Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Nukleonika

2 1999

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wurtzite InP phase formation during swift Xe ion irradiation

Gaiduk P.I., Komarov F.F., Herre O., Wendler E., Wesch W.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

189-194

Ion beam-induced amorphization and crystallization in InP implanted at room temperature with swift (250 and 340 MeV) Xe+ ions to doses of 5x1013 and 1x1014cm-2, respectively, are investigated by the transmission electron microscopy. For the ion fluences above 5x1013cm-2 the formation of amorphous InP of two different atomic structures is registered after swift Xe ion implantation as a consequence of electron and nuclear energy deposition. In the case of the highest ion dose implanted (1x1014cm-2) a partial crystallization of the amorphous surface layer to polycrystalline InP is observed. The crystallization process passes a stage of wurtzite InP phase formation which is found to be metastable.

Za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego badano efekty amorfizacji i rekrystalizacji wywołane przez implantację InP (w pokojowej temperaturze) prędkimi jonami Xe (250 i 340 keV) z dozami, odpowiednio do 5x1013 i 1x1014cm-2. Dla dawek jonów powyżej 5x1013cm-2 zaobserwowano formowanie się dwóch różnych atomowych struktur amorficznego InP powstających na skutek deponowania energii w procesie elektronowego i jądrowego spowalniania. W przypadku implantacji z dozą 1014cm-2 obserwowano częściową rekrystalizację powierzchniowej warstwy amorficznej InP do postaci polikrystalicznej. Zauważono, że proces rekrystalizacji InP przechodzi poprzez utworzenie metastabilnej fazy o strukturze wurcytu.

Interaction between pre-existing dislocations in silicon and hydrogen-induced defects introduced by plasma treatment

Milchanin O.V., Gaiduk P.I., Komarov F.F.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

175-180

Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of new defect engineering concepts. The experimental results of the interaction among hydrogen-related defects and extended imperfections (dislocations) obtained by ion implantation and annealing are presented in this paper.

Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla rozwoju nowych koncepcji inżynierskich uwzględniających defekty. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych oddziaływania między defektami związanymi z wodorem i uszkodzeniami (dyslokacjami) spowodowanymi implantacją jonową i wygrzewaniem próbek.