Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Silicide formation on silicon by dense compression plasma treatment

Anishchik V., Uglov V., Kvasov N., Petykhou Y., Astashynski V., Kuzmitski A., Zhukowski P., Karwat C., Zhukowski P., Fedotova J.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

311-313

In the present paper the means of applying compression plasma flows (CPF) for deep metal doping of silicon, formation of single- and multiphase metal silicide as well as submicron silicide structures are discussed. The action of CPF on Fe/Si and Ni/Si systems results in the formation of silicon dendries and metal silicides á-FeSi2 and NiSi, NiSi2 respectively. Metal silicides are preferably localized between the silicon dendrites’ branches.

Prezentowany artykuł omawia zastosowanie strumieniowej plazmy kompresyjnej do głębokiego domieszkowania krzemu metalem oraz powstawanie jedno- i wielofazowych krzemków metali oraz submikroskopowych struktur krzemkowych. Działanie strumieniowej plazmy kompresyjnej na układy Fe/Si oraz Ni/Si powoduje tworzenie się dendrytów krzemowych i krzemków metali odpowiednio - .-FeSi2 i NiSi.

Modification of silicon surface under the action of compression plasma flow

Anishchik V., Uglov V., Astashynski V., Ananin S., Askerko V., Kostyukevich E., Kuzmitski A., Kvasov N., Daniluk A., Astashynski V. M.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

2002

z. 143

175-178

Implantation of boron ions into hard metals

Mrochek I., Gunzel R., Matz W., Moller W., Anishchik V.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

217-224

The present study has shown that hardness and wear behaviour of (15%Co)-cemented WC alloys can be improved by boron ion implantation. The B+ implantation was carried out at different temperatures. Three ion fluences have been chosen: 5x1016cm-2, 1x1017cm-2and 5x1017cm-2 , each at an energy of 40 keV. The XRD analysis has shown that after implantation one observes a broadening of the XRD tungsten carbide peaks towards smaller angels. An optimisation between the boron fluences and temperature has still to be performed.

Przedstawione badania wykazały, że twardość i własności zużyciowe stopu WC z 15% zawartością Co jako czynnika spajającego mogą być poprawione przez implantację jonami boru. Implantacja jonami B+ była przeprowadzona w różnych temperaturach. Stosowano wiązki jonowe o energii 40 keV i dawkach 5x1016jonów/cm2, 1x1017 jonów/cm2 i 5x1017jonów/cm2. Dyfrakcyjna analiza rentgenowska (XRD) wykazała, że po implantacji obserwowano poszerzanie się dyfrakcyjnych wierzchołków rentgenowskich węglików wolframu w stronę mniejszych kątów. Optymalizacja pomiędzy wielkością strumienia jonów boru i temperaturą jest w dalszym ciągu dokonywana.