Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Porównanie siły ściskającej zniszczenia skorupek jaj kurzych uzyskanych z różnego rodzaju hodowli

Juda W.

Tarnowskie Colloquia Naukowe. Nauki Techniczne i Ścisłe

|

2017

|

T. 4, nr 3

135--137

PL

Przeprowadzono badania porównawcze siły ściskającej potrzebnej do zniszczenia skorupek jaj kurzych z hodowli klatkowej i hodowli ekologicznej. Wyniki wskazują na brak istotnych różnic tego parametru pomiędzy badanymi rodzajami skorupek.

EN

This research investigates differences in compression force needed for destruction of chicken eggshells obtained from cage farming and organic farming. There were no significant differences in this parameter of investigated eggshells.

2

Alumina layers synthesized on cemented carbide tools by MOCVD method

Sawka A., Juda W., Kwatera A.

Materiały Ceramiczne

|

2010

|

T. 62, nr 3

307-310

EN

This paper shows the results of investigation of a synthesis of pure aluminium oxide layers on cemented carbide cutting tools by the MOCVD (Metalorganic Chemical Vapour Deposition) method using Al(O2C5H7)3 as a precursor. The layers were deposited at 800°C in two stages. Initially, as carrier gases ammonia (99.95 % pure) and/or argon (99.995 % pure) were used. Then, a thin and continuous Al2O3+C layer was obtained. It was so-called the intermediate layer. In the second stage, air was added into a CVD reactor and then a thicker external carbon-free Al2O3 layer was synthesized. The average growth rate of the layers was about 5 µm/h. The obtained layers were additionally annealed in air at temperatures up to 1050°C, which caused formation of α-Al2O3. Structure and microstructure of the layers were examined. Microhardness tests were performed by Vickers method over a load of 1N. The average value of microhardness of the layers with no annealing was about 0.98 GPa. After annealing at 1050 °, the average value of the microhardness amounted to about 2.25 GPa. Adhesion of Al2O3 layers to the substrate of cemented carbides was examined by the scratch test. Estimated average value L(C) for the not annealed Al2O3 layer of 5 µm thickness was 41 N. In the case of samples annealed at 1000 ° this value reached even 85 N.

PL

Artykuł pokazuje wyniki badań nad syntezą warstw czystego tlenku glinu na narzędziach do obróbki skrawaniem wykonanych z węglików spiekanych. Syntezę wykonano za pomocą metody MOCVD przy wykorzystaniu Al(O2C5H7)3 jako prekursora. Warstwy osadzano dwuetapowo w 800 stopni C. Najpierw wykorzystano gazy nośne w postaci amoniaku (o czystości 99.95 %) i/lub argonu (o czystości 99.995 %) do otrzymania cienkiej i ciągłej warstwy Al2O3+C. Była to tzw. warstwa pośrednia. W drugim etapie, do reaktora CVD wprowadzano powietrze w celu syntezowania grubszej, zewnętrznej warstwy Al2O3, pozbawionej węgla. Średnia szybkość wzrostu wynosiła około 5 µm/h. Otrzymane warstwy były dodatkowo wygrzewane w powietrzu w temperaturach aż do 1050 stopni C, co powodowało utworzenie się α -Al2O3. Zbadano strukturę i mikrostrukturę warstw. Badania mikrotwardości przeprowadzono za pomocą metody Vickersa przy sile obciążającej wynoszącej 1N. Średnia wartość mikrotwardości warstw nie wygrzewanych wynosiła około 0.98 GPa. Po wygrzewaniu w 1050 stopni C, średnia wartość mikrotwardości osiągnęła wartość około 2.25 GPa. Adhezję warstwy Al2O3 do podłoża z węglików spiekanych oznaczono za pomocą testu zarysowania (scratch test). Oszacowana średnia wartość L(C) w przypadku nie wygrzewanej warstwy Al2O3 o grubości 5 µm wynosiła 41 N. W przypadku próbek wygrzanych w 1000 stopni C wartość ta osiągnęła nawet 85 N.

