PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Parametry konwersji fotowoltaicznej dla fotoogniw plazmonicznych na bazie ZnO z nanocząstkami srebra i złota
Gwóźdź K., Płaczek-Popko E., Zielony E., Gumienny Z., Pietruszka R., Witkowski B. S., Kopalko K., Godlewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
36--38
PL
W pracy zbadano struktury fotowoltaiczne na bazie nanosłupków tlenku cynku pokrytych warstwą ZnMgO, a następnie warstwą ZnO:Al (AZO). Nanosłupki zostały wytworzone na podłożu krzemowym i pokryte nanocząstkami złota lub srebra. Z pomiarów transmisji i odbicia wywnioskowano, że próbki z nanocząstkami srebra odbijają znaczną ilość światła w zakresie widzialnym, co powoduje spadek wydajności kwantowej w tym zakresie. W podczerwieni próbki z nanocząstkami mają wyższą wydajność kwantową niż próbka referencyjna bez nanocząstek. Stwierdzono, że próbka z nanocząstkami złota ma najwyższą wydajność kwantową w całym zakresie czułości 400-800 nm. Ponadto jej sprawność osiąga również najwyższą wartość – 5,79%.
EN
In this article photovoltaic structures based on ZnO nanorods covered with ZnMgO and ZnO:Al (AZO) layers were studied. The nanorods were grown on sillicon and covered with gold or silver nanoparticles. From the transmission and reflection measurments it was concluded that the samples with silver nanoparticles reflect more light in the visible spectra, which cause the decrease in external quantum efficiency for this wavelength range. In the infrared range the samples with nanoparticles have higher external quantum efficiency than the referance sample without the nanoparticles. It was also concluded, that the sample with gold nanoparticles have the highest external quantum efficiency in the wavelength range from 400-800 nm. Furthermore, the sample has the highest efficiency – 5.79%.
2
Content available remote Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE
Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Kopalko K., Tłaczała M.
Materials Science Poland
|
2016
|
Vol. 34, No. 4
726--734
EN
Conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques were used to study electrical properties of deep-level defects in dilute GaNAs epitaxial layers grown by atmospheric-pressure metalorganic vapourphase epitaxy (APMOVPE) on the GaAs substrate. Three samples with nitrogen concentrations of 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % were investigated. In DLTS and LDLTS spectra of the samples, four predominant electron traps were observed. On the basis of the obtained electrical parameters and previously published results, one of the traps was associated with N-related complex defects, while the other traps with common GaAs-like native defects and impurities, called EL6, EL3 and EL2.
3
Content available Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Pietruszka R., Łuka G., Witkowski B. S., Kopalko K., Zielony E., Biegański P., Płaczek-Popko E., Godlewski M.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2014
|
Z. 264
113-123
PL
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
EN
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
4
Content available remote Electro-optical properties of diluted GaAsN on GaAs grown by APMOVPE
Kamyczek P., Biegański P., Płaczek-Popko E., Zielony E., Gelczuk Ł., Sciana B., Pucicki D., Radziewicz D., Tlaczala M, Kopalko K., Dabrowska-Szata M.
Materials Science Poland
|
2013
|
Vol. 31, No. 4
595--600
EN
In this paper we report on the optical and electrical studies of single GaAs1-xNx epitaxial layers grown on GaAs substrates by means of atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE). Three kinds of samples with 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % nitrogen content were studied. Optical properties of the layers were investigated with the use of room temperature transmittance and reflectance measurements. Subsequently Schottky Au–GaAs1-xNx contacts were processed and characterized by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements within 80 – 480 K temperature range. From the I-V and C-V characteristics the ideality factor, series resistance and built-in potential were determined. Obtained diodes can be used for further studies on defects with the use of DLTS method.
5
Nanodruty ZnO otrzymywane metodą Osadzania Warstw Atomowych do zastosowań sensorowych
Wachnicki Ł., Witkowski B. S., Gierałtowska S., Kopalko K., Guziewicz E., Godlewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
85-86
PL
W pracy przedstawiamy wzrost nanodrutów ZnO metodą osadzania warstw atomowych ALD (ang. Atomic Layer Deposition). Do otrzymania nanodrutów ZnO użyto podtoże GaAs pokryte mieszaniną złota i galu uformowanego na powierzchni w postaci rozseparowanych "nanokul". W procesie ALD jako prekursor tlenowy została użyta woda dejonizowana, natomiast jako prekursor cynkowy został użyty chlorek cynku. Odpowiednio przygotowana mieszanina Au-Ga odgrywała rolę katalizatora wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymano nanosłupki ZnO w postaci krystalitów o długości do 1 mikrometra i około 100 nanometrów średnicy. Warto zaznaczyć, że jest to pierwsze zastosowanie metody ALD do wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymane nanosłupki użyto do wytworzenia czułych sensorów rozpuszczalników.
EN
In this work we present growth of ZnO nanowires (NWs) using ALD. As a substrate we used gallium arsenide with Au-Ga eutectic mixture prepared on the surface at high temperature. The soprepared substrate was used for growth of ZnO NWs using the ALD system. We used deionized water and zinc chloride as an oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture plays a role of a catalyst for the ZnO NWs growth. The ZnO nanorods were obtained in a form of crystallites of up to 1 µm length and 100 nm diameter. It is the first demonstration of ZnO NWs growth by ALD using VLS (vapour-liquid-solid) approach. We demonstrate their application as solvents sensor.
6
Content available remote Thin films of ZnO and ZnMnO by atomic layer epitaxy
Wójcik A., Kopalko K., Godlewski M., Łusakowska E., Guziewicz E., Minikayev R., Paszkowicz W., Świderski J., Klepka M., Jakieła R., Kiecana M., Sawicki M., Dybko K., Phillips M. R.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
413-4217
EN
We discuss properties of thin films of ZnO and ZnMnO grown with atomic layer epitaxy using new, organic zinc and manganese precursors. Several characterization techniques, including X-ray diffraction, atomic force microscopy, scanning electron microscopy, cathodoluminescence, superconducting quantum interfernece device (SQUID) and electron spin resonance, show good topography of the films and their advantageous optical and magnetic properties.
7
Azotek galu : nowy rozdział w badaniach powierzchniowej struktury elektronowej półprzewodników
Kowalski B. J., Iwanowski R. J., Kopalko K., Orłowski B. A., Sadowski J., Kanski J., Pluciński Ł., Johnson R. L., Grzegory I., Porowski S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
23-25
EN
The results of investigations of the (0001) (N-polar) surface of GaN bulk crystals are presented together with a brief review of the knowledge about GaN surface electronic structure accumulated up to the present. The band structure of GaN(0001) - (1 x 1) in the directions G-A and G-K has been analysed on the grounds of the data obtained by means of angle-resolved photoemission spectroscopy. The proposed interpretation of the results is shown to be consistent with the available results of calculations based on the model of the GaN(0001) - (1 x 1):Ga surface.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.