data about their unique properties. However, due to often nonhomogeneities of the materials, the results of local properties measurements may vary even few hundred percents as various areas are analyzed. Therefore one needs the solution that would be easy to implement and provide effective positioning of the sample in order to obtain coherent and reliable outcome of the measurements carried out using various methods and diagnostic methods. In this work the utilization of the nanomarkers developed with the atomic force microscopy probe for multi-stage measurement procedure is presented. The application of the developed nanostructures allowed to perform spatially correlated analysis of the morphological, mechanical and chemical properties of the epoxy matrix with nanosilicate filler.
3
Content available remote Wpływ składu fazowego na własności mechaniczno – fizyczne podkładek pod warystory
Mielcarek W., Prociów K., Warycha J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 7
333--335
PL
Warystory Zno są wytwarzane typową technologią ceramiczną. W uproszczeniu proces wytwarzania warystorów obejmuje mielenie i mieszanie składników oraz formowanie I wypalanie wyprasek. Podczas wypalania może dojść do takiego spieczenia się sąsiadujących ze sobą wyprasek, że rozdzielenie ich bez uszkodzenia staje się niemożliwe. W pracy przedstawiono wady i zalety dotychczas stosowanych sposobów rozwiązania tego problemu. Niektóre z nich są niewystarczająco efektywne, inne wręcz nieekonomiczne. Przekładki ceramiczne proponowane w ramach tej pracy są wytworzone z ceramiki o składzie zbliżonym do ceramiki warystorowej lecz uzupełnionej o trudnospiekalny składnik dzięki któremu uzyskano przekładki które nie tylko nie przywierają do wypalanych warystorów ale nie wprowadzają też do nich żadnych chemicznych zanieczyszczeń.
EN
ZnO metal oxide varistors are created using typical ceramic technology. During the process of sintering the green compacts may glue together and stick to each other so hard that they cannot be separated without damaging the varistor. This can be avoided in several ways but none is satisfactory and good enough as ones are not effective, while the other ones are simply inconvenient.The developed ceramic separators can be applied in multiple uses. In essence they are made of the same ceramic as varistor but doped with sinter-resisting component which causes the separators and sintered varistors not stick together. They are reliable and economical.
4
Content available remote Ceramic separators to place between green compacts during varistor sintering
Mielcarek W., Prociów K., Warycha J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 1b
219-221
EN
ZnO metal oxide varistors are created using typical ceramic technology. During the process of sintering the green compacts may glue together and stick to each other so hard that they cannot be separated without damaging the varistor. This can be avoided in several ways but none is satisfactory and good enough as ones are not effective, while the other ones are simply inconvenient.The developed ceramic separators can be applied in multiple uses. In essence they are made of the same ceramic as varistor but doped with sinter-resisting component which causes the separators and sintered varistors do not stick together. They are reliable, economical and do not impose chemical contaminants to varistors.
PL
Warystory ZnO są wytwarzane typową technologią ceramiczną. Podczas wypalania wyprasek warystorowych może dojść do takiego spieczenia się sąsiadujących ze sobą wyprasek, że rozdzielenie ich bez uszkodzenia staje się niemożliwe. Jest kilka sposobów radzenia sobie z tym problemem jednak żaden nie jest wystarczająco satysfakcjonujący. Niektóre są nieefektywne, inne wręcz nieekonomiczne. Przekładki ceramiczne proponowane w ramach tej pracy są wytworzone z ceramiki o składzie zawierającym składnik ceramiki warystorowej utrudniający proces spiekania i zapobiegający przywieraniu wypalanych warystorów. Przekładki te są niezawodne, ekonomiczne i nie wprowadzają chemicznych zanieczyszczeń do wytwarzanych warystorów.
