Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

Ekielski M., Sidor Z., Juchniewicz M., Płuska M., Wzorek M., Piotrowska A., Kolkovsky V., Żytkiewicz Z., Gruszka M., Kucharski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

16-19

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na próbkach objętościowego azotku galu (Ammono) oraz warstwach epitaksjalnych na podłożach szafirowych (TopGaN) oraz krzemowym (111) (IF PAN). W eksperymencie zbadano wpływ warunków trawienia; przepływu BCI₃/CI₂, mocy RF oraz ICP, ciśnienia, jak i temperatury na jakość wzorów uzyskiwanych w GaN.

The paper presents results of research on the fabrication of periodic structures in gallium nitride using nanoimprint technique and high density plasma etching. Polymer stamps made by nanoimprint technique using UV and thermal mode were used. The matrix for stamps were prepared with laser lithography technique and focused ion beam etching. The study was carried out on samples of bulk gallium nitride (Ammono) and epitaxial layers on sapphire substrates (TopGaN) and silicon substrates (111) (IF PAN). Influence of etching conditions: BCI₃/CI₂ flow, ICP and RF power, pressure and temperature on the quality of patterns obtained in GaN were investigated.