Commonly used in methane optical detection LEDs operating in 2300 – 4200 nm range need specific temperature control. It is related to strict dependence of the emission of radiation on temperature in semiconductor junctions, in this case the heterostructures based on InAsSbP. The authors present the examplary implementation of temperature controller for mid-IR methane optical detector. The Xilinx XC3S500E Spartan-3E FPGA platform was used.
PL
Powszechnie stosowane w optycznych detektorach metanu diody LED działające w zakresie od 2300 nm do 4200 nm wymagają stabilizacji termicznej warunków pracy. Związane jest to ze wyraźną zależnością emisji promieniowania od temperatury w złączach półprzewodnikowych, w tym przypadku w wykorzystywanych przez autorów strukturach w oparciu o InAsSbP. W pracy przedstawiono przykład implementacji układu stabilizacji temperatury wybranych diod LED z wykorzystaniem platformy sprzętowej Xilinx XC3S500E Spartan-3E FPGA.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.