5
Content available Przekładki ceramiczne wyprasek warystorowych do stosowania w procesie wypalania warystorów
Mielcarek W., Prociów K., Warycha J.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2012
|
Z. 259
81--82
PL
Warystory Zno są wytwarzane typową technologią ceramiczną. W uproszczeniu proces wytwarzania warystorów obejmuje mielenie i mieszanie składników oraz formowanie i wypalanie wyprasek. Podczas wypalania może dojść do takiego spieczenia się sąsiadujących ze sobą wyprasek, że rozdzielenie ich bez uszkodzenia staje się niemożliwe. W pracy przedstawiono wady i zalety dotychczas stosowanych sposobów rozwiązania tego problemu. Niektóre z nich są niewystarczająco efektywne, inne wręcz nieekonomiczne. Przekładki ceramiczne proponowane w ramach tej pracy są wytworzone z ceramiki o składzie zbliżonym do ceramiki warystorowej lecz uzupełnionej o trudnospiekalny składnik dzięki któremu uzyskano przekładki które nie tylko nie przywierają do wypalanych warystorów ale nie wprowadzają też do nich żadnych chemicznych zanieczyszczeń.
EN
ZnO metal oxide varistors are created using typical ceramic technology. During the process of sintering the green compacts may glue together and stick to each other so hard that they cannot be separated without damaging the varistor. This can be avoided in several ways but none is satisfactory and good enough as ones are not effective, while the other ones are simply inconvenient.The developed ceramic separators can be applied in multiple uses. In essence they are made of the same ceramic as varistor but doped with sinter-resisting component which causes the separators and sintered varistors not stick together. They are reliable and economical.
6
Sem and AFM imaging of inorganic nanotubes
Kudła S., Szpilska K., Sikora A., Warycha J.
Polish Journal of Applied Chemistry
|
2011
|
Vol. 55, nr 2
73-80
EN
In the last decade inorganic nanotubes became a new class of nanomaterials. Those structures can be formed from inorganic materials such as metals, metal sulfides or metal oxides. In 1992 tungsten disulfide nanotubes (WS2) synthesized by Tenne were the first ever obtained inorganic nanotubes. This report contains some general information on inorganic nanotubes on the background of other nano-objects, the use of which is promising for the synthesis of new composite materials. The morphology of WS2 nanotubes observed by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) is discussed.
7
Content available Wpływ modyfikowania Bi2O3 barem na właściwości mikrostruktury warystorów ZnO
Warycha J., Mielcarek W, Prociów K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2010
|
Z. 246
123-132
PL
Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.
EN
Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.
8
Content available remote Budowa i działanie plazmowego reaktora eliminującego odory
Mielcarek W., Prociów K., Warycha J., Kacprzyk R., Rutkowski J., Czapka T., Gryglewicz S., Subocz J.
Przemysł Chemiczny
|
2009
|
T. 88, nr 5
516-519
9
Content available remote Oddziaływanie modyfikowanego tlenku bizmutu na mikrostrukturę warystora
Warycha J., Mielcarek W, Prociów K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2009
|
Z. 242
39-59
PL
Niezawodna oraz niezakłócona praca urządzeń elektroenergetycznych i elektronicznych jest osiągana głównie przez zastosowanie odpowiednich elementów ochrony przepięciowej takich jak ograniczniki a przede wszystkim przez zawarte w nich warystory tlenkowe. Warystory tlenkowe to elementy ceramiczne, których głównym składnikiem są ziarna tlenku cynku otoczone warstwą amorficzną bogatą w tlenek bizmutu oraz produkty reakcji pozostałych tlenków metali z ZnO. Tajemnicą osiągania dobrych właściwości elektrycznych warystorów jest homogeniczność mikrostruktury. W tej pracy zaprezentowano możliwość osiągania jednorodnej mikrostruktury przez modyfikację Bi2O3 wybranymi tlenkami metali takimi jak: Al2O3, SiO2, PbO, MnO, Sb2O3, SnO2. Najlepsze wyniki osiągnięto stosując Sb2O3 i SnO2 jako modyfikatory tlenku bizmutu.
EN
Safe and reliable operation of electroenergetic and electrical devices is achieved by application of suitable surge arresters which consist of oxide varistors. Oxide varistors which are ceramic elements, compose of zinc oxide grains surrounded by amorphous layer rich in bismuth oxide and products of reaction of the remained metal oxides with ZnO. The good varistor electrical properties result from the homogeneity of their microstructure. The present paper shows that one possible way how to achieve the homogonous microstructure is to modify Bi2O3 with selected metal oxides such as Al2O3, SiO2, PbO, MnO, Sb2O3, SnO2. The best results were achieved with Sb2O3 and SnO2 bismuth oxide modifiers.
10
Content available Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
Mielcarek W., Prociow K., Warycha J.