3

Warstwy Al2O3 na narzędziach skrawających z węglików spiekanych otrzymywane metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2010

|

Vol. 31, nr 4

1210-1212

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad syntezą warstw Al2O3 na narzędziach skrawających z węglików spiekanych metodą MOCVD (Metal Or- ganic Chemical Vapour Deposition) z użyciem acetyloacetoninu glinu jako podstawowego reagenta. Warstwy syntezowano w temperaturze 800°C dwuetapowo. Wstępnie proces prowadzono z użyciem amoniaku (99,95%) oraz argonu jako gazu nośnego (99,995%). Otrzymane warstwy w pierwszym etapie były cienkie, ale ciągłe. Zawierały jednak węgiel. Z tego powodu proces syntezy warstw kontynuowano w powietrzu stanowiącym źródło tlenu) oraz w argonie (drugi etap). Średnia szybkość wzrostu warstw wynosiła ok. 5 um/h. Otrzymane warstwy następnie wygrzewano w powietrzu w zakresie temperatur do 1050°C celem uzyskania fazy a-Al2O3. Zbadano strukturę oraz mikrostrukturę otrzymanych warstw. Dokonano także pomiarów mikrotwardości tych warstw metodą Vickersa przy obciążeniu 1 N. Średnia wartość mikrotwardości w przypadku warstw nie wygrzewanych wynosiła 0,95 GPa, zaś po wygrzewaniu wzrastała do ok. 2,25 GPa. Adhezję warstw oszacowano za pomocą metody scratch test. Szacunkowa średnia wartość LC dla warstw nie wygrzewanych o grubości 5 um wynosiła 41 N. Dla próbek wygrzewanych w 1000°C wartość ta wynosiła nawet 85 N.

EN

This paper shows results of investigation on synthesis of pure aluminium oxide layers on cemented carbide cutting tools by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) method using Al(O2C5H7)3 as precursor. The layers were deposited at a temperature of 800°C in two stages. Initially, as carrier gases were used ammonia (99,95% pure) and/or argon (99,995% pure). Then, thin and continuous Al2O3+C layer was obtained. It was so called "intermediate layer". In second stage, air was added into CVD reactor and then thicker external carbon-free Al2O3 layer was synthesized. The average growth rate of the layers was about 5 um/h. Obtained layers were additionally annealed in air at temperatures up to 1050°C, what caused formation of a-Al2O3. Structure and microstructure of obtained layers were examined. Microhardness tests were performed by Vickers method over a load of 1 N. The average value of microhardness of layers not annealed was about 0,98 GPa. After annealing at 1050°C the average value of the microhardness amounted to about 2,25 GPa. Adhesion of Al2O3 layers to the substrate of cemented carbides was examined by "scratch test". Estimated average value LC for not annealed Al2O3 layer of 5 um thickness was 41 N. In the case of samples annealed at a temperature of 1000°C this value reached even 85 N.

4

Warstwy tlenku ceru otrzymywane metodą chemicznej syntezy z fazy gazowej

Kwatera A., Sawka A., Andreasik P., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 3

471-473

PL

Badania dotyczą syntezy cienkich warstw tlenku ceru metodą MOCVD (Metal - Organi Chemical Vapour Deposition) z użyciem organicznych związków ceru i powietrza przy obniżonym ciśnieniu. Jako podłoża stosowano rurki ze szkła kwarcowego. Ustalono wstępne warunki syntezy polikrystalicznych warstw CeO2. Zbadano mikrostrukturę otrzymanych warstw za pomocą mikroskopu skaningowego (SEM) oraz transmisyjnego (TEM). Zbadano również ich skład chemiczny. Z uwagi, że otrzymano bardzo gęste i polikrystaliczne warstwy już w temperaturze 600 stopni C przewiduje się, że mogą być one zastosowane do wytwarzania kompozytowych tlenkowych ogniw paliwowych nowej generacji w kształcie rur, które będą mogły pracować w temperaturach 600-800 stopni C.

EN

Research relates to synthesis of cerium oxide layers by MOCVD method using organic compounds of cerium and air under reduced pressure. Quartz glass tubes were used as substratem. Initial conditions for synthesis of polycrystalline cerium oxide layers were settled. Microstructure of obtained layers was investigated using scanning electron microscopy (SEM) and transmission eleccron microscopy (TEM). Their chemical composition also was examined. The layers obtainedt at 600 degree C were polycrystalline and characterized by high density. So, it seems that they‘ can be applied for production of composite solid oxide fuel cells (SOFC). It is also expected that those new SOFC’ll be able to work at temperatures of 600-800 degree C.

