PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Optical properties of Ti-Al-C-N films: effects of deposition parameters and carbon content
Klimovich I., Komarov F., Zaikov V., Opielak M., Kołtunowicz T. N.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 6
78--81
EN
Ti-Al-C-N films were obtained by reactive magnetron sputtering method under different deposition parameters (substrate temperature, bias voltage and relation between reactive gases partial pressure). Structure, elemental, phase and chemical compositiosn of the films were determined by scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and Raman scattering. It was found that the deposition parameters affect on the compositions and optical characteristics of Ti-Al-C-N coatings. The minimum absorptance and maximum reflectance correspond to Ti-Al-C-N film with carbon content of 36.44 at %.
PL
Warstwy Ti-Al-C-N uzyskano za pomocą metody reaktywnego napylania magnetronowego dla różnych parametrów osadzania (temperatura podłoża, napięcie odchylenia i zależność między ciśnieniem cząstkowym reaktywnych gazów). Struktura, faza oraz skład chemiczny warstw zostały określone za pośrednictwem skaningowej mikroskopii elektronowej, analizy rentgenowskiej dyspersji energii, dyfraktometrii rentgenowskiej i rozproszenia Ramana. Odkryto, że parametry napylania mają wpływ na kompozycję i charakterystyki optyczne powłok Ti-Al-C-N. Minimalna absorpcja i maksymalny współczynnik odbicia uzyskane zostały dla warstw Ti-Al-C-N o zawartości węgla wynoszącej 36.44%.
2
Content available remote Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics
Miskiewicz S., Komarov F., Komarov A., Żukowski P., Michailov V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 11
236--238
EN
We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages.
PL
Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora.
3
Content available remote Origin of visible photoluminescence of Si-rich and N-rich silicon nitride films
Komarov F., Vlasukova L., Parkhomenko J., Milchanin O., Żukowski P., Mudryi A., Żhyvulka V., Żuk J., Kopyciński P., Murzalinov D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 8
184--186
EN
Amorphous Si-rich and N-rich silicon nitride films were deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) and, subsequently, annealed at 600, 800 and 1100ºC in Ar ambient. The different dependences of photoluminescence (PL) spectra on annealing temperatures were revealed for Si-rich and N-rich SiNx films. The origin of PL is discussed on the basis of band diagram depending on the x value and taking into account radiative defects in amorphous SiNx films. The PL spectra transformation after thermal treatment is explained by structural modification via competing process of creation and annealing defects.
PL
Amorficznie wzbogacony Si i N warstwy azotku krzemu zostały utworzony przez wspomagane plazmą osadzanie chemiczne z fazy gazowej (PECVD), a następnie wygrzany w temperaturze 600, 800 i 1100ºC w atmosferze Ar. Różne zależności widm fotoluminescencji (PL) w temperaturze wygrzewania zostały ujawnione dla wzbogaconych Si i N warstw SiNx. Pochodzenie PL omówiono w oparciu o schemat pasma w zależności od wartości x, z uwzględnieniem defektów radiacyjnych amorficznej warstwy SiNx. Transformacji widma PL po obróbce cieplnej jest wyjaśniona przez strukturalną modyfikację spowodowaną konkurencyjnymi procesami tworzenia się i wygrzewania defektów.
4
Content available remote Super-hard covering formation on metals by ion-beam assisted deposition: modeling
Komarov F., Komarov A., Mironov A., Zhukovski P., Karwat C., Aryutkin K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
326-328
EN
Theoretical model of the process of the ion-assisted deposition of titanium layers on the metal substrate is developed. The model allows us to make a choice of the optimal ion beam energy, the ion current density, and the rate of layer deposition in order to improve the tribological and mechanical properties of the system film/metal. Results of the modeling are compared with experimental data.
PL
W pracy przedstawiono model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne. Model umożliwia określenie optymalnych wartości energii jonów, gęstości prądu jonowego i szybkości osadzania warstwy w celu poprawy właściwości trybologicznych i mechanicznych układu warstwa-podłoże. Wyniki symulacji porównano z danymi doświadczalnymi.
5
Content available remote Transport efficiency of ion beams through evacuated cavities
Komarov F., Kamaszyn A., Łagutin A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
70-71
EN
This paper we present the results of an experimental investigation which demonstrate that dielectric capillaries can significantly enhance the transport efficiency of ion beams through evacuated cavities. The cylindrical glass (boron-silicon) capillaries with a length of 30, 65, 178 mm and a diameter of 0.1 and 0.5 mm were used.
PL
Autorzy zbadali I zademonstrowali kątowe i czasowe przedziały ilości protonów o energii 240 keV, przechodzących przez szklane (borokrzemianowe) kapilary (rurki włoskowate), o średnicy 0,5 mm i długości 65 i 178 mm w przedziale prądu wiązki protonów od 10^(-12) do 5 -10^(-11) A przy kącie wejścia protonów w stosunku do osi rurki włoskowatej od -0,2. do +0,20.
6
Content available remote Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi
Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Kolasik M., Larkin A., Fedotova J., Fedotov A., Komarov F., Vlasukova L. A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
247-249
PL
W pracy przedstawiono model przewodności skokowego przenoszenia ładunków, zlokalizowanych w studniach potencjału, w przypadku przemiennego pola elektrycznego.
EN
The paper presents a conductivity model of a hopping transfer of charges located in potential wells in the case of an alternating current field.
