PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Domain-wall contribution to magnetoresistance in ferromagnetic (Ga,Mn)As film
Wosiński T., Pelya O., Figielski T., Mąkosa A., Morawski A., Sadowski J., Dobrowolski W., Szymczak R., Wróbel J.
Materials Science Poland
|
2007
|
Vol. 25, No. 2
351--358
EN
Simple magnetoresistive nanodevices formed by narrow constrictions of submicron width in the epitaxial film of a ferromagnetic (Ga,Mn)As semiconductor have been fabricated employing the electronbeam- lithography patterning and low-energy low-dose oxygen ion implantation. Low-temperature chargecarrier transport through the constrictions has been investigated and correlated with magnetic properties of the film. The constricted devices revealed abrupt jumps of a reduced resistance that appeared when the sweeping magnetic field crossed the regions of the coercive field of the film magnetization. In contrast, the non-constricted reference device displayed abrupt jumps of an enhanced resistance at the same values of magnetic field. We interpret the both features, whose positions on the magnetic-field scale reflect the hysteresis loop of magnetization, as manifestation of domain wall contribution to the (Ga,Mn)As film resistance. Presumably, the suppression of the weak localization effects by a domain wall located at the constriction results in a negative contribution of a domain wall to the resistance, while the spin-orbit interaction can be responsible for its positive contribution to the resistance.
2
Content available remote Magnetic properties of (Eu,Gd)Te semiconductor layers
Dziawa P., Osinniy V., Dobrowolski W., Dybko K., Łusakowska E., Taliashvili B., Story T., Smits C.J.P., Swagten H.J.M.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
777--781
EN
In (Eu,Gd)Te semiconductor alloys a well known antiferromagnetic semiconductor compound EuTe is transformed into n-type ferromagnetic alloy. This effect is driven by the RKKY interaction via conducting electrons created due to substitution of Gd3+ for Eu2+ ions. It is expected that due to the high degree of electron spin polarization (Eu,Gd)Te can be exploited in new semiconductor spintronic heterostructures as a model injector of spin-polarized carriers. The (Eu,Gd)Te monocrystalline layers with Gd content up to 5 at. % were grown by MBE on BaF2 (111) substrates with either PbTe or EuTe buffer layers. The measurements of magnetic susceptibility and magnetization revealed that the ferromagnetic transition with the Curie temperature TC=11- 15 K is observed in (Eu,Gd)Te layers with n-type metallic conductivity. An analysis of the magnetization of (Eu,Gd)Te was carried out in a broad range of magnetic fields applied along various crystal directions both in- and out-of layer plane. It revealed, in particular, that a rapid low field ferromagnetic response of (Eu,Gd)Te layer is followed by a paramagnetic-like further increase towards the full saturatio
3
Content available remote Kronika
Demiański M., Ostrowski M., Falzmann J., Dobrowolski W., Biskup B.
Postępy Fizyki
|
2005
|
T. 56, z. 6
284-287
PL
Nagroda FNP w dziedzinie nauk technicznych. Współpraca AGH-CERN. Penrose doktorem honoris causa Uniwersytetu Warszawskiego. V Festiwal Nauki, Techniki i Sztuki. Audytorium im. Leonarda Sosnowskiego w IF PAN. Historia fizyki polskiej we wspomnieniach. Jubileusz Fizyki w Szkole. Einstein dla wszystkich. Lekkie jony w terapii raka. PRL będzie szybciej odrzucać prace. Nature Physics. Powiedzonka twórcy kwantowej teorii informacji.
4
Content available remote Kronika
Dobrowolski W., Nowina-Konopka M., Drozdowski W., Jartych E., Mostowski J.
Postępy Fizyki
|
2005
|
T. 56, z. 3
138-143
PL
Tytuł profesorski (Karol Wojciech Życzkowski). Nagroda im. Mariana Smoluchowskiego i Emila Warburga [dla - Andrzeja Warczaka]. Stypendia FNP dla młodych naukowców. Program Nestor FNP. Prestiżowa nagroda dla Tomasza Dietla. Fizycy rektorami: na UJ (Karol Musioł), na UMK (Andrzej Jamiołkowski), na UW (Katarzyna Chałasińska-Macukow) i na UMCS (Wiesław Andrzej Kamiński). Wykład im. Aleksandra Jabłońskiego. V Toruński Festiwal Nauki i Sztuki. Nie tylko Einstein. 54. Olimpiada Fizyczna. J. Larkin Kerwin (1924­-2004)
5
Content available remote Kronika
Nowina-Konopka M., Mostowski J., Karpińska A., Dobrowolski W., Ajduk Z.
Postępy Fizyki
|
2004
|
T. 55, z. 6
287-291
PL
Tytuły profesorskie. Nagrody FNP. Nowa Rada FNP. Honorowy doktor ZIBJ. Honorowy profesor IFJ PAN. Nagrody EPS. Uczczenie pamięci Mieczysława Frąckowiaka. 35. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna. Signum temporis? Duńskie centrum nanonauki. Ruch bez tarcia. Fizyka półprzewodników w Postępach Fizyki i Pracach ITE. Nauka w Polsce
6
Content available Verification of ideological classifications - a statistical approach
Mazurkiewicz M., Mercik J., Dobrowolski W.
Control and Cybernetics
|
2001
|
Vol. 30, no 4
451-463
EN
The paper presents a statistical method of verifying ideological classifications of votes. Parliamentary votes, preclassified by an expert (on a chosen subset), are verified at an assumed significance level by seeking the most likely match with the actual vote results. Classifications that do not meet the requirements defined are rejected. The results obtained can be applied in the ideological dimensioning algorithms, enabling ideological identification of dimensions obtained.
7
Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu
Mycielski A., Szadkowski A., Kaliszek W., Witkowska B., Kowalczyk L., Łusakowska E., Domagała J., Bąk-Misiuk J., Jędrzejczak A., Zieliński M., Adamczewska J., Adamiec K., Rutkowski J., Dobrowolski W., Gładki A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 2
3-8
PL
Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.
EN
The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.