PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available The Effect of Ho Doping Contents on the Structural, Microstructure and Dielectric Properties of Bi5Ti3FeO15 Aurivillius Ceramics
Tomaszewska M., Dzik J., Wodecka-Duś B., Pikula T., Adamczyk-Habrajska M., Szalbot D., Chocyk D.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2021
|
Vol. 66, iss. 1
91--96
EN
Aurivillius Bi5-xHoxTi3FeO15 (BHTFO) multiferroic ceramics with different holmium doping contents were synthesized by conventional solid state reaction. The effect of holmium doping on the microstructure, structural and dielectric behaviors of BHTFO ceramics were investigated in details. Microstructure and crystalline structure studies of ceramics were carried out at room temperature while dielectric properties were investigated in a wide range of temperature (T = 25ºC-550ºC) and frequency (20Hz-1MHz).
2
Content available Influence of Lanthanum Dopant on the Structure and Electric Properties of BaBi2Nb2O9 Ceramics
Adamczyk-Habrajska M., Goryczka T., Szalbot D., Dzik J., Rerak M., Bochenek D.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2020
|
Vol. 65, iss. 1
207--214
EN
The paper reports the consequences of lanthanum modifications of barium bismuth niobiate (BaBi2 Nb2 O9) ceramics. The discussed materials were prepared by solid state synthesis and a one-step sintering process. The investigations are focused on dielectric aspects of the modification. The presented results reveal that the trivalent lanthanum ions incorporate twovalent barium ions, which is connected with the creation of A-site cationic vacancies as well as oxygen vacancies. Such a scenario results in significant decreasing in grain boundaries resistivity. The activation energy of grain boundaries conductivity is significantly reduced in the case of lanthanum admixture.
3
Content available Influence of Calcium Ions on the Structure and Properties of LaMnO3
Bara M., Dzik J., Feliksik K., Kozielski L., Wodecka-Duś B., Goryczka T., Zarycka A., Adamczyk-Habrajska M.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2020
|
Vol. 65, iss. 3
1189--1195
EN
La0,7 Ca0,3 MnO3 polycrystalline were synthesized from La2 O3 , CaO and MnO2 powder mixture using a solid state reaction technique. The compound powders were obtained through the free sintering method at different temperatures and sintering times in order to study the influence of technological conditions on Ca doped La manganites. The most important physical features as structure, microstructure and morphology were described after X-ray diffraction investigation. Photographs of the specimen fractures were taken with SEM (scanning electron microscope) and they revealed high porosity of the tested material and great tendency for its grains to create agglomerates. Influence of doping and technological conditions on lattice parameters were studied by means of Rietvield analysis. The XRD measurements reveal that La0,7 Ca0,3 MnO3 has orthorhombic symmetry with Pnma space group.
4
Content available Correlation Between Structure, Microstructure and Dielectric Properties of Bi7Fe3Ti3O21 Ceramics Obtained in Different Conditions
Szalbot D., Bartkowska J. A., Feliksik K., Bara M., Chrunik M., Adamczyk-Habrajska M.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2020
|
Vol. 65, iss. 2
879--884
EN
Multiferroic six-layer Aurivillius type Bi7Fe3Ti3O21 ceramics was obtained by conventional mixed oxides method. The final sintering process was taken in several different sintering times, which determined changes in properties of discussed ceramic material. The structure and dielectric properties of the material are reported. In order to examine the technological conditions on the crystal structure, XRD analysis was carried out. The microstructure, as well as the quantitative and qualitative analysis of the chemical composition were investigated by scanning electron microscope with an energy dispersion spectrometer. The main purpose of the paper is to present the effect of sintering time on the microstructure, crystallographic structure and dielectric properties of Bi7Fe3Ti3O21 ceramics.
5
Content available remote Półprzewodnikowe właściwości ceramiki (Ba0,6Pb0,4) TiO3 domieszkowanej szkłem specjalnym
Wodecka-Duś B., Dzik J., Kozielski L., Adamczyk-Habrajska M.
