Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Technologia wytwarzania i pomiary absorpcji szkieł chalkogenidkowych domieszkowanych jonami ziem rzadkich

Sójka Ł., Bereś-Pawlik E., Tang Z., Furniss D., Seddon A. B., Benson T. M., Sujecki S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

64-66

PL

Szkła chalkogenidkowe charakteryzują się niską energią fononów dlatego też są obiecującym materiałem dla realizacji światłowodów na zakres średniej podczerwieni. W pracy przedstawiono technologię wykonania szkieł chalkogenidkowych (Ge₁₆.₅ As₁₆Ga3Se₆.₅) domieszkowanych jonami ziem rzadkich (Dy³⁺, Tb³⁺, Pr³⁺). Wyniki eksperymentalne absorpcji otrzymano za pomocą spektroskopii furierowskiej w zakresie podczewieni (ang. FTIR). Podstawowe parametry domieszkowanych szkieł chalkogenidkowych takie jak: promieniste czasy życia poziomów energetycznych oraz współczynniki rozgałęzienia luminescencji beta obliczono metodą Judda- Ofelta. Na podstawie otrzymanych wyników omówiono wpływ linii bazowej na błędy metody pomiarowej. Na podstawie otrzymanych wyników zaprezentowano zastosowanie szkieł chalkogenidkowych do realizacji laserów światłowodowych na zakres średniej podczerwieni.

EN

One of the promising materials for the construction of mid-infrared fiber lasers is the chalcogenide glass. The chalcogenide glass has low phonon energy (below 400 cm⁻¹) when compared with standard materials used to produce fiber lasers, i.e. ZBLAN and silica glass.We present a comprehensive study of chalcogenide glass fiber lasers doped with Dy³⁺, Pr³⁺ or Tb³⁺ that operate in the mid-infrared wavelength range. A set of chalcogenide glass samples doped with different concentrations of rare earth ions was fabricated. The modeling parameters are directly extracted from FTIR absorption measurements performed on the fabricated bulk glass samples using Judd-Ofelt theory. Results show that, for all the dopants considered, an efficient mid-infrared laser action is possible if optical losses are kept at the level of 1dB/m or below.

2

Thermal models for silicon-on-insulator-based optical circuits

Biwojno K., Sujecki S., Vukovic A., Benson T.M., Sewell P.

Optica Applicata

|

2004

|

Vol. 34, nr 2

149-161

EN

Silicon has many advantages as a material for planar photonics but it does not possess a linear electro-optic effect. Whilst free carrier injection has been used to produce optical switches based on silicon on insulator (SOI) rib waveguides, the thermo-optic effect provides an attractive alternative way of modulating the refractive index in these structures. In this paper a fast analytical thermal solver is developed for SOI-based thermo-optic switches. It is shown that lateral heat leakage limits the temperature rise that can be achieved for a given thermal input power. The analytical model is then extended to allow investigation of the effect of thermal isolation trenches. These are found to improve performance by a factor of three. Finally, the effect of these trenches on the modes supported by the waveguide is briefly discussed.

3

Analiza przełączania termicznego w układach optyki zintegrowanej wykonanych na podłożu krzemu

Biwojno K., Sujecki S., Sewell P., Benson T. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 10

43-44

PL

Przeprowadzono analizę numeryczną przełącznika cyfrowego sterowanego termicznie, wykonanego w technologii SOI (silicon on insulator). Temperatura wewnątrz takiego urządzenia regulowana jest przez moc dostarczaną do grzejnika usytuowanego na szczycie żebra światłowodu. Do analizy zastosowano metodę różnic skończonych. Obliczono rozkład temperatury i pola elektromagnetycznego w światłowodzie oraz wyznaczono charakterystyki modowe dla modu podstawowego. Przeanalizowano wpływ temperatury na fazę sygnału świetlnego prowadzonego wzdłuż światłowodu.

EN

Optical switches are key components in flexible fibre systems. Thermo-optic switches can potentially provide low transmission loss, high stability, low power consumption and very large scale integration. In this paper finite difference based thermal and optical waveguide mode simulation are used to investigate the properties of thermo-optic (TO) switches based on silicon-on-insulator, rib waveguides.