Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Fabrication of through-holes in GaAs substrates for device applications

Zubel I., Kramkowska M., Zborowska-Lindert I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

127-130

EN

The process of via-holes fabrication in GaAs wafers was developed. Wet chemical etching both for substrate thinning and via-holes etching was employed. The solutions based on sulfuric and citric acid were tested in a wide range of compositions. The phenomena connected with the etching process like etching anisotropy and its influence on the shapes of etched holes were considered. At the end, possible applications of the new developed process were discussed.

PL

Opracowano proces wytwarzania otworów przelotowych w płytkach GaAs. Do pocieniania podłoża i do trawienia otworów zastosowano mokre trawienie chemiczne. Wykorzystano roztwory na bazie kwasu cytrynowego i siarkowego, które przetestowano w szerokim zakresie składów. Przeanalizowano zjawiska związane z procesem trawienia jak anizotropia trawienia i jej wpływ na kształty trawionych otworów. Przedyskutowano również możliwości zastosowań nowo opracowanego procesu.

2

Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol

Rola K., Zubel I., Kramkowska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

50-53

EN

The process of silicon anisotropic etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used process in silicon micromachining. In the work, the results of etching in KOH solutions with the IPA content below saturation lewel have been presented. On the basis of literature considerations of the phenomena occurring in water-alcohol solutions and the results of performed experiments, an analysis of the mechanism of Si substrates etching in KOH+IPA solutions with different compositions has been carried out.

PL

Anizotropowe trawienia krzemu w roztworach KOH nasyconych alkoholem izopropylowym jest procesem obecnie najczęściej wykorzystywanym do wytwarzania mikrosystemów krzemowych. W pracy przedstawiono rezultaty trawienia w roztworach KOH zawierających IPA poniżej poziomu nasycenia. Na podstawie opisywanych w literaturze zjawisk obserwowanych w roztworze woda - alkohol i rezultatów przeprowadzonych eksperymentów, przedstawiono rozważania dotyczące mechanizmu trawienia podłoży krzemowych w roztworach KOH - HPA o różnych składach.

3

Methods of silicon surface structurization for the purpose of the deposition of III-V epitaxial layers

Zubel I., Kramkowska M., Ninierza T.

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 4

749-759

EN

This paper presents the results of the texturing of silicon substrates with various crystallographic orientations by anisotropic etching, both in a maskless process and in a process employing specially shaped mask patterns. Several etching solutions based on KOH and KOH with isopropanol, enabling a uniform texturing of silicon substrates with selected orientations in maskless process, were tested in order to find an optimal composition. We proposed a texturing process with the use of an appropriate oxide mask, which allowed the analysis of the epitaxy process in terms of orientation and inclination of sidewalls and edges of resultant structures. The structured substrate can be used for the investigation of growth of GaN epitxial layers on silicon substrates.

4

Submicron suspended structures based on A(III)B(V) epitaxial layers

Kramkowska M., Szyszka A., Ściana B., Zubel I.

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 1

173--179

EN

A technological process has been described for fabrication of suspended structures on GaAs substrate with AlGaAs/GaAs epitaxial multi-layers deposited by the AP MOVPE method. The patterns of beams and bridges with various dimensions were made by the photolithography method. The structures were fabricated by wet chemical etching in two systems of solutions based on phosphoric or citric acid with hydrogen peroxide. The former one enabled etching through the deposited epitaxial layers down to the GaAs substrate. The latter one allowed a selective etching of GaAs over AlGaAs. In effect, a beam made of AlGaAs layer was released and formed the suspended structure. As an etching mask, AZ 1813 positive photoresist was used. A series of rectangular beams with various planar dimensions and submicrometer thicknesses was fabricated. The elaborated process may be used for fabrication of suspended structures for various applications.

