Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN

Sobańska M., Wierzbicka A., Kłosek K., Tchutchulashvili G., Borysiuk J., Żytkiewicz Z. R.

Postępy Fizyki

2016

T. 67, z. 1-2

45--58

Praca przedstawia aktualny stan wiedzy na temat zarodkowania bez użycia zewnętrznego katalizatora i wzrostu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu (plasma-assisted molecular beam epitaxy - PAMBE) nanodrutów azotku galu, a także perspektywy zastosowań takich struktur w wydajnych przyrządach mikroelektronicznych, optoelektronicznych i w sensorach biochemicznych. Szczególny nacisk położony jest na badania prowadzone w tym zakresie w Zespole Wzrostu MBE Nanostruktur Azotko wych Instytutu Fizyki PAN w Warszawie. Omówione są zagadnienia związane z badaniami mechanizmu spontanicznego zarodkowania nanodrutów GaN, w tym wykorzystanie technik RHEED i spektroskopii masowej do obserwacji in-situ procesów zachodzących na podłożu w trakcie nukleacji i wzrostu nanodrutów. Następnie przedstawione są typowe właściwości strukturalne i optyczne nanodrutów GaN na podłożach Si i amorficznych warstwach AlxOy. Pokazane jest jak mikrostruktura podłoża determinuje kinetykę zarodkowania, ułożenie na podłożu, polarność i właściwości optyczne nanodrutów. W końcowej części przedstawione są przykłady wytwarzania i zastosowań w badaniach fizycznych bardziej złożonych struktur nanodrutów półprzewodników azotkowych.

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A., Tchutchulashvili G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

14-15

W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.

We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.