PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 16

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Metoda i aparatura do wzorcowania helowych nieszczelności wzorcowych
Marks J., Magiełko H.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 1
84-87
PL
Helowe nieszczelności wzorcowe służące do kontroli wskazań helowych wykrywaczy nieszczelności wymagają również okresowej kontroli. W artykule opisano metodę i aparaturę pozwalającą wyznaczyć natężenie wypływu helu z nieszczelności wzorcowej, w zakresie 10 -9...10 -4 mbarl/s. Zastosowana metoda akumulacyjno-porównawcza opiera się na porównaniu dwóch próbek helu: wzorcowej o znanej ilości helu i zakumulowanej z mierzonej nieszczelności. Do porównania służą wskazania prądów jonowych helu obydwu próbek określone za pomocą kwadrupolowego spektrometru mas. Opisano również aparaturę próżniową służąca do tego celu.
EN
Helium calibrated leaks used for checking indications of mass spectrometers helium leak detectors, needs temporary calibration. This paper describe the method and the apparatus for determinate the helium flow rate from calibrated leak in the range 10 -9... 10 -4 mbarl/s. The accumulate-damp method are used for helium calibrated leaks. In this method a standard known quantity of helium is compared to helium collecting from unknown leak by quadrupole mass spectrometer.
2
Content available Laboratoryjny zestaw spektrometru mas wyładowania jarzeniowego
Kaczorek K., Konarski P., Marks J.
Problemy Eksploatacji
|
2007
|
nr 1
109-116
PL
W artykule opisano laboratoryjny zestaw spektrometru mas wyładowania jarzeniowego opracowany i wykonany w Przemysłowym Instytucie Elektroniki w Warszawie. Wyładowanie jarzeniowe jest inicjowane prądem stałym w obecności argonu jako gazu wyładowczego i powoduje rozpylanie jonowe analizowanej próbki. Powstałe jony są analizowane za pomocą kwadrupolowego spektrometru mas. Przedstawiono podstawowe parametry urządzenia i przykłady uzyskanych spektrogramów.
EN
A laboratory model of a glow discharge mass spectrometer with Grimm-type glow discharge ion source and quadruple mass spectrometer has been developed. This spectrometer provides detailed analysis of metals, alloys and isolators at a very attractive price.
3
Spektrometr mas wyładowania jarzeniowego z analizatorem kwadrupolowym : budowa i parametry
Kaczorek K., Konarski P., Marks J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 8
97-100
PL
Przedstawiono konstrukcję oraz parametry techniczne i metrologiczne spektrometru mas wyładowania jarzeniowego, opracowanego w Przemysłowym Instytucie Elektroniki. Spektrometr ten wyposażony jest w źródło wyładowania jarzeniowego oraz kwadrupolowy spektrometr mas (1...200 j.m.a.). Umożliwia szybką analizę ilościową metali i izolatorów; przeznaczony jest głównie do monitorowania składu wytwarzanych materiałów np. stali oraz stopów metali nieżelaznych z czułością do 1 ppm.
EN
The design of quadrupole based glow discharge mass spectrometer recently constructed in Industrial Institute of Electronics is presented. The analyser is equipped with glow discharge cell and quadrupole mass spectrometer (1...200 amu). It allows elemental quantitative analysis of metals, alloys and insulators with detection limits of 1 ppm. The construction is optimised for industrial applications mainly in metallurgy.
4
Metody spektrometrii mas w zastosowaniu do badania materiałów
Konarski P., Ćwil M., Kaczorek K., Marks J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 7
51-53
PL
Omówiono trzy metody spektrometrii mas: ze źródłem iskrowym (SSMS), jonów wtórnych (SIMS) oraz wyładowania jarzeniowego (GDMS). Porównano rodzaje zastosowanych źródeł jonowych oraz parametry trzech analizatorów znajdujących się w wyposażeniu Przemysłowego Instytutu Elektroniki (SAJW-05, JEOL JMS-01BM2 oraz model doświadczalny GDMS). Zaprezentowano przykłady zastosowań tych metod do badań różnorodnych materiałów, takich jak półprzewodnikowe układy warstwowe InAIGaAs/GaAs, drobiny pyłów atmosferycznych zanieczyszczających środowisko miejskie, stal nierdzewna. Przedstawiono zalety oraz wady poszczególnych metod.
