Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

1/f noise as a diagnostic tool for non-destructive testing of silicon solar cells

Chobola Z., Hasse L., Spiralski L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 1

48-49

PL

Przeprowadzono badania eksperymentalne charakterystyk stałoprądowych oraz szumowych krzemowych ogniw słonecznych. Wykonano pomiary około 20 ogniw słonecznych wytworzonych z pojedynczych kryształów krzemu. W celu zrealizowania przyspieszonego starzenia, badane próbki były testowane w podwyższonej temperaturze 400 K. Charakterystyki stałoprądowe I-V oraz szumowe były mierzone przed poddaniem próbek starzeniu oraz w trakcie tego procesu, kolejno, po 200, 500, 1000, 2000, 3000, 5000, oraz 10000 godzin starzenia. Gęstość widmowa mocy szumów odnosząca się do defektów jest typu 1/f. Próbki o niższym poziomie szumów posiadają większą efektywność przetwarzania energii. Średnia wartość gęstości widmowej mocy wzrasta z czasem przyspieszonego starzenia. Autorzy proponująwykorzystanie parametru SIM, odnoszącego się do gęstości widmowej mocy szumów przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dla prądu IF = 10⁻³ A jako wskaźnika jakości i niezawodności.

EN

About 20 solar cells manufactured from silicon single crystals have been measured, m. For the purpose of accelerated ageing, the samples were subjected simultaneously to a higher temperature 400 K. The sample I-V characteristic and the noise parameters were measured before sample stressing and, subsequently after 200, 500, 1000, 2000, 3000, 5000 and 10000 stressing hours. Noise spectral density related to defects is of 1/f type. Samples with lower noise have higher efficiency. The average value of the noise spectral density increases with stressing time. Taking into account the measurement results we propose to use the power spectral density parameter Sim measured at forward current IF = 10⁻³ A as a quality an reliability indicator. It has been found out that there is a strong correlation between the initial-state noise and the conversion efficiency after 10000 hours of stressing.

2

Noise spectroscopy measurement of 2.3 µm CW GaSb based laser diodes

Chobola Z., Juránková V., Vanék J., Hulicius E., Šimeček T., Alibert C., Rouillard Y., Werner R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 1

70-73

PL

Przeprowadzono pomiary charakterystyk statycznych i szumowych diod laserowych z 2,3 µm CW GaSb spolaryzowanych w kierunku przewodzenia w celu oceny nowej technologii. Wyniki pomiarów wskazują, że gęstość widmowa mocy szumów odpowiadająca defektom jest typu 1/f, a jej poziom jest proporcjonalny do kwadratu prądu stałego przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dla małych poziomów wstrzykiwania nośników.

EN

Transport and noise characteristic of forward biased 2.3 µm CW GaSb laser diodes were measured in order to evaluate a new technology. From the measurement results it follows that noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude was found to be proportional to the square of DC forward current low injection levels.

3

Spektroskopia szumowa. Cz. 2, Badania przyrządów półprzewodnikowych, szumy elektrochemiczne i emisja akustyczna w diagnostyce

Chobola Z., Hasse L., Sikula J., Spiralski L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 2

7-11

PL

Wyniki pomiarów szumów małoczęstotliwościowych różnych obiektów stanowią cenne narzędzie diagnostyki jakości tych obiektów. W drugiej części pracy przedstawiono wybrane metody i wyniki badań szumów małoczęstotliwościowych przyrządów półprzewodnikowych, w tym nieliniowości HEMT z GaAs, elementów mocy oraz ogniw słonecznych, a także wykorzystanie w diagnostyce szumów elektrochemicznych oraz emisji akustycznej.

EN

Results of low frequency noise measurements of different kind objects present a valuable diagnostic tool for their quality evaluation. In the second part of the paper the selected methods and results of low frequency noise measurements of semiconductor devices (nonlinearities of GaAs High Electron Mobility Transistors - HEMTs power semiconductors, solar cells) have been presented. Application of the electrochemical noise and the acoustic emission in diagnostic was described too.

4

Spektroskopia szumowa. Cz. 1, System pomiarowy, badania struktur półprzewodnikowych

Chobola Z., Hasse L., Sikula J., Spiralski L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 1

22-26

PL

Wyniki pomiarów szumów małoczęstotliwościowych różnych obiektów stanowią cenne narzędzie diagnostyki jakości tych obiektów. W pierwszej części pracy przedstawiono system umożliwiający przeprowadzenie takich pomiarów oraz problemy zastosowania tego rodzaju diagnostyki w wykrywaniu wad montażu przyrządów półprzewodnikowych.