Materiały Ceramiczne
|
2017
|
T. 69, nr 4
364--369
PL
Półprzewodnikowa ceramika ferroelektryczna, charakteryzująca się wysoką wartością dodatniego współczynnika temperaturowego rezystancji PTCR, znajduje coraz większe zastosowanie we współczesnej technice. Materiały pozystorowe stanowią sporą grupę tworzyw ceramicznych, których właściwości elektryczne są uwarunkowane przez obecność barier potencjału na granicach ziarn. Klasycznym przykładem tego typu materiałów są związki bazujące na ceramice ferroelektrycznej tytanianu baru (BaTiO3) i tytanianu ołowiu (PbTiO3). Czyste związki BaTiO3 oraz PbTiO3 ze względu na dalekie od optymalnych parametry elektryczne nie odgrywają większej roli w technice. Interesujące właściwości posiada natomiast ich roztwór stały, który można zapisać za pomocą ogólnego wzoru (Ba1-xPbx)TiO3. Celem pracy było otrzymanie właściwości półprzewodnikowych, a następnie pozystorowych w tytanianie baru, poprzez wprowadzenie w jego sieć krystaliczną jonów ołowiu, tworząc roztwór stały (Ba1-xPbx)TiO3 dla koncentracji ołowiu x = 0,4, a następnie domieszkowanie otrzymanej ceramiki tlenkowym szkłem specjalnym z układu PbO-B2O3-Al2O3-WO3 w ilości 1,5%, 4%, 6% i 8% wag. Badania charakterystyk prądowo-napięciowych otrzymanej ceramiki jednoznacznie potwierdziły zachowanie typowe dla półprzewodników samoistnych o dużej koncentracji nośników generowanych termicznie w objętości próbki w obszarze fazy ferroelektrycznej oraz istnienie powierzchniowych stanów akceptorowych generowanych napięciem większym niż U = 20 V w fazie paraelektrycznej. Odnotowany został również znaczący wpływ wyżej wymienionych stanów na prąd przewodnictwa. Warto również nadmienić, że niewielkie ilości kationów W6+, wprowadzonych w postaci tlenkowego szkła specjalnego, powodują przejście (Ba0,6Pb0,4)TiO3 wykazującego przewodnictwo dziurowe typu p do przewodnictwa elektronowego typu n, czyli w stan półprzewodnikowy, a w zakresie T > TC w stan pozystorowy.
EN
The demand for semiconductive ferroelectric ceramics, that is characterized by high values of positive temperature coefficient of resistivity (PTCR), in modern technology is constantly increasing. Posistor materials create a large group of ceramic materials which electrical properties are conditioned by the presence of the potential barriers at grain boundaries. A classic example of this kind of materials are those based on ferroelectric barium titanate (BaTiO3) and lead titanate (PbTiO3) ceramics that in a pure form have no large significance in technology due to their suboptimal electric parameters. However, the solid solution of BaTiO3 and PbTiO3, represented by the formula (Ba1-xPbx)TiO3, have remarkable electrical properties. The main scope of the study was to obtain semiconductive and afterwards posistor properties in barium titanate by introducing lead ions into its crystal lattice, creating the (Ba0.6Pb0.4)TiO3 solid solution, and then by doping the ceramics with special oxide glass from the PbO-B2O3-Al2O3-WO3 system in amounts of 1.5%, 4%, 6% and 8% by weight. The investigation of current-voltage characteristics of the resultant ceramics have undoubtedly demonstrated the behaviour which was typical for spontaneous semiconductors with high density of carriers generated thermally in the sample volume in the ferroelectric phase area, and the existence of surface acceptor states generated with a voltage greater than U = 20 V in the paraelectric phase. The significant influence of the aforementioned states on conductivity has also been noted. It is also worth mentioning that small amounts of W6 + cations introduced in the form of special oxide glass cause the transition of (Ba0.6Pb0.4)TiO3 from the state of p-type conductivity to the semiconductor state with n-type one, and in a range of T > TC to the posistor state.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.