EN
Three methods of mass spectrometry - spark source (SSMS), secondary ion (SIMS) and glow discharge (GDMS) are compared. Types of ion sources are discussed as well as parameters of three analyzers being in use in Industrial Institute of Electronics (SAJW-05 SIMS, JEOL JMS-01BM2 SSMS and laboratory version of GDMS). Examples of analyses show SIMS mass spectrum and depth profile analysis of MOVPE grown multilayer structure, SSMS results of urban aerosol composition and GDMS results of stainless steel. Advantages and drawbacks of each method are described.
5
Spektrometria mas wyładowania jarzeniowego - wykorzystanie kwadrupolowego spektrometru mas
Marks J., Kaczorek K., Konarski P., Sobolewski A.
Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki
|
2005
|
nr 152
51--62
PL
W artykule omówiono podstawy fizyczne spektrometrii mas wyładowania jarzeniowego oraz aparaturę umożliwiającą praktyczną realizację tej metody analizy atomowej. Podano również obszary zastosowania spektrometrii mas wyładowania jarzeniowego do analizy atomowej metali, półprzewodników i izolatorów. Przedstawiono również wstępne wyniki prac własnych wykorzystania kwadrupolowego spektrometru mas do analizy próbek z metali.
EN
The physical basis of glow discharge mass spectrometry (GDMS) and spectrometer used are described. The main applications in atomic analysis of metals, semiconductors and isolators are mentioned. The preliminary results of our application of the quadruple mass spectrometer in analysis of some metals are presented.
6
Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą MBE warstw azotków metali III grupy układu okresowego pierwiastków
Marks J., Cyrański R., Pastuszka B., Kaczorek K., Kaufman E.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2002
|
z. 143
91-95
EN
The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).
7
Stałe austenityczne jako materiał konstrukcyjny urządzeń techniki próżni
Grodziński A., Marks J., Witowski A.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2002
|
z. 143
15-24
EN
The construction material for vacuum equipments is mainly austenite steel (stainless steel). The composition and some properties important for vacuum technology of the different stainless steel type are discussed. The main preparation method of steel surface e.g. degreasing, surface polishing and thermal treatments in vacuum oxidizing athmosphere on degassing rate are also discussed. As the hydrogen is the main component of the gaseous phase in UHV and XHV the role of diffusion barrierformed on steel surfaces is shown. The barriers consist from thin chromium oxide layer formed during electro polishing and thermal treatment. Other method of a barrier formation is the deposition on stainless steel surface a thin layer of oxides and nitrides.
8
Małogabarytowe pompy jonowe
Cyrański R., Kiliszek C., Marks J., Sobolewski A., Magiełko H.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
2002
|
z. 143
183-187
EN
The small size pumps are used in the evacuation systems mainly for electron device and as a detector. The design and properties of two versions diode ion pumps are described. The first one, PJ-2N is designed to work at the low magnetic field in the range 600-800 Gs and the anode voltage of 3-5 kV. The second pump PJ-2 is equipped with differential Ti/Ta cathodes and magnet with magnetic firld anout 1200 Gs.
9
Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą WIBE warstw azotków metali III grupy układu okresowwego pierwiastków
Marks J., Cyrański R., Pastuszka B., Kaczorek K., Kaufman E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
Vol. 43, nr 12
46-48
PL
Urządzenie MBE03 przeznaczone jest do wytwarzania warstw azotków takich metali jak: aluminium, gal i ind. Jako źródło azotu zastosowano amoniak. Istnieje także możliwość domieszkowania wytwarzanych warstw magnezem (domieszka typu p) i krzemem (domieszką typu n).
EN
The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).
10
Małogabarytowe pompy jonowe
Cyrański R., Kliszek C. R., Marks J., Sobolewski A., Magiełko H.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
Vol. 43, nr 12
33-35
PL
Opisano małogabarytowe pompy jonowe przeznaczone do wytwarzania i pomiaru próżni w niewielkich obiektach próżniowych (np. lampach mikrofalowych). PJ2-N może pracować z polem magnetycznym o natężeniu 600-800 Gs. PJ-2 wyposażona jest w katody różnicowe Ti-Ta i pracuje z polem magnetycznym o natężeniu 1200 Gs. Napięcie anodowe obydwu pomp 3-5 kV.
EN
The small size pumps are used mainly to evacuate electron devices systems and as a vacuum detectors. The design and properties of two versions diode ion pumps are described. The first one, PJ-2N is designed to work at the low magnetic field in the range 600-800Gs and at the anode voltage of 3-5 kV. The second pump P--2 is equipped with differential Ti-Ta cathodes and magnet with magnetic field of about 1200 Gs.