5

Ulepszenie metody CVD nanoszenia czystych warstw ochronnych Al2O3 na podłoża z węglików spiekanych

Juda W., Kwatera A., Sawka A.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

1031-1034

PL

W niniejszej pracy warstwy Al203 na węglikach spiekanych otrzymywano metodą MOCVD, z zastosowaniem jako reagentu acetyloacetonianu glinu. Zastosowano modyfikację stosowanej w poprzednich pracach metody MOCVD, polegającą na zastąpieniu czystego amoniaku czystym argonem w trakcie syntezy tzw. warstwy pośredniej, bezpośrednio przylegającej do podłoża, o małej grubości. Warstwę otrzymywano w dwuetapowym procesie, przy około 800°C. Etap wstępny obejmował syntezę warstwy pośredniej, o grubości ok. 0,06 - 0,07 um, otrzymywanej w atmosferze argonu. Warstwa ta zawierała węgiel, będący pozostałością po rozkładzie organicznego prekursora Al203. Zadaniem tej warstwy było blokowanie dyfuzji składników podłoża do syntezowanej zewnętrznej warstwy Al2O3 nie zawierającej węgla oraz blokowanie dyfuzji tlenu do podłoża w trakcie syntezy warstwy zewnętrznej nie zawierającej węgla. Pozwalało to zapewnić dobrą adhezję kompozytowej warstwy do podłoża. Warstwę zewnętrzną, o grubości ok. 4.5 um otrzymywano z prędkością nawet ok. 5 um/h, stosując powietrze jako gaz nośny. Zastosowanie metody MOCVD obniżyło temperaturę syntezy, co pozwoliło na otrzymanie gładkich warstw. Otrzymane warstwy poddano wygrzewaniu w wyższych temperaturach, w celu otrzymania w nich fazy a - Al2O3. Efektem tego procesu było zwiększenie mikrotwardości warstwy i jej adhezji do podłoża.

EN

In the presented work A1203 layers on cemented carbide tools were obtained by MOCVD method, with the use of alumina acetylacetonate as a reagent. Modified MOCVD method, used in previous investigations, was utilized. Modification included replacing pure ammonia with pure argon during the synthesis of so called intermediate layer, directly adjacent to the substrate and with low thickness. Layer was obtained in two-step process, at about 800°C. Preliminary step included synthesis of intermediate layer with thickness about 0,06 - 0,07 um, in the atmosphere of argon. That layer contained carbon, which was the effect of decomposition of organic substrate. The task of this layer was to block diffusion of substrate components to the synthesized outer alumina layer without carbon and to prevent oxidation of substrate during the layer's synthesis. Such procedure allowed a good adhesion of the layer to substrate. Outer layer (without carbon) with thickness abort 4,5 um was obtained with rate up to 5 um/h, using air as carrier gas. Utilization of MOCVD method lowered synthesis' temperature, which allowed to obtain smooth layers. Obtained layers were thermally treated in higher temperatures, to obtain in them a - Al2O3 phase. The effect of this process was the improvement of layer microhardness and adhesion to the substrate.

6

Synteza wartstw tlenku baru ze związków metaloorganicznych

Andreasik P., Kwatera A., Sawka A., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

855-857

PL

Otrzymano amorficzne warstwy tlenku baru za pomocą metody MOCVD (Metal Organie Chemical Vapour Deposition) z wykorzystaniem związku Ba(tmhd)2. Sprawdzano wpływ temperatury parowania w/w związku metaloorganicznego na jakość otrzymanych warstw BaO. Dodatek do Ba(tmhd)2 etanolu lub dichlorometanu (CH2C12) znacznie poprawił wydajność parowania tego związku. Otrzymane warstwy zostały zbadane za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego z mikroanalizatorem rentgenowskimten oraz aparatu rentgenowskiego.

