Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Infrared radiation from GaAs : Si structures with I-h junctions

Pułtorak J.

Electron Technology

|

2000

|

Vol. 33, No. 3

467-468

EN

Results of investigations of GaAs:Si p⁺ -p-p⁺ structures with the exponentially inhomogeneous base region are presented. An emission of infraret radiation with a positive temperature coefficient of the radiation power is observed.

2

Influence of the band gap profile and the temperature on the transport of excess carriers on the isotype HgCdTe/CdTe heterojunction

Pułtorak J., Piotrowski T.

Electron Technology

|

2000

|

Vol. 33, No. 4

553-557

EN

Results of numerical calculation of excess current carrier distributions in the HgCdTe/CdTe structure for different profiles of the energy gap and the temperature are presented and discussed.

3

Transport nośników nadmiarowych w półprzewodniku jednorodnie domieszkowanym z uwzględnieniem zjawisk termicznych

Sikorski S., Piotrowski S., Pułtorak J.

Prace Instytutu Technologii Elektronowej

|

1998

|

z. 1

1-54

PL

W oparciu o termodynamikę procesów nieodwracalnych wyprowadzono wzory na strumień energii, gęstość prądu elektronowego i dziurawego oraz ich równania ciągłości przy nieobecności pola magnetycznego. Wyodrębniono poszczególne zjawiska elektryczne termiczne i termoelektryczne, wyprowadzono równanie przewodnictwa cieplnego z równania ciągłości strumienia energii. Przez odpowiedni dobór zmiennych wyprowadzone równania tworzą układ równań różniczkowych nadający się do obliczeń przy poszukiwaniu potrzebnego rozwiązania. Dzięki temu, że układ równań zawiera jednocześnie zjawiska przewodnictwa elektrycznego i cieplnego jest możliwe ścisłe rozwiązanie przypadku własnego ogrzewania się struktury w czasie jej pracy. Układ równań transportu podano dla przypadku ogólnego przy zastosowaniu zasady neutralności oraz w przypadku jednowymiarowym. Omówiono równania zależne od czasu i stacjonarne. Wszystkie wzory obejmują przypadek półprzewodnika zdegenerowanego. Funkcje korekcyjne są wyliczone z dokładnością drugiego rzędu względem koncentracji nośników ładunku.

4

Microwave polarised infrared germanium photodetector

Pułtorak J., Twardowski K., Grodecki R.

Opto-Electronics Review

|

1998

|

Vol. 6, No. 2

151-159

EN

In this paper the performance of infrared germanium photodetector with two l-h junctions is presented. The detector has been installed in the microwave cavity.

5

Investigations of laser deposited semiconductor layers with the STM

Piotrowski T., Pułtorak J., Kulumbetov Z. E., Liptuga A. I., Plyatsko S. V.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 2

219-223

EN

In the work results of topographic measurements with the STM (scanning tunneling microscope) for the determination of the surface roughness and grain dimensions of PbTe/BaF₂ layers grown by the source evaporation technique have been presented. The measuremants have been carried out for various substrate temperatures (100 ÷ 400°C) and various power densities of the laser beam. A modulated infrared laser with hv

6

Comparative analysis and simulation of exclusion and accumulation of nonequilibrium charge carriers in p⁺ -p-p⁺ Ge structures of different geometrical forms

Kletski S. V., Pułtorak J., Sikorski S.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 2

275-278

EN

A mathematical model describing the processes of exclussion and accumulation of nonequilibrium charge carries in structures of different geometrical forms ( a parallelepiped, a tube and a hollow sphere ) is developed and a comparative analysis of the properties of these structures is provided. Carrier distributions and the electric field in the base of these structures are calculated, as well as current-voltage characteristics which are then corresponding experimental data. The possibility to obtain the needed characteristics through the selection of geometrical form of the sample is demonstrated.