Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Efficient, low-cost optical coupling mechanism for TiO2-SiO2 sol-gel derived slab waveguide surface grating coupler sensors

Kaźmierczak Andrzej, Słowikowski Mateusz, Pavłov Krystian, Filipiak Maciej, Vervaeke Michael, Tyszkiewicz Cuma, Ottevaere Heidi, Piramidowicz Ryszard, Karasiński Paweł

Optica Applicata

2020

Vol. 50, nr 4

539--549

We present an optical signal coupling scheme for slab waveguide surface grating coupler sensors. The proposed solution is based on the use of polymer microlenses. In this work we analyze two types of compact polymer lenses: the aspheric plano-convex lenses and Fresnel lenses. The feasibility of the proposed scheme is demonstrated by the experimental investigation into the optical signal coupling to the test structure of TiO2-SiO2 slab waveguide surface grating coupler using both types of lenses.

Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC

Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Słowikowski Mateusz, Pavłov Krystian, Caban Piotr, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

175--177

Jakość powierzchni materiałów po wykonaniu procesów technologicznych jest ważnym zagadnieniem niezbędnym do zoptymalizowania przy próbie wykonania dobrej jakości przyrzadów półprzewodnikowych. W zależnosci od parametrów procesu, jakość powierzchni się zmienia. W niniejszej pracy zaprezentowano wpływ parametrów suchego trawienia RIE (ang. reactive ion etching) wspomaganego plazmą BCl₃ na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Podczas prac modyfikowano moc dostarczaną do reaktora, ciśnienie w reaktorze stosunek gazów roboczyhc oraz czas trawania procesu. Powierzchnia materiału po trawieniu została zobrazowana za pomocą wysokorozdzielczego skaningowego mikroskopu elektronowego SEM (ang. scanning electron microscope). Chropowatość została zmierzona za pomocą mikroskopu sił atomowych AFM (ang. atomic force microscope).

The quality of material surface after technological process is one of the most important issue, during semiconductors device manufacturing. The quality of the surface is changing depending on parameters of process that was realized. This paper presents influence of the RIE (reactive ion etching) parameters using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality. After the process, the SiC surface using high resolution SEM (scanning electron microscope) was investigated. The roughness of the surface was measured using AFM (atomic force microscopy).

Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej

Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Słowikowski Mateusz, Pavłov Krystian, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

158--161

W pracy zaprezentowano analizę wytrzymałości trzech rezystów na oddziaływanie plazmy chlorowej. Przeprowadzono serie procesów trawienia SiC, w których maskę zrealizowano przy użyciu materiałów PMMA 950, ZEP 520 oraz HSQ. W ramach opracowanych eksperymentów zbadano różne dawki naświetlania rezystów. Na potrzeby analizy wykonane zostały badania przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej. Ponadto wykorzystano profilometrię w celu określenia parametrów wyjściowych trawienia – szybkości trawienia rezystu i węglika krzemu. Pomiary zrealizowano przed i po usunięciu maski z rezystu. Wyznaczono zakresy głębokości trawienia przy założonej grubości użytego materiału maskującego.

The paper presents an analysis of the durability of three resists on the effect of chlorine plasma. A series of SiC etching processes were carried out, where using PMMA 950, ZEP 520 and HSQ materials the mask was made. As part of the experiments developed, various doses of irradiation were tested. For etching characterization scanning electron microscopy were performed. In addition, to determine the parameters like the etching speed of the resist and silicon carbide, profilometry was used. Measurements before and after removing the mask were realized. Possible etching depth ranges were determined at the assumed thickness of the masking material used.