Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2006

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie interferomerii światłowodowej w ocenie właściwości metrologicznych czujników bliskiego pola mikroskopu sił atomowych

Mulak P., Gotszalk T., Kolanek K., Woszczyna M., Masalska A., Zawierucha P., Wielgoszewski G., Zielony M., Sankowska A., Szeloch R., Janus P., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 5

57-59

Podstawowym problemem metrologicznym mikroskopii sił atomowych jest pomiar oddziaływań dynamicznych występujących między mikroostrzem a powierzchnią. W praktyce laboratoryjnej stosowane są zwykle układy natężeniowych detektorów laserowych, które umożliwiają jedynie detekcję (rozumianą w sensie jakościowej oceny ugięcia dźwigni). W laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur i nanomiernictwa Wydziału Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki opracowaliśmy światłowodowy interferometr pracujący w konfiguracji Fabry-Perota, za pomocą którego jesteśmy w stanie przeprowadzić pomiary właściwości metrologicznych układów piezoelektrycznych stosowanych w mikroskopii bliskich oddziaływań oraz dokonać skalowania czujników bliskiego pola ze zintegrowanymi detektorami wychylenia końcówki. Przedmiotem naszych prac była analiza właściwości piezoelektrycznych rezonatorów kwarcowych i elektrostatycznych aktuatorów wychylenia. Prezentowane przez nas metody i techniki pomiarowe pozwalają na pomiar ugięcia (wychylenia) dźwigni kamertonu piezoelektrycznego z rozdzielczością 0,1 nm w paśmie 1 kHz w zakresie częstotliwości do 100 kHz.

One of the fundamental metrological issues in scanning probe microscopy is the measurement of nearfield interactions between the microprobe and the surface. In most experiments the detection of the cantilever deflection is performed using so called Position Sensitive Detectors. In this setup the measurements of forces acting at the microtip require additional tedious and very time consuming calibration. Therefore in the laboratory of scanning probe microscopy, nanostructure and nanometrology at the Faculty of Microsystem Electronics and Photonics of the Wroclaw University of Technology we developed fiber optical Fabry-Perot inteferometer which can be used to determine the metrological parameters of the nearfield sensors. In this work we will present the results of piezoelectrical tuning fork measurements, which enable deflection detection of the tuning fork prongs with the resolution of 0,1 nm in the bandwidth of 1 kHz in the frequency range up to 100 kHz. We will also report in the calibration of the microsystem electrostatic deflection actuator, which can be used to maintain the distance between the microprobe and sample.

Wytwarzanie przyrządów elektroniki kwantowej metodami mikroskopii bliskich oddziaływań

Kolanek K., Gotszalk T., Woszczyna M., Masalska A., Zawierucha P., Mulak P., Szeloch R., Zielony M., Janus P., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 5

27-29

Ciągły rozwój technologii półprzewodnikowej powoduje wzrost skali integracji, szybkości działania układów elektronicznych oraz zmniejszenie pobieranej przez nie mocy. Obecny stan technologii opiera się głównie na technice fotolitografii i osiąga kres swoich możliwości zmniejszania charakterystycznych wymiarów przyrządów półprzewodnikowych. Przewiduje się, że fotolitografia nie zapewni tworzenia przyrządów półprzewodnikowych o rozmiarach charakterystycznych mniejszych od 30 nm. Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do lokalnej anodyzacji powierzchni otwiera nowe perspektywy wykonywania wzorów o wymiarach mniejszych od 30 nm. Zaletą tej techniki jest możliwość zarówno wytwarzania, jak i jednoczesnej diagnostyki wygenerowanych wzorów. Przedstawiono wyniki eksperymentów prowadzonych w laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur i nanomiernictwa WEMiF z Politechniki Wrocławskiej.

Rapid progress in semiconductor technology leads to greater scale of integration, improved speed and a reduced amount of the needed power of the electronic devices. At the present time mainly photolithography tools are used for developing electronic devices. Now the tools are working on the edge of the performance. Scanning probe microscopy is one of the methods which may be applied not only to surface visualization but also to modification. In this paper we describe local anodization process, which may be applied to create patterns on semiconductor and metallic surfaces. Control software of the atomic force microscope transfers designed patterns on the surface. We will present our research conducted in Laboratory of scanning probe microscopy, nanostructures and nanometrology in the Faculty of Microsystems Electronics and Photonics at Wroclaw University of Technology.