Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Domieszkowanie ZnO na typ p przy użyciu N i Ag: tworzenie wytrąceń i rola wodoru

Volniańska O., Bogusławski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

89-91

Przeprowadzono analizę efektywności domieszkowania ZnO na typ p przy użyciu Ag i N Obliczenia zostały wykonane metodą ab initio przy użyciu dużych komórek. Rozpatrzono energetykę tworzenia par i trójek Ag-N, które ogranicza efektywność domieszkowania. Wodór, który jest nieintencjonalnym donorem, z jednej strony blokuje proces tworzenia się par i większych nanoagregatów Ag-N-Ag itd., z drugiej jednak strony kompensuje on akceptory donorem obniżając efektywność domieszkowania. Wyniki te wskazują, że warstwy ZnO o dobrym przewodnictwie typu p można otrzymać hodując je w warunkach bogatych w H, a następnie wygrzać je powodując wydyfundowanie wodoru.

Analysis of p-doping of ZnO using Ag and N was performed using ab initio methods and large supercells. Energetics of formation of pairs and triangles Ag-N was considered. It was shown that the effect lowers the doping efficiency. Hydrogen, which is a non-intentional donor blocks the formation of such nano-inclusions, but it also compensates acceptors thus lowering the doping efficiency. These results indicate that ZnO films of good properties can be obtained conducting the growth in H-rich conditions, and then performing a post-growth annealing that causes the out diffusion of hydrogen.