PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Analytical Comparison between Capacitor Assisted and Diode Assisted Cascaded Quasi-Z-Source Inverters
Vinnikov D., Roasto I., Jalakas T., Strzelecki R., Adamowicz M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 1a
212-217
EN
The quasi-Z-source inverter is a very attractive topology because of its unique capability of voltage boost and buck functions in a single stage. But its voltage boost property could be a limiting feature in some applications where very high input voltage gain is required. The input voltage gain could be extended by the implementation of the cascaded quasi-impedance network. This paper discusses four novel cascaded quasi-Z-source inverters. Steady state analysis of topologies operating in continuous conduction mode is presented. Performances of topologies were compared and experimentally validated. Moreover, some problematic issues of proposed topologies were pointed out and discussed.
PL
Quasi-Z falownik z prostym obwodem impedancyjnym jest bardzo interesującym rozwiązaniem topologicznym ze względu na unikalną możliwość jednostopniowego przekształcanie DC/AC w połączeniu z funkcjami obniżania i podwyższania napięcia. W niektórych aplikacjach jego właściwości podwyższające są jednak niewystarczające. Wyższe napięcie wejściowe można uzyskać w wyniku zastosowania w quasi-Z-falownikach kaskadowych obwodów impedancyjnych. W artykule omówiono cztery nowe topologie kaskadowych quasi-Z-falowników. Przedstawiono wyniki analizy stanów statycznych tych układów przy przewodzeniu ciągłym. Porównano właściwości badanych topologii, zweryfikowane eksperymentalnie. Omówiono także inne problemy związane z proponowanymi układami.
2
Content available remote Digital Current Mode Control Algorithms for High-Power Half-Bridge DC/DC Converters
Roasto I., Vinnikov D., Jalakas T., Strzelecki R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 8
180-186
EN
Digitally controlled systems have many well known advantages in comparison to analogue systems e.g. programmability, higher flexibility and modularity, fewer components, lower sensitivity to noise and environment conditions. Theoretically, all analogue control algorithms can be digitalized. But from practical point of view the digitalization often ends up with some major difficulties, which will noticeable limit or even prevent the application of the digital control algorithm. In this paper some of the problems connected to the digitalization are discussed and solutions are proposed. As a result, two new digital current mode control algorithms for high-power, high-voltage half-bridge DC/DC converters are proposed, simulated and experimentally verified.
PL
Cyfrowe systemy sterowania posiadają liczne znane zalety w porównaniu z systemami analogowymi, np. programowalność, wyższą elastyczność funkcjonalną i modułowość budowy, mniejszą liczba komponentów oraz wrażliwość na warunki otoczenia. Teoretycznie wszystkie algorytmy analogowe można zdigitalizować, lecz z praktycznego punktu widzenia często wiąże się to z istotnymi trudnościami, ograniczającymi lub nawet uniemożliwiającymi stosowanie algorytmu cyfrowego. W artykule omówiono niektóre problemy związane z digitalizacją oraz przedstawiono sposoby ich rozwiązania. Zaproponowano dwa nowe cyfrowe algorytmy sterowania wysokonapięciową półmostkową przetwornicą DC/DC, zweryfikowane symulacyjnie i eksperymentalnie.
3
Content available remote Development of 50-kW isolated DC/DC converter with high-voltage IGBTs
Vinnikov D., Jalakas T., Laugis J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2007
|
R. 83, nr 10
103-107
EN
The 6.5 kV insulated gate bipolar transistor (IGBT) is a new promising power device for high-voltage high-power applications. Due to its increased voltage blocking capability, the new HV IGBT can serve as a good replacement for GTO and IGCT thyristors in medium or medium-to-high power applications. One of its general application fields is railway traction. The paper discusses design and development considerations of the 50-kW auxiliary power supply to be used in 3.0 kV DC commuter trains .
PL
Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT) o napięciu 6,5kV są nowymi obiecującym przyrządami półprzewodnikowymi dla wysokonapięciowych urządzeń energoelektronicznych dużej mocy. Dzięki zwiększonej zdolności blokowania napięć nowe tranzystory IGBT mogą z powodzeniem zastępować tyrystory GTO oraz IGCT w aplikacjach średniej i dużej mocy. Jednym z głównych obszarów zastosowań jest trakcja elektryczna. W artykule przedstawiono analizę założeń projektowych i opis realizacji zasilacza o mocy 50kW przeznaczonego do zastosowania w pociągach podmiejskich zasilanych z trakcji 3kV napięcia stałego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.