EN

Amorphous barium oxide layers on quartz glass substrate were synthesized by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) method using metalorganic compounds of barium. The influence of the evaporation temperature was investigated. Interaction with ethyl alcohol or dichloromethne improved evaporation of Ba(tmhd)2. Obtained layers were tested by scanning electron microscope, EDS, X-ray apparatus

7

Synteza warstw ZrO2 metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A., Andreasik P., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 3

526-527

PL

Warstwy tlenku cyrkonu na rurkach ze szkła kwarcowego otrzymywano metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu cyrkonu (Zr(acac)4) i powietrza przy obniżonym ciśnieniu. Odpowiednio dobrane parametry procesu pozwoliły uzyskać krystaliczne warstwy już w temperaturze ok. 600 stopni C. Otrzymane warstwy badano przy użyciu mikroskopu skaningowego. Przeprowadzono również analizę rentgenowską tych warstw. Przewiduje się, że zastosowana technologia nanoszenia warstw tlenku cyrkonu może być przydatna do otrzymania kompozytowego elektrolitu dla tlenkowych ogniw paliwowych nowej generacji.

EN

Zirconium oxide layers were deposited on quartz glass substrates by MOCVD method using zirconium acetyloacetonate (Zr(acac)4 and air under reduced pressure. Polycrystalline layers were obtained at temperature of 600 degree C. They were examined by scanning microscopy. X-ray analysis of obtained layers was also performed. It seems that this way of deposition of zirconium oxide layers’ ll be useful to obtain new electrolyte for SOFC.

8

Narzędzia skrawające do obróbki stopów o stałym składzie chemicznym

Juda W., Kwatera A., Sawka A.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 3

414-417

PL

W pracy prezentowane są wyniki badań nad ulepszeniem powszechnie stosowanych narzędzi skrawających z węglików spiekanych, mającym na celu przedłużenie czasu trwałości narzędzia i eliminowanie zanieczyszczania obrabianego materiału przez narzędzie skrawające. Takimi narzędziami można obrabiać stopy o dokładnie ustalonym składzie chemicznym, które są niezbędne do wytwarzania urządzeń precyzyjnych. Do ulepszania narzędzi zastosowano czyste warstwy Al2O3 otrzymywane w procesie MOCVD, z użyciem acetyloacetonianu glinu, czystego argonu lub/i powietrza jako gazów nośnych. Uzyskano powłoki składające się z dwu podwarstw. Pierwsza o grubości 0,06 - 0,07 žm (nanoszona w atmosferze argonu) zawierała węgiel (pozostałość z rozkładu organicznego substratu) i miała ona za zadanie powstrzymywać dyfuzje kobaltu z podłoża do podwarstwy zewnętrznej oraz zapewnić adhezje całości warstwy do podłoża i chronić je przed utlenianiem w trakcie syntezy podwarstwy zewnętrznej (nie zawierającej węgla). Podwarstwa zewnętrzna (otrzymywana w atmosferze powietrza) zawierała czysty Al2O3. Łączna grubość obu podwarstw wynosiła ok. 5 um. Warstwy syntezowano w temperaturze 800°C, a następnie wygrzewano je w temperaturze ok. 1000°C. Wygrzewanie powodowało krystalizację fazy a -Al2O3, w wyniku czego następował wzrost mikrotwardości i adhezji warstw do podłoża. Średnie zużycie próbek z tak syntezowaną warstwą jest ok. 320 % mniejsze w stosunku do średniego zużycia płytek bez warstwy.

EN

In this work there are presented results of research on improving commonly used cemented carbide cutting tools, seeking t o improve tool’s lifetime and to eliminate pollution of cut material by the tool. Such tools can be used for machining controlled composition alloys, such as essential for producing precise machines For improving there were used pure Al2O3 layers obtained by MOCVD process, with use of alumina acetylacetonate, pure argon and/or air as carrier gases. Obtained layers consisted of two sublayers. First, with thickness 0,06 -0,07 žm (obtained in atmosphere of argon) contained carbon (effect of decomposition of organic substrate). Its task was to inhibit cobalt diffusion from the substrate to the outer sublayer, to promote adhesion of layer to the substrate and to protect substrate from oxidation during outer sublayer synthesis (which did not contain carbon). Outer sublayer (obtained in the atmosphere of air) consisted of pure Al2O3. Total thickness of both sublayers was about 3,5 um. Layers were synthesized in 800°C, and subsequently thermally treated at about 1000°C. Such treatment caused crystallization of a - Al2O3 phase, which resulted in improvement of microhardness and adhesion of layers to the substrate. Mean wear of samples coated with such layer were about 320% less than the mean wear of uncoated samples.

