Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Planar silicon structure in application to the modulation of infrared radiation

Piotrowski T., Tomaszewski D., Węgrzecki M., Malyutenko V. K., Tykhonov A. M.

Optica Applicata

2011

Vol. 41, nr 2

333--339

We report on the performance of planar silicon diodes, operating at a temperature range above 300 K and emitting infrared radiation. The results present a theoretical analysis and experimental verification of an optimization aimed at a maximal difference between emissivity of this structure for cases with and without forward bias applied to p-n junction. Several advantages of the structures were shown: wide emission spectrum (3-12 ?m), short rise-fall time (300 ?s), high operating temperature (? 400 K). Spatial distribution of photonic radiation emitted by a silicon structure obtained by a thermovision camera is compared with computer simulation distribution of carrier concentration. These planar sources can be used as easily controlled sources of infrared radiation in a wide spectral range, image simulators, e.g., dynamic scene simulation devices with frame frequencies well above 200 Hz and for measurements of thermovision camera dynamic parameters.

Charakteryzacja materiałów i struktur ogniw słonecznych techniką podczerwieni

Piotrowski T., Malyutenko V. K., Lipiński M., Pochrybniak C.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

77-82

Przedstawiono rezultaty badań ogniw słonecznych oraz krzemowych mono i multikrystalicznych płytek krzemowych wykorzystujących techniki detekcji promieniowania podczerwonego w zakresie długości fal 3-6 i 8-12 µm. Termowizyjna technika była zastosowana do wizualizacji charakterystycznych parametrów określających jakość materiałów i gotowych przyrządów. Przestrzenne rozkłady efektywnego czasu życia nośników ładunku otrzymane metodą termowizyjną konfrontowano z rezultatami uzyskanymi metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa z detekcją mikrofalową. Pokazano możliwości wykorzystania termowizyjnej techniki do ujawniania miejsc upływności złączy i rozkładu rezystancji szeregowej w ogniwach słonecznych.

Solar cells and silicon mono and multicrystalline wafers were examined by technique of infrared radiation detection in the wavelength ranges of 3-6 and 6-12 µm. The thermovision technique was applied for visualisation of specific parameters that determine the quality of materials and final devices. Spatial distributions of effective carrier lifetime determined by thermovision method were correlated with results of photoconductivity decay measurements with microwave detection. Applicability of thermovision technique for delineation of junction leakage spots and distribution of series resistance in solar cells was shown.