EN

Results of low frequency noise measurements of different kind objects present a valuable diagnostic tool for their quality evaluation. In the first part of the paper the measurement system and problems of noise spectroscopy application in detection of packaging defects of semiconductor devices and in wafer level noise measurements in the probe system have been presented.

5

Effect of illumination on noise of silicon solar cells

Vanek J., Chobola Z., Hasse L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 5

16-17

PL

Przeprowadzono badania eksperymentalne charakterystyk stałoprądowych i właściwości szumowych krzemowych ogniw słonecznych spolaryzowanych w kierunku przewodzenia jak i zaporowym, zarówno bez oświetlenia jak i przy oświetleniu. Stwierdzono zmiany właściwości ogniw wskutek oświetlenia spowodowane modyfikacją rezystancji dynamicznej złącza PN oraz występowaniem składowych szumów 1/f i generacyjno-rekombinacyjnych.

EN

Transport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components.

6

Low frequency noise and DLTS as silicon solar cell characterization tools

Chobola Z., Růžička Z., Hasse L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 6

32-33

EN

The paper presents the results of DLTS measurements for 1mm 2-sized specimens which have been cut from silicon solar cells showing considerable inhomogeneity as detected by means of the LBIV method. Transport and noise characteristics hace been also measured for these specimens.

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów defektowych (Deep Level Transient Spectroscopy - DLTS) dla próbek w wymiarach 1 mm 2 uzyskanych z krzemowych ogniw słonecznych. Ogniwa wykazywały znaczną niejednorodność, co stwierdzono za pomocą metody polegającej na wytwarzaniu napięcia wzbudzonego wiązką światła (Light Beam Induced Voltage - LBIV). Dla próbek tych zmierzono również charakterystyki statyczne oraz szumowe.

7

Effect of illumination on 1/f noise and transport characteristics of a monocrystalline silicon solar cells

Ibrahim A., Chobola Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 12

14-17

EN

Spectra of low frequency noise in a large area monocrystalline silicon solar cells are investigated at different illumination intensities at 300 K. It is found that under illumination the fluctuations of the photovoltage make the largest contribution to the excess noises. It is shown that these fluctuations are generated in the space charge region and their peculiarities depend not only on the voltage bias but also on the level of illumination L. A variety of other characteristics of the silicon solar cells are found to be conditioned by the illumination level. Such changes may be explained either by a decrease in the carrier life-time in the space charge region or by an increase of the width of it. At the same time the current-voltage characteristics of the silicon solar cells are dependent on the level of illumination, in forward direction an increase of the photovoltage is obtained, but in the reverse direction an increase of the photocurrent takes place with increasing level of illumination. Also for the same silicon solar cells the capacitance – voltage characteristics are measured under different illumination intensities at a constant frequency. It is found that the capacitance under different illumination levels is decreased (to be 25% of its initial value).

PL

Badano widma szumów małej częstotliwości monokrystalicznych krzemowych ogniw słonecznych o dużej powierzchni przy różnych intensywnościach oświetlenia w temperaturze 300 K. Stwierdzono, że przy oświetleniu fluktuacje te są generowane w obszarze ładunku przestrzennego, a ich właściwości zależą od napięcia polaryzacji i od poziomu oświetlenia L. Szereg innych charakterystyk krzemowych ogniw słonecznych jest zależnych od poziomu oświetlenia. Zmiany te można tłumaczyć bądź skróceniem czasu życia nośników w obszarze ładunku przestrzennego bądź też zwiększeniem szerokości tego obszaru. Charakterystyki prądowo-napięciowe krzemowych ogniw słonecznych zależą od poziomu oświetlenia. Ze wzrostem poziomu oświetlenia występuje dla polaryzacji w kierunku przewodzenia wzrost fotonapięcia, natomiast w kierunku zaporowym ma miejsce wzrost fotoprądu. Z charakterystyki pojemnościowo-napięciowej przy różnych poziomach oświetlenia wynika, że pojemność zmniejsza się (do 25% wartości początkowej) ze wzrostem poziomu oświetlenia.