9

Badania nad syntezą warstw ZrO2+Y2O3 metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A., Andreasik P., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

1218-1219

PL

W pracy przedstawiono wyniki wstępnych badań nad syntezą warstw Zr02+Y203 za pomocą metody MOCVD (Metal Organie Chemical Vapour Deposition) z użyciem acetyloacetonianu cyrkonu oraz tetrametyloheptadionianu itru na podłożach ze szkła kwarcowego. I Gazem nośnym była mieszanina argonu i powietrza. Temperaturę parowania Zr(acac)4 zmieniano w zakresie 140-160°C, zaś temperaturę parowania Y(tmhd)3 w zakresie 130-160 °C. Temperaturę podłoża zmieniano w zakresie 500-650 °C. Ciśnienie gazów w reaktorze wynosiło 140 - 10 000 Pa. Pozostałe parametry procesu dobierano tak, by wartość wyrażenia Grx/Rex2 była niższa niż 0,001. Zbadano skład chemiczny i mikrostrukturę otrzymanych warstw. Praca związana jest z opracowywaniem kompozytowego elektrolitu dla tlenkowych ogniw paliwowych nowej generacji.

EN

In the paper results of initial research on synthesis of Z1O2+Y2O3 layers by MOCVD method using Zr(acac)4 and Y(tmhd)3 on quartz glass substrates are presented. The mixture of argon and air was used as a carrier gas. Evaporation | temperature of Zr(acac)4 was changed in the range of 140-160°C and evaoration temperature of Y(tmhd)3 in the range of 130-160°C. The) temperature of substrate was changed from 500° to 650°C. The pressure in the CVD reactor attained 140-10 000 Pa. Other parameters of process were settled in a such way that the value of extended expression Grx/Rex2 was below 0,001. Chemical composition and microstructure of obtained layers were examined. This work s related to elaboration of new composite electrolyte for solid oxide fuel cells.

10

Badania nad syntezą warstw tlenku ceru metodą MOCVD

Kwatera A., Sawka A., Andresik P., Juda W., Duszak S., Cholewa-Kowalska K., Turski P.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

1107-1109

PL

W pracy prowadzono badania nad syntezą warstw tlenku ceru na szkle kwarcowym metodą MOCVD przy użyciu acetyloacetonianu ceru a także tetrametyloheptanodionianu ceru. Jako gazu nośnego i rozcieńczalnika w jednym i drugim przypadku użyto powietrza oraz argonu. Tlen zawarty w powietrzu spełniał jednocześnie rolę nośnika par reagentów oraz utleniacza węgla i wodoru wydzielających się w trakcie pyrolizy tego związku. Temperatura powietrza była zbliżona do temperatury parowalnika, co zapobiegało kondensacji par Ce(acac)3 lub Ce(tmhd)4 w instalacji CVD. Temperaturę syntezy warstw zmieniano w zakresie 300-900°C. Ciśnienie gazów w reaktorze zmieniano zaś w zakresie 10-13x104 Pa. Natężenie przepływu argonu przez parowalnik wynosiło 0,08 mol/h, natomiast powietrza doprowadzanego do reaktora 0,4-8 mol/h. Temperaturę parowalnika zmieniano w zakresie temperatur 60 - 250°C. Parametry syntezy warstw dobierano tak, by wielkość wyrażenia Grx/Rex2 <0,001. Przeświecalność próbek bez i z warstwą tlenku ceru badano w ultrafiolecie i w świetle widzialnym. Badano mikrostrukturę warstw przy użyciu mikroskopu skaningowego oraz transmisyjnego. Przeprowadzono także analizę rentgenowską

EN

Investigations on synthesis of cerium oxide layers on quartz glass substrates by MOCVD method using cerium acetyloacetonate or cerium tetramethylheptanedionate. Argon and air were used as a carrier gases and (air was also source of oxygen.- necessary for elimination of carbon). Temperature of o air was close to temperature of evaporator. The temperature of the synthesis process was changed in the range of 300-900°C and the gases preasasure in the range of 10-13xl04 Pa. Magnitude of argon flow attained about 0,08 mol/h and and air flow 0,4-8 mol/h. The temperature of evaporator was changed from 60 to 250°C. Other parameters of the synthesis process were settled to assure the value of extended criterion Grx/Rex2<0,001. The transparency of obtained samples was tested. The microstructure of these layers was examined by scanning and transmission microscopy. X-ray analysis also was performed.

