PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Solution growth of ZnO sub-micro rods enhanced by electric field
Pisarkiewicz T., Kenig T., Rydosz A., Maziarz W.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2011
|
Vol. 59, nr 4
425-428
EN
Recently the one-dimensional ZnO nanostructures have attracted much attention in gas sensor applications owing to their increased role of the surface. The authors have obtained ZnO rods of sub-micron size using the solution growth method with the growth temperature below 100.C. Investigations indicate that the rods have a well-defined hexagonal morphology and a wurtzite structure. The best uniformity and alignment of the sub-micron crystals was however obtained when electrodeposition from aqueous solution was developed. Sizes of these rods depend on the growth parameters. Moreover electrodeposition leads to a faster growth rate of ZnO sub-micron rods (2 hrs) as compared to the growth from solution (8 hrs). After electrodeposition the rods can be easily reoriented in external electric fields by using substrates with electrodes of appropriate geometry and configuration (dielectrophoretic effect). This enables the preparation of samples which can be used in gas sensor technology.
2
Sterowanie MBS termicznym procesem próżniowej selenizacji warstw fotowoltaicznych
Warzecha M., Jankowski H., Kenig T., Maksymowicz L., Pisarkiewicz T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
98-101
PL
W pracy przedstawiono procedurę sterowania procesem termicznym w próżniowym urządzeniu RTP (Rapid Thermal Processing) do selenizacji warstw prekursorów CIS. Zastosowano podejście MBS (Model Based Steering) oparte na modelu matematycznym nieliniowych zjawisk radiacyjnego transportu ciepła. Zbudowana komora procesowa, metody pomiaru temperatury oraz realizowana trajektoria sterowania spełniają wymagania procesu selenizacji.
EN
This paper presents the procedure of thermal process Steering in vacuum RTP (Rapid Thermal Processing) device used for the selenisation of CIS precursor layers. MBS (Model Based Steering) approach, based on mathematical model of nonlinear radiative heat transfer, was applied. Constructed process chamber, methods of temperature measurement and generated Steering trajectory are meeting the requirements of the selenisation process.
3
Nanostruktury ZnO otrzymywane metodą chemicznego osadzania z roztworu
Kenig T., Dziuradzia B., Skowronek T., Maziarz W., Pisarkiewicz T., Adamowicz A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 6
87-89
PL
W pracy zastosowano chemiczną metodę osadzania ZnO, zwaną "solution growth method" z użyciem roztworów octanu cynku oraz urotropiny poddając je odpowiedniej obróbce termicznej z różnymi czasami wygrzewania. Stosowano również inny wariant metody wzrostu z wykorzystaniem roztworu octanu cynku z CTAOH oraz azotanu cynku i urotropiny. Jest to metoda dwustopniowa gdzie w pierwszym etapie przeprowadza się zarodkowanie, a w drugim następuje wzrost nanostruktur ZnO. Struktury te wykorzystywane są do wytwarzania warstw gazoczułych w sensorach. Przeprowadzono również badania dyfrakcyjne i odbicia rentgenowskiego otrzymanych struktur na różnych podłożach.
EN
In research the "solution growth method" was applied for deposition of ZnO, using solutions of zinc acetate dehydrate and methenamine with adequate annealing processes. In the second option the solution was prepared from zinc acetate, cetyltrimethylammonium hydroxide (CTAOH) and zinc nitrate with methenamine. The second option is the two stage method, where in the first stage the nucleation process occurs and in the second stage the ZnO nanostructures grow. ZnO nanostructures can be utilized as sensing layers in gas sensors. The investigations of X-ray diffraction and reflection at small angles were also performed.
4
Technologia heterozłącza CIS/CdS do zastosowań fotowoltaicznych
Jankowski H., Kenig T., Maksymowicz L., Pisarkiewicz T., Warzecha M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 10
32-34
PL
Omówiono w zarysie procesy technologiczne otrzymywania składników cienkowarstwowych ogniwa CIS/CdS. Szczególnie scharakteryzowano proces RTP, kluczowy w wytwarzaniu warstw absorbera CIS, tj. chalkopirytu CulnSe2. Proces RTP umożliwia optymalne przeprowadzenie selenizacji przez szybkie wygrzewanie prekursorów metalicznych. Scharakteryzowano metodę kąpieli chemicznej CBD i omówiono właściwości otrzymywanych tą metodą warstw bufora CdS. Przedstawiono też proces technologiczny otrzymywania warstwy okiennej ZnO o kontrolowanym domieszkowaniu przez rozpylenie RF.
EN
Technological processes leading to the fabrication of thin film constituents of CIS/CdS photovoltaic heterojunction have been described. In particular the RTP process, crucial in obtaining the CIS absorber, i.e. CulnSe2 chalcopyrite, was characterized. The RTP processing enables effective selenisation of metallic precursors by very rapid annealing. The chemical bath deposition method CBD developed for obtaining thin film CdS buffer was also presented. The properties of the window ZnO layers with controlled doping, obtained by RF sputtering, were shortly described.
5
Assembly and failure analysis of "dummy" PBGA
Dziurdzia B., Sutor-Dziedzic A., Kenig T., Skowronek T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 12
19-22
EN
In this paper the assembly and failure analysis of Plastic Ball-Grid-Array (PBGA) "dummy" components mounted on a PCB by reflow soldering were investigated. X-ray microscopy, scanning acoustic (SAM) microscopy and metallographic examinations of solder joint cross-sections as well as electrical measurements of daisy chains were used for diagnostic.
PL
Przedstawiono metodę montażu i analizy uszkodzeń układów testowych BGA w obudowach plastykowych (PBGA), zamontowanych na płytkach drukowanych metodą lutowania rozpływowego. Są układami tzw. "pustymi" przeznaczonymi do testowania połączeń lutowanych - są replikami rzeczywistych układów BGA, ale bez chipów krzemowych pod plastykowymi obudowami układów. Układy testowe mają również system połączeń między kulkami układu BGA, odpowiadający systemowi połączeń między polami lutowniczych na płytce PCB tak, aby po zastosowaniu lutowania rozpływowego możliwe było sprawdzenie poprawności montażu przez pomiar rezystancji pomiędzy polami kontrolnymi układu.
6
Wpływ grubości na optyczne, strukturalne i elektryczne własności cienkich warstw CdS otrzymywanych metodą CBD
Schabowska-Osiowska E., Pisarkiewicz T., Kenig T., Handke B., Porada Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
60-61
PL
Cienkie warstwy siarczku kadmu o różnych grubościach nakładane były w kąpieli chemicznej (CBD). Warstwy wykazywały strukturę regularną. Ze wzrostem grubości przepuszczalność warstw w badanym zakresie widma silnie malała, zwiększała się natomiast wielkość ziarn CdS, występowała poprawa ciągłości warstwy i zmniejszały się nierówności powierzchni.
EN
Cadmium sulphide thin films with various thickness were deposited using CBD method. The films have shown a cubric structure. With the increase of the film thickness the transmission in examined spectral range strongly decreased, while CdS grain size increased, the continuity of the film improved and the roughness of the surface decreased.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.