11
Wpływ warstwy wytworzonej na powierzchni stali H17N13M2T (SS 316) na jej właściwości próżniowe
Witowski A., Marks J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
89-91
EN
The outgassing rates of stainless steel H17N13M2T (SS 316) covered by chromium oxide and titanium nitride have been presented. It was shown, that the modificated layers are good hydrogen diffusion barrier and possess abbility of decreased sorption of water steam.
12
Układ próżniowy urządzenia do epitaksji z wiązek molekularnych
Cyrański R., Marks J., Kaufman E., Sobolewski A., Pastuszka B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
102-103
EN
The construction of the MBE system for growth the semiconductor thin film in the high and ultra high vacuum conditions has been presented. This system consists of mainly technological and loading chambers with technical equipments for operation the epitaxy process. To the pumping of the chambers the turbomolecular with diaphram pumps and the ion pumps are used.
13
Bardzo wysoka próżnia w aspekcie techniki epitaksji z wiązek molekularnych
Marks J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 8-9
97-102
EN
The technology of thin films growth by molecular beam epitaxy can be realized by two methods: Solid Source MBE and Gas Source MBE. The main differences of these two methods consist in the quality and quantity of gases (vapors) flowing through the vacuum system of MBE equipments during crystal growth. The conditions of the preservation of MBE advantages: non-disturbing transport of mass from source in the direction of substrate and low concentration of the impurities in gaseous phase are discussed. The ability of various UHV pumps to longtime pumping of high fluxes of gases and vapors are also discussed. Some examples of in situ control of the gas phase during NH3-MBE processes by quadrupole mass spectrometer are shown including leak detection, degassing, growth of GaN films and oxygen impurity control.
14
Wykrywanie nieszczelności w aparaturze wysokiej i bardzo wysokiej próżni - problemy i metody
Marks J.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
13-25
EN
The main problems connected with leak detection in high and ultra high vacuum equipment are discussed. The influence of the molecular mass of gas and his temperature on gas flow rate through real leaks is presented. Other gas sources in vacuum system - virtual leaks - are the main obstacles in localisation and detection of the real leaks. Among these the gas outflow and liquid evaporation from smali cavities linked with vacuum by the pipes with very small conductance is very important. Only the baking of the vacuum walls can reduce the gas and vapours flow from virtual leaks. The detection and localisation of the leak by probe gas method with ionisation gauge and mass spectrometer head incorporated in the vacuum systems are presented. Selection of the probe gas with high ionisation efficiency (ex. argon) and reduction of the pumping speed in the system can achieve the minimum detectable leak ratę in the range 10(-12) Pa dm(sub 3)/s.
15
Structural and optical properties of GaN/ESiC/Si heterostructures grown by MBE
Skibarko I., Milchanin O., Gaiduk P., Komarov F., Marks J., Pastuszka B., Iller A., Diduszko R.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
49-54
EN
We have investigated structural and optical properties of cubic GaN (beta-GaN) layers grown on SiC/Si(001) substrates by electron cyclotron resonance assisted molecular beam epitaxy (ECR-MBE) using several methods (RHEED, TEM, AFM, XRD, PL). The about 50 nm thick beta-SiC layers were formed firstly by the thermal annealing of Si(OO1) wafers in vacuum at initial pressure 1x10(-5) mbar. Then the GaN layers have been grown on SiC/Si structures with the growth ratę of 50-60 nm/h. It is established that GaN growth takes place in the three-dimensional mode and the final GaN layers are preferably of cubic orientation. The fraction of included hexagonal GaN phase is found to be negligible. The PL spectra of 250 mn thick beta-GaN exhibit emission in both blue and yellow ranges.
16
Konstrukcja i wyniki badań pomp jonowo-sorpcyjnych PJ-50 i PJ-400
Cyrański R., Konarski P., Wymysłowski A., Sobolewski A., Magiełko H., Marks J., Pytkowski S.
Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
|
1999
|
z. 123
109-112
EN
New design of two ion sorption pumps PJ-50 and PJ-400 is presented. The pumps were constructed basing on literature data, computer simulation of discharge processes chamber parameters, and our experimental results. PJ-50 set consists of two anode-cathode packages consisting of anode cells of different diameter (23 mm, 18 mm and 15 mm). PJ-400 set consists of eight packages, which contain 23 mm and 18 mm diameter cells. Cathodes are made of titanium and tantalum while anodes are of ss304. Presented pumps are equipped optionally with NEG getters, as well as titanium sublimation cartridge with cryogenic shroud. Results of investigations show the ultimate pressures in the 10-9 Pa range and nitrogen pumping speeds 70 dm3/s and 420 dm3/s. Argon pumping speeds are 40 dm3/s and 250 dm3/s for the PJ-50 and PJ-400 pumps respectively.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.