11

Synteza warstw tlenku ceru z organicznych związków ceru

Kwatera A., Sawka A., Andreasik P., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2005

|

Vol. 26, nr 5

236-238

PL

Warstwy czystego tlenku ceru syntezowano na rurkach ze szkła kwarcowego metodą MOCVD z użyciem organicznych związków ceru. W pracy tej badano warunki sprzyjające syntezie warstw przeźroczystych. Wydaje się, że eliminacja zarodkowania homogenicznego w trakcie procesu syntezy warstw sprzyja jej syntezie. W pracy przedstawiono wyniki badań mikroskopowych i optycznych otrzymanych warstw. Powyższe badania są związane z opracowaniem metody otrzymywania elektrolitów tlenkowych ogniw paliwowych (SOFC) nowej generacji pracujących w temperaturach 600-800°C.

EN

High purity cerium oxide layers were synthesized on quartz glass substrates by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) method using cerium organic compounds. In this work, conditions of preparation of transparent layers were investigated. It seems that the elimination of homogeneous nucleation process during the layer deposition is the main condition of preparation of the layers with good properties. Therefore the conditions, when homogeneous nucleation isn't occur were studied. Results of microscopic and optical tests has been shown. Investigation is realized in order to obtain electrolyte for SOFC working at temperatures 600 -800°C.

12

Synteza warstw AI203 z acetyloacetonianu glinu na węglikach spiekanych w obecności argonu i powietrza

Juda W., Sawka A., Kwatera A.

Inżynieria Materiałowa

|

2005

|

Vol. 26, nr 5

248-251

PL

Warstwy Al203 na węglikach spiekanych syntezowano metodą MOCVD w temperaturze ok. 800°C dwuetapowo. W pierwszym etapie syntezowano warstwę pośrednią, zawierającą węgiel - grubości ok. 0,06 - 0,07 vm , co uzyskiwano wówczas, gdy gazem nośnym był argon. Warstwę zewnętrzną nie zawierającą węgla, 0 grubości ok. 4.5 vm otrzymywano, gdy gazem nośnym było powietrze. Węgiel znajdujący się w pośredniej warstwie blokował dyfuzję kobaltu do warstwy zewnętrznej a także zapobiegał utlenianiu się podłoża. Z uwagi na niską temperaturę syntezy warstwy były gładkie. Wygrzewanie ich w wyższych temperaturach powodowało powstawanie w nich fazy & - Al203, co zwiększało adhezję tej warstwy do podłoża. Wstępne badania wskazują, że możliwe jest uzyskanie warstwy 0 korzystnych parametrach bez udziału czystego amoniaku, który autorzy stosowali w dotychczasowym sposobie otrzymywania pośredniej warstwy Al2O3, zawierającej węgiel.

EN

Layers of Al203 on sintered carbides were synthesized using two - stages MOCVD method at the temperature of 800 grad C. In the first stage intermediate layer containing carbon was synthesized. Its thickness was about 0.06 - 0.07 ?m , and it was obtained using argon as carrier gas. The outer layer, without carbon, with thickness about 4.5 ?m was obtained using air as carrier gas. Carbon in the intermediate layer blocked diffusion of cobalt to the outer layer and protected the substrate from oxidation. Owning to the low deposition temperature, obtained layers were smooth. Thermal treatment in higher temperatures resulted in formation of a-Al203 which increased adhesion of the layer to the substrate. Preliminary research suggest, that it is possible to obtain a layer with favorable parameters without using costly ammonia, utilized in previous method of obtaining intermediate Al203 containing carbon.

13

Otrzymywanie warstw tlenku itru z tetrametyloheptanodionianu itru (Y(tmhd)3)

Andreasik P., Kwatera A., Sawka A., Juda W.

Inżynieria Materiałowa

|

2005

|

Vol. 26, nr 5

265-267

PL

Warstwy tlenku itru syntezowano na wewnętrznych powierzchniach rurek ze szkła kwarcowego z użyciem Y(tmhd)3. Celem tych badań było określenie warunków procesu syntezy tych warstw (temperatura parowania, stężenie reagentów, rodzaj i wielkość przepływu gazów nośnych, temperatura podłoża). Otrzymane warstwy tlenku ceru były przeźroczyste, gładkie i dobrze przyczepne do podłoża. Praca ta ma związek z prowadzonymi badaniami nad opracowaniem optymalnych warunków syntezy warstw YBa2Cu307-x. Wyniki tych badań mogą być również wykorzystane do otrzymywania warstw Ce02 dotowanych Zr02i Y203.