7
Content available remote Badanie wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs metodą elipsometrii spektralnej
Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Komarov F.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
196-199
PL
Zaprezentowano rezultaty badania wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs. Badania przeprowadzono metodą elipsometrii spektralnej.
EN
In this paper we present the results of spectroscopic ellipsometry study of changes in optical constants (refraction and extinction indices) of near-surface layers of GaAs caused by ion implantation. Parameters of models describing the samples have been compared with the results obtained for these materials by using the study with RBS-Channeling methods.
8
Content available Surface structure changes of InP and GaAs single crystals irradiated with high energy electrons and swift heavy ions
Didyk A., Komarov F., Vlasukova L., Yuvchenko V., Hofman A.
Nukleonika
|
2006
|
Vol. 51, nr 2
105-109
EN
InP and GaAs crystal structure changes under the influence of swift Kr and Bi ions have been studied by means of scanning electron microscopy, atomic force microscopy and selective chemical etching. The previous disordering of samples by electron irradiation has shown to lead to macrodefect formation in the form of cracks and breaks, at the depths near the ion end-of-range, and on the crystal surface. A possible explanation of the observed effects is proposed.
9
Structural and optical properties of GaN/ESiC/Si heterostructures grown by MBE
Skibarko I., Milchanin O., Gaiduk P., Komarov F., Marks J., Pastuszka B., Iller A., Diduszko R.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
49-54
EN
We have investigated structural and optical properties of cubic GaN (beta-GaN) layers grown on SiC/Si(001) substrates by electron cyclotron resonance assisted molecular beam epitaxy (ECR-MBE) using several methods (RHEED, TEM, AFM, XRD, PL). The about 50 nm thick beta-SiC layers were formed firstly by the thermal annealing of Si(OO1) wafers in vacuum at initial pressure 1x10(-5) mbar. Then the GaN layers have been grown on SiC/Si structures with the growth ratę of 50-60 nm/h. It is established that GaN growth takes place in the three-dimensional mode and the final GaN layers are preferably of cubic orientation. The fraction of included hexagonal GaN phase is found to be negligible. The PL spectra of 250 mn thick beta-GaN exhibit emission in both blue and yellow ranges.
10
Ion beam induced depth redistribution of components in layered Al(sub 2)O(sub 3)/Al/Ni systems
Komarov F., Pilko V., Frantskevich A., Senkara J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
65-68
EN
The composition of the thin buffer sheets between alumina substrate and thin deposited aluminium and nickeline films, was investigated by Rutherford backscattering. The components and impurities redistribution was obtained by the Ar1+ ion bombardment with the energies of l .5 and 75 keV. The alumina surface contamination with the carbon atoms decreased in the cases of the ion-beam assisted deposition and ion beam mixing by up to the order of the magnitude. In these cases the contamination redistribution was registered. The Ni-Al interdiffusion was observed in the case of the clean Al surface. It has also been shown that ion beams give us the possibility to form an alloy of the metal deposit with the substrate atoms at the room temperatures.
11
Effect of cavities in Si-substrate on heteroepitaxial growth of Si(sub 0.85)Ge(sub 0.15) alloys
Gaiduk P., Nylandsted A., Lundsgaard H., Komarov F.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
55-59
EN
A method of Si quasi-membrane formation for MBE growth of dislocation-free relaxed Si(0.85)Ge(0.15) alloy layers on Si substrate is presented. The Si quasi-membrane is formed by hydrogen im-plantation followed by thermal treatment which result in the formation of void-containing buffer layer that makes Si-Si bonds weaker. The effects of voids on the MBE growth of Si(0.85) Ge(0.15) alloy layers and the formation of misfit dislocations and their glissile arms - threading dislocations arę investigated and documented. It is found that the relaxation of strains in SiGe/Si layers is more enhanced in the case of the growth at void-containing substrate. A good share of threading arms run into the substrate and in this way the reduction of threading dislocations in the surface layer can be explained.
12
Lutowanie ceramiki modyfikowanej wiązką jonową
Senkara J., Kozłowski M., Komarov F., Czopik A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 11
11-13
PL
W pracy przedstawiono nową metodę łączenia ceramiki z metalem, na przykładzie układu AI2O3-Cu. Metoda ta polega na modyfikacji powierzchni ceramiki wspomaganej wiązką jonową, z nastepującym lutowaniem do metalu za pomocą lutu nieaktywnego. Przedstawiono wyniki badań strukturalnych (SEM, EPMA) ceramiki z naniesionymi warstwami Al/Ni/Mo przy udziale wiązki jonowej. Tak przygotowane próbki ceramiczne lutowano z pozytywnym wynikiem konwencjonalnym lutem AgCu28. Dokumentuje to morfologia uzyskanych złączy wraz z rozkładem naprężeń własnych, symulowanych metodą elementów skończonych.
EN
A novel method of ceramics-to-metal joining, examplified by the alumina (AI2O3)/copper system, is presented in the paper. The procedure is based upon ion beam assisted modification of ceramic surface followed by its brazing to metal by an inactive filler alloy. The results of structural investigations (SEM, EPMA) of alumina with ion aided Al/Ni/Mo layer deposit are demonstrated. Ceramie samples prepared in such a way were successfully brazed to copper by using ordinary Ag-28Cu alloy. It is substantiated by the joint morphology along with FEM simulated distribution of residual stresses.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.