Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Angular dependence of post-implantation damage recovery under 1 MeV electron irradiation in GaAs

Warchoł S., Rzewuski H., Krynicki J., Grotzschel R.

Nukleonika

|

2002

|

Vol. 47, nr 1

19-21

EN

The angular dependence of post-implantation defects removal in GaAs irradiated with 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator has been investigated. The possible way of enhancing defect annealing consists in ionization created by electron irradiation. In this paper new results of a damage level behaviour dependent on 1 MeV electron beam angle irradiation are presented. GaAs single crystals of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions at RT and then irradiated with a scanning beam of 1 MeV electrons at some selected angles. Rutheford Backscattering Spectroscopy (RBS) of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after electron irradiation. The results relate clearly the ionization intensity created by the electron beam with angle of incidence with respect to the GaAs <100> orientation.

2

Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs

Warchoł S., Rzewuski H., Krynicki J., Grötzschel R.

Nukleonika

|

2000

|

Vol. 45, nr 4

225-228

EN

The influence of 1 MeV electron irradiation on the stability of post-implantation defects in GaAs has been investigated. The n-type GaAs wafers of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions below the amorphization threshold at RT using the implantation dose of 2×1013 ions cm–2 at a constant flux of 0.1 žA cm–2. Then the implanted samples were irradiated with a scanned beam of 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator in a dose range (0.5–5.0)×1017 cm–2 at 320 K. RBS and channeling spectroscopy of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after 1 MeV irradiations. New results of an "oscillatory" behaviour of the damage level as a function of 1 MeV electron fluence are presented.

3

High energy ion implatation profiles

Krynicki J., Puton J., Oleniak J., Warchoł S., Rzewuski H.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 1

3-13

EN

A new computer program for depth distribution calculations of high energy ions implanted into solids has been presented. It provides a possibility of obtaining any shape of the implanted ion profiles for high energy ions assuming, that the correlation between the Rp and ΔRp is known. In particular, it provides high computer efficiency while maintaining a high degree of accuracy. To ilustrate applicability and reliability of the program a number of representative calculations have been performed. High energy Sb{indeks górny]+ ion implantation into Si crystals was performed for the case of flat and linear implantation profiles. Rutherford Backscattering Spectroscopy has been used to determine depth distributions of the implanted ions. It was found that a very good agreement is held between the assumed theoretical profiles and measured ion distributions. The possible fitting errors manifested by the program are considerably smaller than the accuracy of the method of measurement and the precision of the implantation technique. The experimental results confirm a possibility of the effective application of the high energy ion implantation technique for producing a required distribution of implanted ions in a thin layer of a crystal.

PL

Przedstawiono nowy program komputerowy pozwalający na obliczenie głębokościowego rozkładu w kryształach implantowanych jonów o wysokiej energii. Umożliwia on otrzymanie dowolnego profilu, jeśli tylko znana jest zależność między Rp i ΔRp dla tych jonów. Program zapewnia wysoką wydajność komputera, przy zachowaniu wysokiej dokładności obliczeń. Dla zilustrowania stosowalności i niezawodności przedstawionego programu przeprowadzono stosowne obliczenia. Dokonano również implantacji wysokoenergetycznych jonów Sb[indeks górny]+ do kryształów Si, dla przypadku profilu płaskiego i liniowego. Rozkład głębokościowy implantowanych jonów zmierzony został metodą RBS. Stwierdzono bardzo dobrą zgodność między profilami założonymi teoretycznie i zmierzonymi doświadczalnie. Możliwe błędy dopasowania, wynikające z nowego programu są znacznie mniejsze niż dokładność metody pomiarowej i precyzja techniki implatancyjnej. Wyniki eksperymentalne potwierdziły możliwość zastosowania techniki implantacji jonów o wysokiej energii do uzyskania wymaganego rozkładu jonów domieszki w powierzchniowej warstwie implantowanego kryształu.

4

Ionization-induced damage increase in As-implanted GaAs

Warchoł S., Rzewuski H.

Nukleonika

|

1998

|

Vol. 43, nr 1

23-30

EN

The influence of 300 keV electron irradiation on the behaviour of post-implantation defects in GaAs at room temperature has been investigated. The effect opposite to defect annealing, i.e. the increase of post-implantation damage level has been observed. The n-GaAs wafers of <100> orientation were implanted with 150 keV As(sup +) ions at RT. The implantation doses of 1 and 2x10(sup 13) ions cm(sup -2) at a constant flux of 0.1 µA cm(sup -2) were employed to create disorder level below the amorphization threshold. Then the samples were irradiated with a scanned beam of 300 keV electrons to a total dose of 1x10(sup 17) cm(sup -2). The electron beam intensity of1 µA cm(sup -2) was used to maintain the sample at constant temperature not excceding 320 K. The depth damage distributions of post-implantation defects before and after electron irradiation have been measured by using RBS and channeling spectroscopy of 2 MeV(sup 4)H(sup +) ions. The results show a distinct increase of a damage level after electron irradiation which amounts to about 100% of the initial damage created for both ion implantation doses. Tentative explanation of this effect is based on the reported earlier observations that ionization changes the charge state of defects. As a consequence, rearrangement of defects takes place, giving rise to their out-diffusion from the clusters created by ion implantation, increasing in this way a total level of damage.

PL

Badano wpływ elektronów o energii 300 keV na defekty poimplantacyjne w GaAs w temperaturze pokojowej. Zaobserwowano efekt przeciwny do wygrzewania defektów, to jest wzrost poimplantacyjnego poziomu zaburzenia. Płytki GaAs typu n i orientacji <100> implantowano jonami As(sup +) o energii 150 keV w temp. pokojowej. Stosowano dawki implantowanych jonów 1 i 2 x 10(sup 13) cm(sup -2) utrzymując stałe natężenie wiązki jonów 0.1 µA cm(sup -2). Otrzymany poziom zdefektowania był niższy od progu amorfizacji. Następnie próbki zostały napromieniowane elektronami o energii 300 keV wiązką przemiataną, o całkowitej dawce 1 x 10(sup 17) cm(sup -2). Stosowane natężenie wiązki elektronów 1 µA cm(sup -2) pozwalało na utrzymanie stałej temperatury próbki nie przekraczającej 320 K. Rozkład głębokościowy defektów poimplantacyjnych mierzony był metodą RBS-c [ MeV(sup 4)He(sup +)] zarówno przed jak i po napromieniowaniu próbki elektronami. Otrzymane wyniki wykazują wyraźny wzrost poziomu zdefektowania po napromieniowaniu elektronami, wynoszący około 100% początkowej wartości zaburzenia dla obu stosowanych dawek implantacji. Wstępne wyjaśnienie tego efektu oparto na publikowanych wcześniej obserwacjach, wiążących zmiany stanu ładunkowego defektów pod wpływem jonizacji. W rezultacie zachodzi zmiana położenia defektów i ich dyfuzja z klasterów wytworzonych przez implantowane jony, co prowadzi do wzrostu poziomu zaburzenia kryształu.