5

Komputerowa symulacja trawienia struktur przestrzennych w podłożach krzemowych o różnych orientacjach krystalograficznych

Zubel I., Kramkowska M., Rosiek S., Kosiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

45-47

PL

Trawienie anizotropowe krzemu jest procesem szeroko stosowanym w technologii struktur MEMS i MOEMS. Przy projektowaniu skomplikowanych urządzeń często niezbędne jest przewidywanie kształtów trawionych struktur. Opracowano program komputerowy do symulacji anizotropowego trawienia przestrzennych struktur krzemowych. Podstawą opracowania programu była analiza kształtów struktur przestrzennych uzyskanych doświadczalnie w wyniku trawienia wobec maski tlenkowej podłoży o różnych orientacjach krystalograficznych. Stwierdzono, że struktury trawione w roztworach wodorotlenku potasu nasyconych dodatkami organicznymi z grupy alkoholi, bez względu na orientację trawionego podłoża i rodzaj dodanego alkoholu, ograniczone są płaszczyznami o takich samych wskaźnikach (hkl). Różnice kształtów struktur wynikają z różnego usytuowania i nachylenia tych płaszczyzn w stosunku do trawionego podłoża. Założono, że trawienia przebiega zgodnie z geometrycznym modelem, a szczególną rolę odgrywają płaszczyzny o szybkościach trawienia najmniejszych w poszczególnych pasach krystalograficznych. Wykorzystując otrzymane wyniki doświadczalne i teoretyczną analizę zagadnienia, opracowano na bazie programu MATLAB aplikację umożliwiającą wygenerowanie obrazu wytrawionej struktury w skali 2D lub 3D. Poprawność działania programu została zweryfikowana przez porównanie wyników symulacji z rzeczywistymi strukturami. Duża zgodność większości symulowanych struktur świadczy o poprawności przyjętych założeń.

EN

fabrication. Prediction of shapes of the etched structures is necessary to design sometimes very complex devices. It allows one to avoid time consuming experiments. A computer program for the simulation of silicon anisotropic etching of different spatial structures has been elaborated. The program was developed on the basis of the analysis of shapes of the experimental structures obtained in result of etching of the patterned silicon substrates with different crystallographic orientations. It was shown that the structures etched in potassium hydroxide solutions saturated with organic additives from the alcohol group tend to be bound with some particular crystallographic planes, which are common either for concave or convex structures. The differences in the shapes result from different arrangement and inclination of the planes in differently oriented Si substrates. It was assumed that the etching process proceeds according to the geometrical model and that the planes with the lowest etch rates play a particular role in the process. The simulation program was designed in MATLAB environment, enabling 2D or 3D visualization of the etched structures. The correctness of the computational program has been verified by comparison of the simulation results with the experimentally etched structures. Good agreement between the simulation and experimental results proves the validity of the presumed assumptions and correctness of the elaborated program.

6

Suspended beams fabricated on GaAs substrates

Kramkowska M., Zubel I., Włodarczyk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 12

46-48

PL

Opisano proces wytwarzania podwieszanych belek wykorzystujący głębokie trawienie monokrystalicznego GaAs. Przetestowano dwa systemy trawiące: na bazie kwasu fosforowego i cytrynowego. Najlepsze wyniki, zapewniające wytworzenie regularnych podwieszanych struktur uzyskano w roztworze kwasu cytrynowego w podwyższonej temperaturze przy użyciu maski z pozytywowego fotolakieru AZ 1813. Wytworzone struktury dają możliwość monolitycznej integracji z przyrządami elektronicznymi i optoelektronicznymi.

EN

The process of fabrication of suspended beams utilizing deep anisotropic etching of monocrystalline GaAs substrate has been described. Two etching formulas, based on citric and phosphoric acid have been tested. The best results, assuring successful fabrication of suspended structures were achieved in citric acid based solution at elevated temperature with AZ 1813 positive photoresist as etching mask. Obtained structures provide a great potential for monolithic integration with electronic or optical devices.

7

Wpływ dodatków alkoholowych do roztworów KOH na morfologię różnych płaszczyzn Si (hkl)

Kramkowska M., Zubel I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

12-13

PL

Badano wpływ dodatków alkoholowych z grupy butanoli do roztworu KOH na morfologię różnych płaszczyzn (hkl) krzemu uzyskiwanych w procesie trawienia anizotropowego. Stwierdzono, że wprowadzenie dodatków poprawia gładkość powierzchni typu (hh1) a pogarsza morfologie płaszczyzn (h11). Ma to związek z konfiguracją wiązań na tych płaszczyznach.

EN

The effect of alcohol additives from butanol group to KOH solution on the morphologies of different Si (hkl) surfaces fabricated by anisotropic etching has been studied. It was stated that the additives improve the surface roughness of (hh1)-type surfaces whereas (h11)-type surfaces undergo worsening. The effect is connected with bond configurations on the studied surfaces.