Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen

Krawczyk Sławomir, Czerwosz Elżbieta, Wronka Halina, Firek Piotr, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 9

311--313

EN

As a result of the implementation of the POIG project (UDI-POiG.01.03.01-14-071/08-00), the research network Łukasiewicz, the Teleand Radio Institute and the Warsaw University of Technology, developed resistance hydrogen sensors using changes in nanocomposite resistance. Carbon-Palladium films (C-nPd) were obtained by PVD method, followed by transistor sensors (FET) with a gate covered with a previously developed nanocomposite C-nPd film. In this article, we show differences in a sensing properties and reaction of discussed resistance for the transistor sensors with a C-nPd film and resistive sensors built of C-nPd film deposited on ceramic substrate. For both types of sensors we performed sensing characterization in a research set-up prepared especially for this purpose during the implementation of the project. We found that transistor sensor is much more sensitive toward hydrogen than resistive sensor.

PL

W wyniku realizacji projektu POIG (UDA-POIG.01.03.01-14-071/08-00) realizowanego w latach 2009-2015 . Sieć Badawcza Łukasiewicz Instytut Tele- i Radiotechniczny oraz Politechnika Warszawską opracowały oporowe sensory wodoru wykorzystujący zmiany rezystancji nanokompozytowych warstw węglowo-palladowych (C-nPd) otrzymywanych metodą PVD, a następnie sensory tranzystorowe (FET) z bramką wykonaną z opracowanej wcześniej nanokompozytowej warstwy C-nPd. W tym artykule zostały pokazane różnice we właściwościach sensorycznych i ich reakcjach na wodór dla obu typów sensorów tranzystorowego i oporowego w postaci warstwy C-nPd osadzonej na podłożu ceramicznym. Dla obu typów sensorów badania sensorowe były prowadzone na specjalnie do tego celu zbudowanym stanowisku badawczym.

2

Hydrogen sensor based on field effect transistor with C–Pd layer

Firek Piotr, Krawczyk Sławomir, Wronka Halina, Czerwosz Elżbieta, Szmidt Jan

Metrology and Measurement Systems

|

2020

|

Vol. 27, nr 2

313--321

EN

ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistors) microsensors are widely used for pH measurements as well as analytical and biomedical applications. At the same time, ISFET is a good candidate for testing various materials for their applications in sensitive membranes. For example, hydrogen sensitive carbonaceous films containing Pd nanocrystallites (C-Pd) make this material very interesting for sensor applications. A cost effective silicon technology was selected to fabricate n-channel transistors. The structures were coupled to specially designed double-sided PCB (Printed Circuit Board) holder. The holder enables assembly of the structure as part of an automatic stand. The last step of production of MIS structures was deposition of the C-Pd layer. The C-Pd films were fabricated by the Physical Vapor Deposition (PVD) method in which C60 and palladium acetate were evaporated. Electrical resistance of structures with C-Pd films was measured during their interaction with hydrogen. Finally, a new type of highly sensitive FET hydrogen sensor with C-Pd layer was demonstrated and characterized.

3

Heterozłącza p-CuO/n-Si dla zastosowań fotowoltaicznych

Czerwosz Elżbieta, Biernacki Krzysztof, Wronka Halina, Kozłowski Mirosław, Diduszko Ryszard, Firek Piotr, Fetliński Bartosz

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 12

36--39

PL

W artykule został przedstawiony stan wiedzy na temat heterozłączy p-CuO/n-Si oraz ich zastosowań w fotowoltaice. Na tym tle zostały zaprezentowane wyniki naszych badań w dziedzinie technologii otrzymywania takich struktur, badań ich właściwości fizycznych metodami rentgenowskimi i elektronomikroskopowymi oraz badań ich właściwości fotowoltaicznych. Heterozłącza p-CuO/n-Si zostały otrzymane dzięki zastosowaniu nowej metody, opracowanej w naszym Instytucie (Łukasiewicz - ITR), polegającej na połączeniu metody PVD i metody utleniania termicznego. Szczegóły metody opisane są w artykule. Wyniki pomiarów fotoprądów pokazały, że opracowane struktury są odpowiednie do zastosowań fotowoltaicznych.

EN

The state-of-art in a field of p-CuO/n-Si heterojunctions and their application in photovoltaics is presented in this paper. On this background the results of our studies concerning technology of such structures preparation, their properties investigated with x-ray diffraction and electron-microscopy methods as well as their photovoltaic properties are shown. The p-CuO/n-Si heterojunctions were prepared by innovative method elaborated in our Institute (Łukasiewicz - ITR). This method connects PVD and thermal oxidation methods. Details of this method are described in the paper. The results of photovoltaic measurements exhibited that prepared p-CuO/n-Si heterojunctions are suitable for photovoltaic applications.