Materiały Elektroniczne
|
2009
|
T. 37, nr 1
86-98
EN
The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
PL
Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
11
Content available remote The effect of aluminium additive on the electrical properties of ZnO varistors
Gubański A., Mielcarek W., Prociów K., Warycha J., Wróbel J. M.
Materials Science Poland
|
2009
|
Vol. 27, No. 4/2
1207--1218
EN
Reliable and undisturbed operation of electric and electronic circuits is mainly achieved through the use of appropriate overload protection elements such as overvoltage surge arrestors. The stability of metal oxide varistors which are used insures that the circuits are adequately protected. The point of adding the varistor material with aluminium is the extension of the nonlinearity of I-V characteristic in high current region. In this work, both the aluminium doping for ZnO varistors, and the effect of this doping on the ageing processes in varistors were investigated. The current trend towards the production of better and more robust surge arrestors which utilize mainly ZnO varistors motivated these studies. The fundamental technological impediments include the repeatability of manufactured varistors and their susceptibility to ageing factors such as current shocks, elevated operation temperature and the extended effect of the operation potential. Improving the varistor imperviousness to ageing continues to be an imperative but, as yet, unsolved problem.
12
Content available remote Reaktory plazmowe do dekompozycji gazów
Czapka T., Mielcarek W., Mazurek B., Warycha J., Prociów K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 10
97-100
PL
W pracy przedstawiono wykorzystanie reaktorów plazmowych do dekompozycji szkodliwych lotnych związków organicznych. Zaprezentowano laboratoryjne modele reaktorów wysokiego napięcia stałego do generacji zimnej plazmy, wykorzystujące zjawisko wyładowań wstecznych. Przedstawiono właściwości elektryczne reaktorów oraz sprawdzono ich skuteczność przy rozkładzie wybranych lotnych związków dla różnych stężeń oraz przepływów gazu.
EN
The objective of this work is to investigate decomposition of the volatile organic compounds using plasma reactors. The laboratory-scale dc plasma reactors using back corona discharges to generating cold plasma are described. The electrical properties of the reactors are presented. The reactor efficiency in decomposition of the particular compounds for their different initial contents and flow rates are checked.
13
The effect of aluminium additive on the electrical properties of zno varistors.
Gubański A., Mielcarek W., Prociow K., Warycha J.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2007
|
Vol. 46, nr 19
131-136
EN
Reliable and undisturbed operation of electric and electronic circuits is mainly achieved through the use of appropriate overload protection elements such as overvoltage surge arrestors. The stability of the metal oxide varistors which are used insures that the circuits are adequately protected. The point of adding the varistor material with aluminium is the extension of the I_V characteristic's nonlinearity in high-current region [1]. In this work, both the viability of aluminum doping for ZnO varistors, and the effect of this doping on the ageing processes in varistors were investigated. The current trend is towards the production of better and more robust surge arrestors which utilize mainly ZnO varistors, and it was this trend which motivated these studies. The fundamental technological impediments include the repeatability of manufactured varistors and their susceptibility to ageing factors, such as current shocks, elevated operation temperature and the extended effect of the operation potential. Improving the varistors' imperviousness to ageing continues to be an imperative but, as yet, unsolved problem.
14
Influence of bismuth oxide modification on varistors tsd current.
Mielcarek W., Prociów K., Warycha J., Gubański A.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2007
|
Vol. 46, nr 19
171-175
EN
Metal oxide varistors, being of nonlinearly resistors are commonly used for protection of electronic and power engineering devices against over-voltage surges. The operational reliability, along with assurance of suitable level of protection, is one of the main concern in varistor design and manufacturing. The bottle neck of varistors is the their susceptibility to degradation. The high temperatures and strong charge impacts much accelerate the varistor degradation what is manifested by the asymmetry of the I-V characteristics and the increase of the leakage current. Heating varistors to about 200 deg C causes that the I-V asymmetry disappears and the I-V characteristics reshape what is demonstrated by the passage of the TSD current. The phenomena of the degradation was provoked by exposing varistors to the action of the 50 fiA DC current at 115 deg C for 21 hours. In the case of varistors doped with Bi203 modified by other metal oxides there were no TSD peaks what proves that they were resistant to degradation.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.