Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania chropowatości powierzchni warstw optycznych nanoszonych w procesie IBAD : wstępne porównanie symulacji komputerowych z eksperymentem

Marendziak A., Oleszkiewicz E., Oleszkiewicz W., Romiszowski P., Żukowska K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 11

21-23

W pracy przedstawiono kontynuację badań symulacyjnych (metodą Monte Carlo) modyfikacji topografii powierzchni i wzrostu warstw nanoszonych w procesie IBAD. Badano chropowatość powierzchni warstw o symulowanym wzroście oraz warstw optycznych (CrN) nanoszonych w warunkach odpowiadających warunkom symulacji. Z pomiarów elipsometrycznych, mierząc spektralną zależność współczynnika załamania n oraz wskaźnika absorpcji k, określono wpływ energii bombardujących jonów na właściwości optyczne osadzanych warstw. Zmiana parametrów n i k wynika m. in. ze zmian topografii powierzchni, co badano wykorzystując mikroskop sil atomowych (AFM). Porównując wartości współczynników ft, zmierzonych za pomocą mikroskopu AFM z wartościami uzyskanymi z symulacji komputerowych stwierdzono konieczność opracowania odpowiedniej metodyki uśredniania obliczeń.

In this work we present the continuation of our former simulation studies on optical films deposited in IBAD process. The comparison between the simulation results and the experimental results obtained for CrN film obtained for different energy of ion beam is presented. The results show that along with the increase of the ion beam energy the roughness of the films under consideration decreases for both simulation and experimental cases determined by AFM microscope measurements.

Ellipsometry in optical studies of thin films conducted at the Institute of Physics of Wroclaw University of Technology

Żukowska K., Oleszkiewicz E.

Optica Applicata

2001

Vol. 31, nr 1

35-51

Ellipsometry is a very powerful and totally nondestructive technique for determining optical constants, film thickness in multilayered systems, surface and interfacial roughness and material microstructure. Ellipsometric measurements can be made in vacuum, air and other environments. Ellipsometry has traditionally been used to determine film thickness and optical constants of dielectrics and optical coatings, semiconductors and heterostructures, magneto-optic, magnetic and opto-electronic materials, electrochemical, biological and medical systems and in surface modifications and surface roughness investigations. In situ measurements during crystal growth or material deposition are useful to study constituent fractions (including void fractions) in deposited or grown materials, surface oxide formation and film growth kinetics. Ellipsometric studies of metal, dielectric, semiconductor and organic layers carried out at the Institute of Physics of Wroclaw University of Technology by members of Thin Films Group are presented.