Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

GaAs/AlGaAs photonic crystals for VCSEL-type semiconductor lasers

Kruszka R., Ekielski M., Gołaszewska K., Korwin-Mikke K., Sidor Z., Wzorek M., Pierścińska D., Sarzała R., Czyszanowski T., Piotrowska A.

Opto-Electronics Review

|

2011

|

Vol. 19, No. 1

51-55

EN

The results of modelling of the influence of photonic crystal on the performance of VCSEL-type semiconductor laser structure are shown and indicate that the use of those structures would significantly improve the working parameters of the devices. The method of fabrication of photonic crystals in the Bragg mirrors of GaAs/AlGaAs-based VCSELs is presented.

2

Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

Taube A., Korwin-Mikke K., Gutt T., Małachowski T., Pasternak I., Wzorek M., Łaszcz A., Płuska M., Rzodkiewicz W., Piotrowska A., Gierałtowska S., Sochacki M., Mroczyński R., Dynowska E., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

117-120

PL

W pracy przedstawiono wyniki charakteryzacji cienkich warstw tlenku hafnu wytwarzanych metodą ALD. Zbadano wpływ wygrzewania na parametry elektrofizyczne warstw HfO₂ oraz HfO₂/SiO₂ oraz wpływ zastosowania warstwy podkładowej na właściwości elektryczne struktur MIS z warstwa tlenku hafnu osadzoną na węgliku krzemu. Zastosowanie warstwy podkładowej z SiO₂ znacznie poprawiło parametry kondensatorów MIS na węgliku krzemu, zmniejszając prąd upływu oraz gęstość ładunku efektywnego w dielektryku. Zaobserwowano zwiększenie się pola przebicia do wartości 7.2 MV/cm. Wygrzewanie warstw HfO₂/SiO₂ w temperaturze 400°C zwiększyło ich niezawodność oraz zredukowało gęstość stanów powierzchniowych do 4×10¹¹ eV⁻¹ cm⁻². Wygrzewanie warstw HfO₂ w 400°C obniżyło prąd upływu przy jednoczesnym zwiększeniu względnej przenikalności elektrycznej.

EN

This work presents the results of characterization of thin hafnium oxide films fabricated by ALD. Effect of annealing on physical properties on HfO₂ and HfO₂/SiO₂ layers, as well as effect of introduction of pedestal layers on properties of 4H-SiC MIS capacitor was investigated. Introduction of SiO₂, pedestal layer improved properties of 4H-SiC MIS capacilors, causing decreasing of leakage current and effective charge density in the insulator. Electric breakdown field was increased from 4 7 to 7.2 MV/cm. Annealmg of HfO₂/SiO₂ layers m 400°C improved reliability and reduced density of interface traps. Annealing of HfO₂ - layers m 400°C caused decreasing of leakage current and increased of relative permittivity.

3

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC

Zaremba G., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz M., Korwin-Mikke K., Adamus Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

106-109

PL

W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.

EN

This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.

4

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

Kruszka R., Korwin-Mikke K., Pasternak I., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

32-36

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań procesów kształtowania wzorów w azotku galu i węgliku krzemu przy użyciu techniki fotolitografii optycznej oraz trawienia plazmowego ICP. Do trawienia GaN stosowano plazmy chlorowe BCl₃/Cl₂ lub CI₂/Ar. Natomiast do trawienia SiC użyto plazmy chlorowej BCl₃/Cl₂ oraz plazmy freonowej CF₄. Trawienia GaN i SiC prowadzono przez maski metaliczne (Cr), tlenkowe (SiO₂) oraz złożone (Cr/SiO₂). Porównano szybkości trawienia w różnych rodzajach plazm oraz chropowatość powierzchni przed trawieniem i po procesie trawienia.

EN

This work concerns results of the studies on forming ot the patterns in gallium nitride and silicon carbide using optical photolithography and plasma etching techniques. For GaN etching chlorine plasma BCl₃/Cl₂ or CI₂/Ar were used. SiC has been etched in BCl₃/Cl₂ chlorine and freon CF₄ plasmas. The rate of etching in different types of plasmas and surface roughness before and after etching process were compared.

5

Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

Domanowska A., Klimasek A., Lisiecka E., Bidziński P., Adamowicz B., Szewczenko J., Taube A., Korwin-Mikke K., Gierałtowska S, Żywicki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

63-66

PL

Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz dekompozycję - na bazie algorytmu ewolucyjnego - nakładających się złożonych linii pierwiastków, w badanych przypadkach odpowiednio: O KLL i Cr LMM oraz Hf MNN i Si KLL Na tej podstawie wyznaczono grubość warstw tlenkowych na ok. 5-6 nm.

EN

Element content distribution in passivation nanofilms was examined using Auger electron spectromicroscopy (AES) versus ion sputtering time (Ar⁺): (i) at the 316L stainlees steel surface (O and Cr) and (ii) in the HfO₂/SiO₂/SiC structure containing SiO₂ buffer nanolayer (Hf and Si). Analysis of AES spectra was performed using an elaborated numerical procedure, which realizes the spectrum background subtraction and decomposition - using an evolutionary algorithm - of the overlapping lines in the examined cases of O KLL and Cr LMM as well as Hf MNN and Si KLL, respectively On this basis the passivation layer thickness was determined as about 5...6 nm.

6

Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCI₃ cienkich warstw HfO₂ wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

Kruszka R., Gołaszewska K., Taube A., Pasternak I., Korwin-Mikke K., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

91-94

PL

W pracy przedstawiono wyniki trawienia plazmowego ICP warstw HfO₂ wytwarzanych metodą reaktywnego rozpylania katodowego. Na podstawie badań porównawczych procesów trawienia wybrano plazmę BCI₃: F(sub)BCI3 = 30 sccm, P(sub)ICP/P(sub)RIE = 1000 W/100W, p = 10 mTorr, T = 20°C. Określono szybkość trawienia tlenku hafnu wynoszącą v∼80 nm/min, oraz seleklywność trawienia w stosunku do Si i SiC oraz selektywność trawienia HfO₂ do materiału maski tlenkowej (SiO₂) i emulsyjnej.

EN

In this paper we present the results of the ICP etching of the HfO₂ layers deposited by the reactive sputtering After the comparative tests of the process parameters, BCI₃ plasma (f(sub)BCI3 = 30sccm, P(sub)ICP/P(sub)RIE = 1000W/100W, p = 10 mTorr, T = 20 °C) has been chosen. Etching rate of ∼80nm/min has been determined. Etching selectivity HfO₂:Si and HfO₂: SiC as well as selectmty to oxide (SIO₂) and emulsion masks have been measured. No changes in the roughness of HfO₂ layers have been observed.

7

Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti₃SiC₂

Ekielski M., Kruszka R., Korwin-Mikke K., Borysiewicz M. A., Wzorek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

38-39

PL

Praca prezentuje wyniki dotyczące strukturyzacji cienkich warstw Ti₃ SiC₂ osadzanych w temperaturach: pokojowej. 100, 300, 600, 900°C, na podłożach: Si (100). AI₂O₃ (0001), GaN (0001). Do trawienia użyto plazmy CF₄/O₂. Zbadano wpływ mocy oraz dodatku tlenu na szybkość trawienia Ti₃ SiC₂.

EN

The paper reports on plasma etching of Ti₃SiC₂ thin films, deposited on Si (100), Al₂O₃ (0001), GaN (0001), at temperatures: ambient, 100, 300, 600, 900°C. C₄/O₂ plasma was used. Influence of power and oxygen addition on etching rate was investigated.