EN

Yttrium oxide layers were synthesized on the inner surfaces of quartz glass tubes using Y (tmbd)3. Determination of the conditions of the synthesis process (the evaporation temperature, the concentration of reagents, kind and magnitude of carrier gases flow, the substrate temperature) was the main aim of the research. The obtained layers were transparent, smooth and well adhered to the substrate. This work was connected to elaboration for the optimal conditions of synthesis of YBa2Cu307-x layers. Results of these investigations can be also applied for synthesis of Zr02 and yttrium doped Ce02 layers.

14

Deposition of Al2O3 layers on cemented carbide cutting tools using aluminium acetyloacetonate

Sawka A., Juda W., Kwatera A.

Inżynieria Materiałowa

|

2004

|

R. XXV, nr 3

287-289

EN

Synthesis of high purity Al2O3 layers by MOCVD method on cemented carbide cutting tools with no intermediate layer of TiC was investigated. Alumina acetyloacetonate Al(O2C5H7)3 was used ar precursor and pure argon (99,999%) and/or air as carrier gases. Oxygen present in air was necessary for elimination of carbon solid by-product of Al(acac)3 pyrolisis). Al2O3 layers were synthesized in the temperature range of 800°-1100°C at their growth rate of even 5 žm/h. The layers synthesized at 800°C were holding at temperature of 900°-1100°C, what caused their crystallization. Obtained layers were smooth and well adhered to the substrate. Tests on the life of the material (they were performed using standard steel for machining) indicate about 3-fold increase of the tool life.

PL

Badano warunki syntezy warstw Al2O3 o wysokiej czystości metodą MOCVD na narzędziach skrawających z węglików spiekanych bez warstwy pośredniej TiC. Jako prekursor zastosowano acetyloacetonian glinu Al(O2C5H7)3 oraz czysty argon (99.999%) lub/i powietrze jako gazy nośne. Tlen zawarty w powietrzu był niezbędny do usunięcia węgla (stałego produktu ubocznego pirolizy Al(acac)3). Warstwy Al2O3 syntezowano w temperaturze 800°-1100°C, przy szybkości wzrostu nawet 5 žm/h. Warstwy syntezowane w temperaturze 800°C wygrzewano w temperaturze 900°-1100°C, co powodowało ich krystalizację. Otrzymane warstwy były gładkie i dobrze przyczepne do podłoża. Badania żywotności materiału - próby skrawania przeprowadzone na stali w stanie znormalizowanym - wykazały 3-krotny wzrost żywotności narzędzi z warstwą w porównaniu z narzędziami bez warstwy.

15

Warstwy tlenku glinu na węglikach spiekanych otrzymywane metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A., Juda W., Rakowski W.

Inżynieria Materiałowa

|

2002

|

R. XXIII, nr 5

387-389

PL

Warstwy Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) z użyciem acetyloacetonianu glinu, czystego argonu (99,999% obj.) oraz powietrza. Warstwy te osadzano bezpośrednio na powierzchniach węglików spiekanych bez pośredniej warstwy TiC w zakresie temperatur 800-1000 stopni Celsjusza. Czas ich syntezy wynosił 15-120 min. Niektóre z otrzymanych warstw w 800 stopniach Celsjusza dodatkowo wygrzewano w temperaturze 850-1000 stopni Celsjusza. Warstwy poddano badaniom na mikroskopie skaningowym współpracującym z mikroanalizatorem dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS). Wykonano również analizę rentgenowską, a także przeprowadzono pomiary mikrotwardości oraz badania na przyczepność warstw do podłoża.

EN

Alumina layers were synthesized by the MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) method using aluminium acetylacetonate (Al(O2C5H7)3), pure argon (99,999% vol.) and air. Layers were deposited on cemented carbides with no intermediate layer of TiC in the temperature range of 800-1000 degrees centigrade. The time of their synthesis was 15-120 min. Some layers synthesized at 800 degrees centigrade were additionally annealed at 850-1000 degrees centigrade. The obtained layers were examined by scanning electron microscopy with EDS attachement. The phase composition of the layers was also investigated by X-ray analysis. The microhardness of the coats and their adhesion to the substrate were also measured.